一文秒懂IGBT的工作原理及测试
一、IGBT工作原理
1、什么是IGBT
图 1
IGBT:IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅双极型晶体管,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
二、IGBT工作原理
由于IGBT既可用作BJT又可用作MOS管,因此它实现的放大量是其输出信号和控制输入信号之间的比率。对于传统的BJT,增益量与输出电流与输入电流的比率大致相同,我们将其称为Beta并表示为β。另一方面,对于MOS管,没有输入电流,因为栅极端子是主通道承载电流的隔离。我们通过将输出电流变化除以输入电压变化来确定IGBT的增益。
如下图所示,当集电极相对于发射极处于正电位时,N沟道IGBT导通,而栅极相对于发射极也处于足够的正电位(>VGET)。这种情况导致在栅极正下方形成反型层,从而形成沟道,并且电流开始从集电极流向发射极。IGBT中的集电极电流Ic由两个分量Ie和Ih组成。Ie是由于注入的电子通过注入层、漂移层和最终形成的沟道从集电极流向发射极的电流。Ih是通过Q1和体电阻Rb从集电极流向发射极的空穴电流。因此尽管Ih几乎可以忽略不计,因此Ic≈Ie。在IGBT中观察到一种特殊现象,称为IGBT的闩锁。这发生在集电极电流超过某个阈值(ICE)。在这种情况下,寄生晶闸管被锁定,栅极端子失去对集电极电流的控制,即使栅极电位降低到VGET以下,IGBT也无法关闭。现在要关断IGBT,我们需要典型的换流电路,例如晶闸管强制换流的情况。如果不尽快关闭设备,可能会损坏设备。
集电极电流公式1
下图很好地解释IGBT的工作原理,描述了 IGBT 的整个器件工作范围。
图 2 IGBT的工作原理图
IGBT 仅在栅极端子上有电压供应时工作,它是栅极电压,即VG。如上图所示,一旦存在栅极电压 ( VG ) ,栅极电流 ( IG ) 就会增加,然后它会增加栅极-发射极电压 ( VGE )。因此,栅极-发射极电压增加了集电极电流 ( IC )。因此,集电极电流 ( IC ) 降低了集电极到发射极电压 ( VCE )。
图 3
三、IGBT功率半导体器件主要测试参数
近年来IGBT成为电力电子领域中尤为瞩目的电力电子器件,并得到越来越广泛的应用,那么IGBT的测试就变的尤为重要了。IGBT的测试包括静态参数测试、动态参数测试、功率循环、HTRB可靠性测试等,这些测试中最基本的测试就是静态参数测试。
表 1
IGBT静态参数主要包含:栅极-发射极阈值电压VGE(th)、栅极-发射极漏电流IGEs、集电极-发射极截止电流ICEs、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)、续流二极管压降VF、输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Crss。只有保证IGBT的静态参数没有问题的情况下,才进行像动态参数(开关时间、开关损耗、续流二极管的反向恢复)、功率循环、HTRB可靠性方面进行测试。
图 4
四、IGBT功率半导体器件测试难点
IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体 器件,兼有高输入阻抗和低导通压降两方面的优点;同时IGBT芯片属于电力电子芯片,需要工作在大电流、 高电压、高频率的环境下,对芯片的可靠性要求较高。
这给IGBT测试带来了一定的困难:
1、IGBT是多端口器件,需要多种仪表协同测试;
2、IGBT的漏电流越小越好,需要高精度的设备进行测试;
3、IGBT的电流输出能力很强,测试时需要快速注入1000A级电流,并完成压降的釆样;
4、IGBT耐压较高,一般从几千到一万伏不等,需要测量仪器具备高压输出和高压下nA级漏电流测试的能力;
