关于碳化硅MOSFET驱动电路的详细分析

时间： 2024-02-21 来源：SLKOR官网

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这篇文章我们重点讨论一下碳化硅MOSFET的驱动电路的设计考虑。包括碳化硅MOSFET隔离驱动要求、碳化硅MOSFET的驱动电流及驱动损耗计算、碳化硅MOSFET的驱动电流PCBlayout基本原则、碳化硅MOSFET的并联设计考虑、碳化硅MOSFET的寄生开通效应及改善措施、碳化硅MOSFET在短路保护上的考虑和碳化硅MOSFET功率器件封装上的考虑等内容。

一.碳化硅MOSFET隔离驱动要求

碳化硅MOSFET一般用于高压，大功率电源应用，这种电源由于系统要求需要做原副边的隔离，所以通过变压器从一边到另一边传递能量，而控制器一般放在其中一边，比如副边，驱动原边的碳化硅MOSFET的时候就需要通过隔离方式的驱动将副边控制器发出的驱动信号，传递到原边，去驱动它。

采用隔离方式，可以对原边的高压电路的地和副边控制器的地，进行独立的设计，避免高压电路对低压控制电路的损坏，同时，一些不希望的交流或者直流信号也不会从高压侧传递到低压侧，提高驱动电路的可靠性。这是碳化硅驱动电路的一个典型的要求。

比较传统的隔离方式是光耦隔离，具有比较好的抑制瞬态和噪声的能力，但是缺点是光耦的增益随着时间会变化。另一种常见的隔离方式是磁隔离，但是在磁场环境中，应用会受到一定的限制。容性隔离也是较常见的隔离方式，对高压及外部磁场的敏感度方面都有很大优势，同时也支持快速开关运行，保持较小的延时。对于不同隔离方式的产品后续有机会再进行讨论。

二.碳化硅MOSFET的驱动电流及驱动损耗计算

在高压，大功率应用中，为了减小开关损耗，对驱动能力的要求更高，所以，对驱动器的驱动能力需要去提前评估。一般来说，对于一定开关频率freq下，碳化硅MOSFET的门级电荷为Qg时，其对驱动电流的要求是freq×Qg，我们可以按照这个原则去对驱动芯片驱动能力做初步筛选。

进一步的，假设所需要驱动的碳化硅MOSFET并联个数为N，每一个MOSFET的门级电荷为Qg，其门级驱动电压为VGS,则总的驱动功率为freq×N×VGS×Qg，我们可以据此进行驱动损耗的估算。

在高压及大功率应用下，一般碳化硅MOSFET的漏极的电压DV/DT会很大，可以达到150V/nS，因此对于驱动器，希望它能够驱动更高频率，以[敏感词]电流驱动器件的运行，所以一般建议保持最小的门级驱动输出电阻，同时在高压下，注意选择CMTI(Common mode transient immunity)更大的产品。特殊情况下，需要进对驱动器输出电阻行一定的优化，我们后续会介绍。

三.碳化硅MOSFET的驱动电流PCBlayout基本原则

在进行碳化硅MOSFET驱动电路时，也有一些类似于普通功率器件的layout原则需要注意，我们先来大致回顾一下。从寄生电感影响的角度来谈的话，一般地，建议将碳化硅MOSFET器件和其驱动器线路尽量靠近，这样就会减小门级驱动回路上的寄生电感。另外，尽量减小功率回路上的走线寄生电感，避免MOSFET开关在关断时产生电压尖峰和噪声。

从寄生电容影响的角度来谈的话，开关节点对地或者对固定电平地layout产生的寄生电容越大的话，会增加开关损耗，所以尽量避免在Layout时PCB层间耦合电容较大。另外，尽量减小开关节点和信号线路或者电压总线的重叠，避免通过PCB层间容性耦合影响信号线路。

从磁场干扰的角度去分析，功率电流回路会产生高频磁场干扰，磁元件也会产生高频磁场干扰，一般尽量避免磁场对敏感信号线路的重叠或者空间上靠近，确保信号线路不受干扰。涉及到驱动线路的例子，如功率开关回路和驱动信号线之间就需要注意此问题。

四.碳化硅MOSFET的并联设计考虑

大功率应用中，为了扩大功率，一般会涉及到MOSFET的并联，这在SiMOSFET的时代就是一个很成熟的用法，不管是模块电源中的低压MOSFET，还是高压大功率电源中的650V及以上的高压MOSFET。在碳化硅MOSFET上，有一些设计方面需要特殊注意，接下来，我们会进行详细讨论。

