钻石将彻底改变芯片？

时间： 2024-02-24 来源：芯长征科技公众号

技术问答

微芯片制造面临的最大基本挑战之一是温度控制，随着进入 2020 年代及以后，传统方法的回报正在大幅递减。那些密切关注技术领域的人已经可以看到这种情况正在发生，GPU（尤其是 CPU 架构）的进步正在放缓，但制造商们已经思考这个问题更长时间了，并且正在研究新的解决方案，例如合成金刚石和纯化玻璃！

《华尔街日报》最近采访了 Diamond Foundry 和英特尔的多位高管和员工，他们都在以不同的方式解决这个问题。

Diamond Foundry 正在生产人造金刚石硅片——表面上是同类产品中最大的，至少在直径上是这样——用于硅微芯片。根据 Martin Roscheisen 的说法，这使得这些芯片的运行速度至少是额定速度的两倍。据报道，对未公开的高端 Nvidia GPU 进行的实验室测试显示，其性能是基于标准制造材料的普通芯片的三倍，这很疯狂，但在没有公开的基准测试的情况下有点难以相信。

与此同时，英特尔转而专注于生产用于基板（安装处理器的底层封装）的纯化玻璃，可能用于其大多数（如果不是全部）产品线。这已经在英特尔工厂进行了测试，并将在本世纪后半叶推出。纯化玻璃不是用于冷却，而是用于提高功率效率和芯片之间的通信……当然，更高的功率效率也是冷却的理想选择。

这两项发展似乎都非常有前途，尽管我们也许不应该将 Diamond Foundry 视为未来唯一的金刚石芯片潜在供应商。甚至《华尔街日报》也列出了其他提供自己更容易合成的多晶硅片的公司，例如相干公司 (Coherent) 或元素六 (Element Six)。元素六甚至提供更大的钻石。

随着我们进一步进入新的十年，硬件制造的下一个伟大转变可能即将到来。如果正确使用人造金刚石和纯化玻璃，我们甚至可以创造一个完全不需要任何硅的半导体的未来……至少根据 Sun Microsystems 联合创始人安迪·贝托尔斯海姆 (Andy Bechtolsheim) 的说法。只有时间会给出答案！

钻石在高功率器件中大放异彩

在能源意识日益增强的世界中，对具有卓越效率和功率密度的高功率应用的需求正在蓬勃发展。随着硅接近其物理极限，半导体行业正在探索宽带隙 (WBG) 材料，特别是碳化硅 (SiC)、氮化镓 (GaN) 以及未来更远的金刚石。

特斯拉于 2018 年开启了 SiC 功率器件市场，成为第一家在 Model 3 中使用SiC MOSFET 的汽车制造商。多年来，特斯拉一直是 SiC 市场增长的主要贡献者。但在特斯拉宣布其下一代动力系统将使用永磁电机、将碳化硅的使用量减少 75% 后，业界陷入恐慌。

“碳化硅是一种令人惊叹的半导体，但它也很昂贵，而且很难规模化。因此，减少使用对我们来说是一个巨大的胜利。”特斯拉动力总成工程副总裁科林·坎贝尔 (Colin Campbell) 3 月 1 日在特斯拉 2023 年投资者日活动上表示。

75% 的减少似乎令人担忧，但这个数字并不能说明全部情况。Yole Intelligence在3月中旬表示，SiC器件市场预计将以超过30%的复合年增长率增长，到2027年将达到60亿美元以上，其中汽车市场预计将占80%左右的市场份额。

“我们估计，未来几年不会有颠覆性的电力电子技术进入市场，因为上一次重大颠覆——碳化硅和氮化镓的出现——仍在上演，并正在抢占传统硅市场的份额， Yole Intelligence 电力和无线部门电力电子活动团队首席分析师 Ana Villamor 表示。“尽管如此，一些正在开发的技术将在长期内取得成果，例如金刚石、SiC IGBT 和氧化镓。”

SiC 和GaN有着光明的未来，但金刚石很可能被证明是高功率电子应用的终极宽带隙半导体材料。

Diamfab 联合创始人兼首席技术官 Khaled Driche 表示：“Diamond 是高压操作、高温应用或高频开关的完美选择。”“金刚石的临界电场比 Si 高 30 倍，比 SiC 高 3 倍。它也是一种非常好的散热器，导热系数比铜高 5 倍。”

然而，金刚石是一种与众不同的半导体。Diamfab 首席执行官兼联合创始人 Gauthier Chicot 表示：“它的优势所在也是合成它的一个障碍，这就是 Diamfab 的用武之地。”

Diamfab 总部位于法国格勒诺布尔，是法国国家科学研究中心 (CNRS) 的附属机构，以 Néél-CNRS 宽带隙研究所 30 年来对高质量合成金刚石生长的研究为基础半导体团队（SC2G）。Diamfab 项目成立于 2016 年，该初创公司于 2019 年注册成立。