5、由于IGBT工作在强电流下,自加热效应明显,严重时容易造成器件烧毁,需要提供μs级电流脉冲信号减少器件自加热效应;
6、输入输出电容对器件的开关性能影响很大,不同电压下器件等效结电容不同,C-V测试十分有必要。
图 5
五、测试总结
完成功率半导体器件的完整参数测试,包括IV,CV和Qg,支持在高低温条件下进行参数测试;测试全自动化,B1506A将所有的接线切换通过开关矩阵实现,实现了测量的自动化,既能保证测试精度和重复性,同时极大的提升了测量速度;可以建立Datasheet Characterization测试模板,测试结果可以输出测试数据、Datasheet报告和数据汇总等。
文章来源:功率半导体生态圈
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由三年不鸣转载自芯长征科技公众号,原文标题为:IGBT工作原理及测试,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
一文看懂MOSFET数据表,快速找到核心数据为己所用
我们将试着破解FET数据表,这样的话,读者就能够很轻松地找到和辨别那些对于他们的应用来说,是最常见的数据,而不会被不同的生产商为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。
设计经验 发布时间 : 2024-03-29
一文探讨SiC碳化硅单晶的生长
自其发现至今,碳化硅一直深受人们的广泛关注。碳化硅是由各占一半的Si原子和C原子共同组成,通过共享sp3杂化轨道的电子对,以共价键连接形成。在其单晶的基本结构单元中,4个Si原子按正四面体结构排列,C原子位于该正四面体的中心,反之也可将Si原子看作四面体中心,以此形成SiC4或CSi4的四面体结构。SiC中的共价键离子性较强,硅碳键能很高,约为4.47eV。
设计经验 发布时间 : 2024-03-06
SiC功率器件的可靠性和标准化
SiC功率MOSFET和肖特基二极管正在快速应用于电力电子转换半导体 (PECS) 应用,例如电动汽车充电和牵引、储能系统和工业电源。SiC 功率 MOSFET已在电动汽车车载充电器中得到广泛应用,并且在非车载充电器中也越来越受欢迎。与当前逆变器中的 Si IGBT 解决方案相比,这些器件为纯电动汽车带来了改善逆变器续航里程和/或降低成本的优势。
设计经验 发布时间 : 2024-02-26
国际领先的功率半导体器件标杆品牌——芯长征科技(Marching Power)
芯长征(Marching Power)集团是国内领先的先进功率芯片产业生态公司,创始团队由中科院、国内外行业资深专家及高级管理人才共同组成,在功率器件领域深耕20年以上。经过多年高速发展,已经形成芯片设计、模组封装、检测设备自主可控的Virtual-IDM企业,主要面向新能源(汽车、光伏、储能、电能质量)、工控类、消费类三大领域。
品牌简介 发布时间 : 2023-11-09
什么是逆变器,为什么它在新能源汽车产业中如此重要?
逆变器是把直流电(如由电池、蓄电瓶产生)转变成交流电(如220V,50Hz正弦波),且频率可调的一种器件。本文介绍逆变器的原理和应用。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-23
GaN的致命弱点
随着世界在半导体领域寻找新的机遇,氮化镓作为未来电源和射频应用的潜在候选者继续脱颖而出。然而,尽管它提供了所有好处,但它仍然面临着重大挑战;没有P型(P-type)产品。为什么GaN被誉为下一个主要半导体材料,为什么缺乏P型GaN器件是一个主要缺点,这对未来的设计意味着什么?本文中芯长征科技就来为大家解析一二。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-31
碳化硅单晶衬底的常用检测技术何如保证功率半导体器件的性能?