并联碳化硅MOSFET主要需要注意的问题是如何能够很好的均流，因为只有很好的均流，才能让损耗和热量均衡，不至于超过其峰值电流限定或者热保护限定。这里的均衡既包含稳态，也包含瞬态。其中涉及到的主要因素是器件个体Rdson及驱动开通门限VGS-th的差异，器件驱动电压的不平衡，PCBlayout的不对称等。

一个不均衡的因素就是并联的碳化硅MOSFET器件的个体的导通电阻Rdson的不同导致的不均流，这会直接导致每一个器件上的电流不同，Rdson小的必然承担更大的电流，从而导通损耗不相同。计算一下，如果Rdson有20%的变化，则较小导通阻抗的MOSFET会承担1.5倍于较大导通阻抗的MOSFET的电流，所以二者的电流差异非常明显。除了导通损耗的差异，由于稳态电流差异，则其在开关切换时的关断电流也基于稳态电流有一定的差异，所以，造成一定的关断损耗差异，如图1，两个1200V的50A的碳化硅MOSFET并联测试关断损耗归一化数据，所示。这里两个器件的Vds规格，VGS-th规格基本一致，但是Rdson相差20%。

图1 高压碳化硅关断损耗不均衡测试-Rdson不同

类似于硅MOSFET的导通电阻正温度系数的特性，碳化硅MOSFET也是如此，所以温度越高，导通阻抗越大，承担电流越小，这个特性对不均衡来说，是阻碍不均衡的，原本由于Rdson不均衡承担较多电流的器件，会由于温度升高，阻抗变大，从而承担的电流减小，所以，这是一个好的方面。

导致电流不均衡的第二个因素是碳化硅MOSFET的导通门限电压VGS-th，如果并联的两个器件的导通门限不同，对于同样的驱动信号，则导通门限较小的器件先开通，而关断时这个器件后关断，这就造成在并联的不同的器件上的损耗或者能量不均衡。

而在事实上，VGS-th这个参数随温度变化是负温度系数，也就是说温度越高，导通门限越低，所以，由于VGS-th不同导致的其中一个器件偏热，随着长时间运行，这个偏热的器件，对应的VGS-th会更低，从而开关切换时间更长而变得更热，这对于不均衡来说就是一个不利的方面。所以，如果在轻载时，或者以开关损耗为主导的应用中，若VGS-th差异较大，特别容易发生热失控。

图2 高压碳化硅关断损耗不均衡测试-VGS-th不同

从上图2中，可以看到两个1200V,50A的高压碳化硅并联由于一定的VGS-th差异（700mV）,而产生较大的关断损耗。VGS-th差异造成的导通损耗差异影响较小，因为Rds-on本身的正温度系数因素，这部分损耗差异可以得到一定补偿。

导致不平衡的第三个方面，主要是驱动电路方面的因素，一般的，为了减小开关损耗，希望以最快的速度开关器件，但是还要考虑门级震荡问题，门级驱动电阻Rg和驱动线路的方式，对这些问题非常重要。

图3 并联开关器件的不同门级驱动方式

门级驱动线路，一般有以上几种推荐方式，[敏感词]种共用门级电阻的方式，不考虑其它不均流因素的情况下（如Rds-on，VGS-th等），其驱动信号同时到达，因此容易均流，但是共用驱动电阻会产生的RLC谐振容易产生门级震荡。第二种方式，由于采取了分别的门级驱动电阻，不易产生门级震荡，但是由于电阻差异，容易产生电流不均衡。所以比较推荐的方式，是采用第三种方式，既有共用的门级电阻，又有分别的驱动电阻，综合[敏感词]种和第二种方式，得到比较好的效果。

影响并联均衡的第四个因素主要是layout造成的源极和漏极寄生电感的不平衡，如图4所示，Ld和Ls分别是器件漏极和源极的寄生电感。

图4 并联器件的寄生电感

其中，Ls寄生电感，即源极寄生电感不平衡，是导致并联器件不均衡电流的主要因素，而漏极电感对漏极电压应力有比较大的影响，不在我们本次讨论范围内。所以，一般建议，尽可能地设计源极走线对称，让源极寄生电感对称，或者减小其不匹配度，以避免电流不均衡。