“我们通过独特的控制来合成和掺杂金刚石外延层；因此，金刚石掺杂层的堆叠被生长以形成高附加值的晶圆，为设备制造做好准备。”Driche 说。

在制造金刚石器件所需的所有工业过程中，外延层的生长是最关键的过程之一，因为大部分电气性能取决于这些有源层的质量。

潜在的应用范围涵盖从采用基于金刚石的电力电子器件的电动汽车 (EV) 到具有 20 年电池寿命的物联网设备、具有一系列集成探测器的医疗保健设备以及具有超精密量子传感器的自动驾驶汽车。

与现有半导体材料相比，金刚石具有三个关键优势：热管理、成本/效率优化和二氧化碳减排。

在所有传统电源转换器中，冷却系统是一个笨重且体积庞大的部件。与大多数半导体不同，金刚石的电阻率随着温度的升高而降低。因此，由该材料制成的器件在 150 摄氏度（功率器件的典型工作温度）下比在室温下性能更好。Driche 表示，虽然必须付出相当大的努力来冷却暴露在高工作温度下的 Si 或 SiC 器件，但可以简单地让金刚石在工作过程中找到稳定的状态。

金刚石也是良好的散热器。凭借更少的耗散损耗、更好的散热能力以及在高温下运行的能力，由金刚石有源器件制成的转换器比基于 Si 的解决方案轻 5 倍，体积小 5 倍，比基于SiC的解决方案轻 3 倍，体积小 3 倍，德里奇补充道。

在设计设备和转换器时，必须在系统的能源效率与其成本、尺寸和重量之间找到权衡。Diamond 也不例外，但 Diamfab 相信 Diamond 可以为更节能的电动汽车的关键参数带来价值。

如果重点是降低器件成本，则可以设计出比 SiC 模具便宜 30% 的金刚石模具，因为在相同电气性能下，金刚石模具比同等 SiC 模具消耗的金刚石面积少 50 倍和效率，但具有更好的热管理。

如果重点关注效率，与 SiC 相比，金刚石可以将能量损失减少三倍，并且模具尺寸缩小多达 4 倍，从而直接节省能源消耗。

如果重点是系统体积和重量，通过允许增加开关频率，与基于 SiC 的转换器相比，金刚石器件可以将无源元件的体积减少四倍。这种体积减小加上较小的散热器所允许的体积减小。

鉴于社会日益电气化，钻石的前景一片光明，但该技术要成为工业现实，仍需克服许多障碍。

合成技术的进步使得生产具有可预测特性和一致性能的工程合成钻石成为可能。第一批人造钻石于 20 世纪 50 年代采用高压和高温生产。20 世纪 80 年代，采用化学气相沉积 (CVD) 技术生产晶圆级钻石。

Chicot 表示：“近年来 CVD 合成技术取得的技术进步大大加速了该技术的发展，金刚石的时代从未如此接近。” “最近展示的高达 4 英寸的大型晶圆，以及许多研发中心和工业合作伙伴对开发二极管、晶体管和电容器日益增长的兴趣都证明了这一点。”

将晶圆直径从 0.5 英寸扩大到 4 英寸可以让 Diamfab 获得汽车市场所需的竞争力。

至于其他障碍，该初创公司认为，减少位错可以提高零部件的制造产量。Diamfab 还在探索多种途径来实现垂直组件架构，以提高电流密度。

该公司承认，Diamfab 正在与潜在投资者进行谈判，以实现其技术和业务目标。Chicot 表示，第一轮 300 万欧元（约合 330 万美元）的种子轮股权投资正在进行中，用于安装试验线工厂，这将使开发可重复的产品准备好进行加工并进行大规模生产成为可能。

当被问及 Diamfab 预计何时进入批量生产时，首席执行官表示：“今天，我们能够为公共和私人研究实验室生产高附加值的金刚石晶片。收购我们的机器和试点基地后，我们将能够通过增加产量和营业额来继续生产。我们的目标是在未来五到七年内增加产量，主要是为了应对电动汽车市场。”

提高电动汽车的能源效率意味着减少能源消耗，但这不应以牺牲能源密集型和污染性的制造过程为代价。Driche 表示，与 SiC 晶圆生产相比，金刚石晶圆的生产“二氧化碳排放量减少了 20 倍”。

“SiC 需要非常高的温度，高达 2,700 摄氏度，持续数天，而用于合成金刚石晶片的 CVD 技术的温度要低 3 倍，”他说。“考虑到金刚石材料[表面积要求]较低，并且与电动汽车相关，用于功率元件的半导体材料的二氧化碳足迹可以用金刚石除以高达 1,000 。”

文章来源：半导体行业观察

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应能微 MOSFET/TVS/电源管理芯片(PMIC)选型指南