在半导体产业链中,衬底材料作为晶圆制造的基础,不仅提供物理支撑,还负责导热和导电。特别是在SiC功率半导体器件中,由于采用了同质外延技术,衬底的质量直接影响外延材料的品质,进而决定了功率半导体器件的性能。鉴于SiC衬底在半导体器件制造中的重要性,其质量检测是确保器件性能的关键环节。本文简要介绍下SiC单晶衬底常用的检测技术。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-26
芯长征科技IGBT选型表
芯长征科技提供以下参数的IGBT单管、IGBT模块、PIM模块:VCE(V):650~1700;Ic@100℃ max(A):6~950;Vcesat@25℃ typ(V) :1.14~2.89;Eon(mJ):0.129~153.1;Eoff(mJ):0.129~179;Package:TO-247、TO-220、TO-263、TO-220F/TO-220/TO-263、TO-247 plus等多种封装
产品型号
|
品类
|
VCE(V)
|
Ic@100℃ max(A)
|
Vcesat@25℃ typ(V)
|
Eon(mJ)
|
Eoff(mJ)
|
Package
|
MPBX6N65ESF
|
IGBT单管
|
650
|
6
|
1.4
|
0.129
|
0.129
|
TO-252
|
选型表 - 芯长征科技 立即选型
对2023年半导体销量排名和市值的思考
2023年的半导体市场由于内存不景气,整体以负增长告终。在半导体制造商的销售排名中,英伟达占据了第一位。另一家研究公司Gartner表示,在2023年的速报排名中,英特尔时隔三年重返榜首,而英伟达则从第12名跃升至第5名。不过,考虑到英伟达最近的势头,在排名中,英伟达很可能成为威胁英特尔和三星的存在。本文,芯长征科技想比较半导体销售额排名前十的公司的市值,并讨论每家公司的现状和期望。
行业资讯 发布时间 : 2024-03-30
igbt芯片、igbt单管、igbt模块、igbt器件等这些的区别是什么?
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种高压、高电流功率半导体器件,常被用于大功率应用中,如电动汽车、工业电机驱动、UPS等。在理解IGBT芯片、IGBT单管、IGBT模块和IGBT器件之前,本文中芯长征科技先来介绍一下IGBT的基本工作原理和应用特点。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-27
氮化镓功率器件外延技术的发展
氮化镓(GaN)功率器件的优点包括低寄生电容和特定的导通电阻,从而大大改善了功率转换应用中的关键导通和开关损耗品质因数,以及能够在更高的频率下运行,从而缩小了系统尺寸和成本。在本文中,芯长征科技将总结一些与氮化镓功率器件外延相关的重要专利申请,这些专利申请可能会将这些优势扩展到更广泛的应用领域。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-28
一文解析IGBT的“膝电压“
本文中,芯长征科技来为大家解析IGBT的“膝电压“,希望对各位工程师朋友有所帮助。本文中主要聊了什么是IGBT的膝电压,同时也可以说明另一个小问题,“为什么IGBT的传输特性曲线不是从0V开始,而MOSFET的是从0V开始”。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-29
特斯拉的自动驾驶技术优势分析
特斯拉采用全摄像头自动驾驶策略,并拥有数百万辆实车实时收集数据,通过海量数据训练神经网络,使得他们是唯一一个可供消费者购买的可扩展自动驾驶解决方案。特斯拉的FSDBeta技术已经表现出比人类监督更安全的规模优势,且其独特的生产方式和垂直整合带来了巨大的竞争优势。该公司是非常特别的,员工们热情地为了拯救世界而工作,这使得他们能够比其他公司更快地实现目标。
行业资讯 发布时间 : 2024-01-17
碳化硅外延生长炉的技术路线有哪些不同?
碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工,需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆,这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现,高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础,外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-03
三电平逆变器基本介绍,不同的拓扑对UPS具有不同的影响
对于不同功率等级的UPS而言,选取哪一种拓扑结构同样取决于设计者的指导思想,即若希望提高机器效率,降低损耗,则选取T字型拓扑是比较好的选择;若希望降低开关管应力,采用耐压低的开关管,那么I字型电路是比较好的选择(当然,I字型电路当中会增加两个二极管,这会使得需要更大的空间以及更大的散热器面积,这一点在选择I字型拓扑时应加以权衡)
技术探讨 发布时间 : 2024-03-29
登录 | 立即注册
提交评论