N沟道增强型MOSFET SK254N03AD，漏极导通电阻不超过1mΩ，连续漏极电流为254A
在设计各类电源产品时，工程师们通常需要面对提升工作效率、减少器件发热以及保持稳定运行等方面的问题。为解决这些问题，時科推出了N沟道增强型MOSFET SK254N03AD，一款N沟道增强模式的低阻抗MOSFET。该器件在满足各种需求的同时，为电源领域的工程师提供了高效的解决方案。
首先，SK254N03AD是一款具有优异性能的MOSFET。其漏源电压VDS为30V，栅源电压为±20V，连续漏极电流ID为254A。采用PDFN5*6封装，这种封装方式不仅紧凑，而且有利于散热，为器件提供了可靠的工作环境。此外，阈值电压VGS(TH)在1~2V之间，而在VGS=10V、IDS=20A的条件下，RDS(ON)不超过1mΩ，这意味着超低阻抗，有效减少导通损耗和开关损耗，从而提高了整体效率。
在SK254N03AD的设计中，時科充分考虑了实际工作环境的影响。在Tc=25°C的条件下，该器件持续漏极电流可达254A，即使在高温环境下(Tc=100℃)，仍可达到160A。这表明SK254N03AD具有稳定可靠的性能，不仅适应常规工作环境，还能应对一些极端条件，保障了设备的长时间运行。
SK254N03AD的广泛应用领域也是产品的亮点之一。该器件被广泛应用于各类电源负载开关以及电机控制等领域。其高开关效率和快速散热特性为电源产品的设计提供了便利，解决了一系列设计难题。同时254A的工作电流使得产品在应用中更加可靠，满足了设计者多样化的需求。
時科的SK254N03AD不仅为工程师们提供了解决方案，而且直接应对了行业痛点。电源产品往往需要在高效率、低发热、稳定运行等多个方面取得平衡，SK254N03AD的问世填补了这方面的空白。其性能优越，稳定可靠的特点，使其成为电源产品设计中的理想选择。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由ll转载自时科 微信公众号，原文标题为:高效、低阻抗、稳定可靠，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
中微半导CMS32M5526电机控制专用SoC凭借卓越性能，再获“年度BLDC电机控制器十大主控芯片”殊荣
2021年11月17日，由全球电子科技领域专业媒体电子发烧友举办的“2021电机控制先进技术研讨会”圆满落幕，在同期举办的2021年BLDC电机技术市场表现奖颁奖典礼上，中微半导体CMS32M5526电机控制专用SoC凭借卓越性能，再获“2021年度BLDC电机控制器十大主控芯片”殊荣！
原厂动态 发布时间 : 2021-11-20
【技术大神】智能电机控制系统应用之MOSFET的选型经验分享
本文结合central的MOSFET管CWDM3011N和CWDM3011P应用，分享了一些自己在选型上积累的经验。
设计经验 发布时间 : 2017-01-13
【技术大神】智能电机控制系统应用之MOSFET的设计经验分享
本文分享笔者采用CWDM3011P和CWDM3011N两款MOSFET管关于三相全桥的分立器件的设计经验。
新应用 发布时间 : 2019-08-29
【产品】采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET AP90N03GD，连续漏极电流可达80A
铨力半导体推出一款采用PDFN5X6-8L封装的N沟道增强型MOSFET——AP90N03GD，采用先进的沟槽技术，具有出色的漏源导通电阻和低栅极电荷特性，无铅产品，适用于PWM应用、负载开关、电源管理等应用。
产品 发布时间 : 2023-05-01
【产品】铨力半导体推出采用先进沟槽技术的无铅N沟道增强型MOSFET AP6802，规格为4A/30V
铨力半导体推出一款N沟道增强型MOSFET——AP6802，漏源电压最大额定值为30V，连续漏极电流最大额定值为4A @Ta=25℃。采用先进的沟槽技术，无铅产品，可应用于接口开关、负载开关、电源管理等应用。
产品 发布时间 : 2023-03-01
【产品】规格为55A/60V的N沟道MOSFET SK50N06A，适用于汽车和直流电机控制等
时科推出的N沟道MOSFET SK50N06A，采用专有的新沟槽技术，低栅极电荷，快恢复体二极管，使其特别适用于汽车、直流电机控制和D类放大器等应用。
产品 发布时间 : 2022-09-20
【产品】高电流、高能效的N沟道增强型MOSFET，能量敏感型应用理想选择
Central的CMPDM203NH是一款SOT-23F封装的N沟道增强型MOSFET，是需要更高漏极电流的能量敏感型应用的理想选择。
新产品 发布时间 : 2017-10-17
【产品】30V/5.8A的N沟道增强型MOSFET AP3400A，适用于接口开关、负载开关、电源管理等
铨力半导体采用SOT23-3封装的N沟道增强型MOSFET——AP3400A，采用先进沟槽技术，漏源电压最大额定值30V，连续漏极电流最大额定值5.8A（Ta=25℃），无铅产品，适用于接口开关、负载开关、电源管理等应用。
产品 发布时间 : 2023-04-30
【产品】N沟道增强型MOSFET CMUDM7004，与CMUDM8004 P沟道增强型MOSFET互补
Central 的CMUDM7004 具有低栅极门槛电压0.5V，导通阻抗0.39Ω， ESD防护电压2kV，栅极总电荷0.15nC，应用在高速脉冲放大器、开关电源、供电变换器电路、电源管理、电机控制等产品中。与同系列的P沟道增强型MOSFET器件CMUDM8004紧密匹配。使它们成为了一对互补应用场合的理想MOSFET。
新产品 发布时间 : 2017-10-31
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论