目录- 公司简介 USB PD 快充/储能逆变DC-DC/电源适配器电池管理/电动工具电动车/无人机/吸尘器手机/平板/学习机 TWS耳机/音箱智能穿戴手表/手环工控/笔电/电脑机顶盒/路由器/WIFI6 安防摄像头/球机/交换机智能电表/水表/气表/热能表电子烟/广告机/电子笔/智能门锁 TVS封装电源管理芯片 TVS 应用设计

型号- AU1271P6,AU4581D3,APC2801 SERIES,ASM12,SLVU2.8-4,CM2302B,CM2302A,CMN3002TF5,AU4581D3H,SMF15A,AU0571P1A,AR0544P5LV,AU2424P5LV,AU1281D1F,AU0521D5,CM65R400XF,AU1221P1,CM60N10AGB,AR0511P1LV,CM2301B,CM2301A,AU2481D1F-T,AU2421P1,AU4891P1,SMCJ50CA,AU0591P1,CM2312J,AR0552S2,CMN6002GF5,AU2471D1F-T,CM20N65TP,AR0524P5,APO3605A,SMAJ15CA,SMAJ26A,AU0771P6,AU0541P1,AU0541P0,AR3341P0SC,APO2003F,CM1602A,AR0502S2,APO2003H,AR0502S1,AR6051P1,APO2003D,AU0581D3,ASD05,APO3105A,CMN1002PGLA,AR0502S5,ASD12CL,SMAJ26CA,SMAJ15A,APC2801,CM20N65TF,AU056P1,AU1501P4-3,CM4N65BTF,AR2411P1,AU0501P4-3,CM4N65BTP,AR0508PBA,AU1271D3,AU1201P4-3,CMN4002F5,AU0521P0,CM180N10AGB,CM80N10GF5,CM2305TW,CM5N65TF,CM5N65TP,CMN3003GF5,AR3324P5,AU0581P1A,AR1811P1A,CMN3004AF5,AU0521P4-3,AU0561D5,SMBJ15CA,AR0524P5B,AR0541P0S,CM7N65TP,AR3621P0,AR3621P1,AU0581P1H,AR0524P5L,AU1811P1,AR3621P6,CM65R550D,CM65R550F,CM7N65TF,APO3605,AR1811P0A,AR0541P1,CMN6004GLA,CM3401P,AU0521PZ,AU0701P4-3,AR1821P1,SMBJ26CA,CM65R550FF,ASD05C,APL0501A,APL0501B,AU0781D1F,AU0581P6,SMBJ26A,SRV05-4L,AU0581P1,AU1571P6,CM65R550FP,AR3311D3U,AU2804S8,CMN301R5F5,AR0504S2L,AR0504S2,AR0504S2A,ASRV05-4,SMBJ15A,AU0701P1,ASM24CLV,AR0521P0LV,ASM05C,AR0504P3,AU4501P4-3L,CMN3013F3D,AR5051P1,CM2302BH,AU0571D1F,CMN1003GXP,CM80N10LGF5,AU0791P1,CM65R310XF,AU0561P0,AU0561P1,CMP3007F5,CM3400,AR2421P1,AU0771D3,AR2421P0,APL0501 SERIES,AU0761D1F-T,CM65R310XP,CMP3007F3,AR0521D5,AU0511P0,AU0521M1,AU0591P1A,CM180N10GP,CM3407,AU0971P6,S4MF7.0CA,AST24CL,AU6351P1,CM65R550P,AU0771D1F,CM65R550U,AR0511D3,CM2N7002D,CM10N65TF,SMF15CA,CMBSS138,CM65R030FZ,CM4407,AU1571D3,CM10N65TP,AR0541P1SC,CMN6003GLA,ASM24CH,AU0581D3H,ASD05CL,AR3304P5,ASM24CL,AU4581P6H,CM65R640XP,AU3321P0,SMF7.0CA,AU2461D1F-T,APL0501,AR1521P1,AU3321P1,AR0521P1,CMN3010F3,CM65R640XF,CM1601A,AR0521P0,CM65R180F8,AU4501P4-3,AU4581P6,AU1271D1F,AU4581P1,CM60R030FZ,CM3134AK,AR0502S1A,CM65R175P,AU4571D3,CM1662,AR0541P0SC,AR0506PAL,SRV05-4,ASM24C,APO2003,APC2801A,AR3382P6L,APC2801B,SMF7.0A,CM175N10GLB,ASM12H,CM3400NJ,APO3605 SERIES,AU0561M1,AU2401P4-3F,AU2401P4-3D,APO2003 SERIES,CM1623T,AR3311D3,AU1261D1F-T,CM3134BT,AU0721P1,CMN3006F3,AU0721P0,AR1211D3,AR6061P1,CM15N10U,AU4521P4-3,CMN3003TF5,AR3311P0LV,CM65R400XP,AU2401P4-3,AU4581P1H,S4MF7.0A,ASR05,AU0721PZ,AU3361P0,ASM712H,AR3321P0,AR0511P0LV,AR3321P1,SMDJ50CA,AU0701P4-3F,AR3304P5J,AU0781P1,AR1255P4,CM12N65TP,AR0521P1LV,ASM712,AU3361P1,CM12N65TF

