280A电流承载力的MOSFET DI280N10TL用于电池供电电锯,在制作圣诞树时享受宁静森林
用于低噪音电池供电的电锯
圣诞节就要到了,到处都能听到电锯切割新鲜树木的声音,这些树木为我们的房间带来节日的气氛。对于这种林业工艺,如砍圣诞树,电池动力工具非常适用。它们功能强大,经久耐用,足以切割许多小冷杉,只产生非常低的噪音,而且相对油锯来说,根本没有废气。后两者对用户来说尤其有益,因为他们不需要防护耳罩,并且可以让他们一直呼吸新鲜的空气。在树林里散步的人们可以享受宁静,不受传统电锯噪音的打扰。但是,对于做小型DIY项目的日常消费者和木工行业的建筑专业人士也喜欢电池供电的电锯。原因完全相同:低噪音,且没有排废气。
电动工具的设计往往要求很高的灵活性,并有严格的功率和安全要求。无线电动工具必须能够在紧凑的尺寸下提供高效率,而不牺牲性能或易用性。
高额定电流的MOSFET允许增加电流承载能力,同时能够承受启动、堵转和制动时的高浪涌电流。先进的技术将提供最先进的低RDSon,优化的电荷比,以及行业内高性能应用的最佳参数。选择合适的MOSFET对于电子设计工程师来说是一个挑战。它们必须满足各种参数,但整个元件必须避免热耗散,具有低的开关损耗,并尽可能消耗少的功率。
为了满足这些条件,德欧泰克的DI280N10TL是一款280A/100V的N沟道MOSFET,可以提供高达280A的最大电流承载能力,需要较少的并联连接。其导通电阻非常低(典型值为1.6毫欧),有助于改善MOSFET的散热性能,减小MOSFET的体积,提高MOSFET的功率密度。
技术数据Technical data
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型: Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]:-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]:150~175、Power Dissipation Ptot [W]:0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]:-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]:-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]:0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]:-10~10、Turn-OnTime ton[ns]:3~1206、Turn-Off Time toff[ns]:7~991
产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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5
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1
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10
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10
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10
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选型表 - DIOTEC 立即选型
DIT110N08 N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DIT110N08型N沟道功率MOSFET的特性、应用领域和相关数据。该器件采用先进的 trench 技术制造,具有低导通电阻、快速开关时间和低栅极电荷等特点,适用于直流转换器、电源供应、直流驱动器和电动工具等领域。
型号- DIT110N08,DIT110N08-Q,DIT110N08-AQ
DI110N04PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI110N04PQ型号的N-Channel Power MOSFET(N-沟道功率MOSFET)的特性、参数和应用领域。该器件具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷和良好的热性能,适用于DC/DC转换器、电源、电机驱动、电动工具、同步整流器等商业和工业应用。
型号- DI110N04PQ,DI110N04PQ-AQ
DI280N10TL N沟道功率MOSFET
描述- 该资料介绍了DI280N10TL型号的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的特性。它是一种高性能的电子元件,适用于各种电源转换器和工业应用。资料详细说明了其静态和动态特性,包括导通电阻、开关时间、漏极电流、阈值电压等关键参数。
型号- DI280N10TL,DI280N10TL-Q
DI045N10PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI045N10PQ型号的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的特性。内容包括静态和动态特性、热特性、尺寸数据、典型输出特性等,适用于直流/直流转换器、电源供应、直流驱动、电动工具、同步整流器和商业/工业级应用。
型号- DI045N10PQ-AQ,DI045N10PQ,DI045N10PQ-Q
DI255N04PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI255N04PQ型号的N-Channel Power MOSFET(N-沟道功率MOSFET)的特性、参数和应用领域。产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点,适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动、电动工具、同步整流器等应用。
型号- DI255N04PQ
DI025N20PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI025N20PQ型号的N-Channel Power MOSFET(N-沟道功率MOSFET)的特性、应用领域和机械数据。产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点,适用于DC/DC转换器、电源、驱动器、电动工具和同步整流器等领域。
型号- DI025N20PQ
DI318N06PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI318N06PQ型号的N-Channel Power MOSFET(N-通道功率MOSFET)的特性,包括其静态和动态特性、热特性、封装类型以及应用领域。资料还提供了产品的最大额定值、电气参数和机械数据。
型号- DI318N06PQ
DI350N08TL-AQ N沟道功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了DI350N08TL-AQ型号的N-Channel Power MOSFET(N-沟道功率MOSFET)的特性,包括其静态和动态特性、热特性、封装信息以及应用领域。该产品适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动器、电动工具等商业和工业应用。
型号- DI350N08TL-AQ
DI120N04PQ-AQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI120N04PQ-AQ型号的N-Channel Power MOSFET(N-沟道功率MOSFET)的特性、应用领域和机械数据。产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点,适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动器、电动工具和同步整流器等领域。
型号- DI120N04PQ-AQ
DI145N04PQ N沟道功率MOSFET
描述- 本资料介绍了DI145N04PQ型号的N-Channel Power MOSFET(N-沟道功率MOSFET)。该器件具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点,适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动、电动工具、同步整流器等应用领域。
型号- DI145N04PQ-Q,DI145N04PQ,DI145N04PQ-AQ
DI3A0N120D2 N沟道功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了DI3A0N120D2型号的N-Channel Power MOSFET(N-沟道功率MOSFET)的特性,包括其静态和动态特性、热特性、封装尺寸以及应用领域。资料还提供了产品的最大额定值、电气参数和机械数据。
型号- DI3A0N120D2
DI011N06PQK N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI011N06PQK型号的N-Channel Power MOSFET(N-通道功率MOSFET)的特性、应用领域和机械数据。该产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点,适用于DC/DC转换器、电源、电机驱动、电动工具和同步整流器等领域。
型号- DI011N06PQK
DI200N04PQ N沟道功率MOSFET
描述- 本资料详细介绍了DI200N04PQ型号的N-Channel Power MOSFET(N-沟道功率MOSFET)的特性、应用领域和机械数据。该产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点,适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动、电动工具、同步整流器等应用。
型号- DI200N04PQ,DI200N04PQ-Q
DI160N04PQ N沟道功率MOSFET
描述- 该资料详细介绍了DI160N04PQ型号的N-Channel Power MOSFET(N-沟道功率MOSFET)的特性、参数和应用领域。该产品具有低导通电阻、快速开关时间、低栅极电荷等特点,适用于DC/DC转换器、电源、直流驱动、电动工具、同步整流器等应用。
型号- DI160N04PQ,DI160N04PQ-Q
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
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