选型指南 - 应能微 - 2023/10/27 PDF 中文下载

罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片批量应用于吉利集团电动汽车品牌“极氪”3种主力车型

日前，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块成功应用于“极氪”电动汽车3种车型的主机逆变器上，有助于延长车辆续航距离以及提高性能。

应用方案发布时间 : 2024-08-30

【招聘】大客户销售，负责车规级MCU/碳化硅Mosfet/IGBT/马达驱动/热失控传感器等产品

负责自动驾驶、三电系统、智能汽车、新能源汽车等热门行业；全品类1000+家国内外大牌产品线，数万家行业top级客户资源；全球领先的研发及采购服务平台，国高企业，专精特新企业，行业未来独角兽，发展机遇超多！

招聘信息发布时间 : 2024-08-09

瞻芯电子解读特斯拉Model Y电动汽车Gen-4 主驱逆变器的设计改进和创新

特斯拉Model 3 电动汽车主驱逆变器率先应用碳化硅(SiC) MOSFET，开启了EV动力总成设计的新篇章。本文将比较Model Y和Model 3车型，并列举在主驱逆变器上的主要设计改进和创新。

厂牌及品类发布时间 : 2023-04-11

方舟微（ARK）耗尽型MOSFET/增强型MOSFET/电流调节器选型指南

描述- 成都方舟微电子有限公司成立于2008年，是国内唯一专注耗尽型MOSFET设计的公司。专业从事功率器件的研发、制造与销售,并提供电源管理、电路保护解决方案，ARK可根据客户需求,提供高端定制开发。公司专注于技术创新和应用创新，是以应用为导向不断提升技术水平的行业领军者。以市场需求带动创新研发，以技术发展引导应用升级，是ARK一贯宗旨。产品以集成控制的方式提供具有出众的功率处理和电源管理能力，自主研发的耗尽型MOSFET、SiCFET、PHOTOMOS继电器、IC集成功率器件等系列产品大量用于快充、LED、工业控制、电动汽车、通信电路、物联网、光伏、服务器电源和充电桩等领域。

型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E

选型指南 - 方舟微 - 2024/4/7 PDF 中英文下载

如何找到一款更适合高压BMS解决方案？

电动汽车的电池管理系统（BMS）是电动汽车中用于监测和管理电池系统性能的关键组件，它有助于平衡电池电量，防止过度充电和过度放电，从而确保锂离子电池的安全、可靠和有效运行，同时优化电池的整体效率和寿命。如何找到一款更适合高压BMS解决方案？本文中音特电子来给大家介绍一二。

设计经验发布时间 : 2024-07-13

萨科微海外有分公司/办事处吗?——计划于2024年内在海外设立新的办事处，以进一步加强其全球化战略

萨科微公司计划在2024年内，在全球关键城市如新加坡、伊斯坦布尔、阿姆斯特丹、河内和新德里设立新办事处。这些地点将作为服务当地及周边市场的战略节点，并帮助公司更好地满足东南亚、欧洲、中东及南亚市场的需求。此举不仅展现了萨科微加速国际扩张的决心，也将提升其全球品牌影响力。萨科微提供高端和通用型产品，涵盖SiC二极管、IGBT管、功率器件等，广泛应用于多个行业，包括新能源汽车和智能设备等。

厂牌及品类发布时间 : 2024-08-09

【产品】ROHM降压型DC/DC转换器、车载用接地运算放大器等领先半导体产品助力汽车领域

全球知名半导体制造商罗姆为新能源汽车、汽车小型化轻量化、自动驾驶、人机交互等相关领域提供了SiC功率元器件、小型高效的车载电源IC，无需抗噪音干扰设计的车载运算放大器，车载高清液晶面板用芯片组，车载高清液晶面板用芯片组

新产品发布时间 : 2018-08-14

德欧泰克SiC MOSFET具有1200V VDS和52A连续ID，满足直流快速充电站应用需求

直流快速充电站是电动汽车需要在尽可能短的时间内最大续航里程的理想解决方案。DIOTEC的SiC MOSFET DIF120SIC053功率MOSFET脱颖而出，使这一切成为可能。该MOSFET具1200V VDS和52A连续ID，TO-247-4L封装，并配备开尔文源触点，便于散热器安装，RDS(ON)＜53mΩ。

应用方案发布时间 : 2024-07-18