图5 并联器件a)无单独源极连接b)有单独源极连接

当器件进行开关切换时，较大的di/dt在源极寄生电感Ls上产生的电压会反馈给门级驱动回路，所以当不采用如图5，b所示的单独源极连接时，会产生源极电压的不平衡，会产生额外的开关损耗，也会导致一定的门级震荡电压。当采取了如图5，b所示的单独源极连接后，可以不用考虑Ls反馈电压的影响，驱动信号不会加在源极寄生电感上。

图6 开关损耗主导时的并联时器件关断损耗

在图6所示的图上，我们可知，当开关损耗占主导时，单个非并联器件的关断损耗之和是比二者并联后总关断损耗小的，从这个意义上讲，开关损耗占主导时，并联对减小损耗意义不大，但是可以有效的平均热量分布。经过上述分析，我们可知，当开关损耗占主导时，由于没有Rds-on的正温度系数的平衡作用，若发生电流不平衡，则很容易发生热失控。

图7 减小并联器件的门级震荡电压及均流电路

如果条件允许，如果没有单独的源极驱动连接时，可以在并联器件的源极增加1ohm的串联电阻，以实现动态均流，这可以减小大的漏极电流的di/dt，门级的串联电阻RGoff，可以改善由于源极不平衡寄生电感造成的寄生震荡。

五.碳化硅MOSFET的寄生开通效应及改善措施

在前一篇文章中，我们也简要分析过半桥结构的碳化硅MOSFET的门级驱动波形一般要求，会考虑用负电压去做可靠关断，以避免较小的门级导通门限的影响，及一些不期望的门级耦合尖峰电压出现导致的误开通，但是一般碳化硅MOSFET的负电压耐压规格不像硅MOSFET那么大，所以使用需要严格遵守规格且考虑一定的裕量。在具体正/负电压驱动的实施上，有多种方法可以实现，如多路隔离DC/DC电源，或者带隔离DC/DC的隔离驱动器IC等。

事实上，在用于大功率电路的典型的桥式电路拓扑中，半桥结构是基本的拓扑单元，如图8所示，当上管开通时即下管关断时，由于开关节点产生较大的dV/dT，所以这个电压会通过碳化硅寄生电容CGD耦合到门级一个电压脉冲，这个电压脉冲一旦超过MOSFET的门级开通门限VGS-th值，就会产生误开通，而我们知道VGS-th又是负温度系数变化，温度越高，门限越低，所以在高温下会恶化这一点。一旦发生下管误开通，那么势必会产生上下管的短路直通，造成损耗增加。

图8 快速的漏极dV/dT导致的米勒开通效应

对于门级的尖峰电压，分为两种情况，上管开通下管关断时，由于下管会有由低到高的快速dV/dT产生，所以如图9所示，节点电压通过CGD电容产生米勒充电电流，进而流过驱动器的输出电阻在门级产生一个正的瞬态电压，如图9所示。

图9 正的dV/dT电压产生正的门级尖峰

图10 负的dV/dT产生反向门级尖峰

门级尖峰的另一种情况，是当上管关断即下管开通时，开关节点产生由高到低的dV/dT,因此会产生反向的米勒充电电流，进而流过驱动器的输出电阻，在门级产生负的电压尖峰，这种情况需要注意负电压尖峰是否超过负电压耐压规格。

图11 器件寄生电容导致的正负门级尖峰电压

从图11上所知，下管驱动信号开通前的门级震荡主要是负电压，这部分电压主要考虑对门级负电压规格的限制，而下管驱动信号关断后的门级震荡主要是正电压，这部分电压主要会造成半桥短路问题，所以需要重点考虑。

寄生效应开通的原因我们解释清楚了，那么，抑制这种效应的方式有哪些呢？通常来说，寄生效应开通是由于漏极的dV/dT较大而引起，所以限制dV/dT的变化率是一种抑制寄生开通效应的方式，但是这又和减小开关损耗的目标相矛盾。

另外，在外部因素上，选择低下拉电阻的驱动器及设置低关断电阻RGoff，这样可以让米勒电流通过较低的阻抗通路，减小感应电压的幅值。当然，像前一篇文章提到的，假如采用负电压门级关断电压，也可以有效避免下管误开通。

图12 低阻抗关断回路电阻

在器件本身上做文章，比如选择CGS电容远大于CGD电容的碳化硅MOSFET,这样通过米勒电容的电流给门级电容充电就变得比较弱，如图13所示，当然，也可以人为在门级并联一个小电容，以减小米勒电容对门级电容的充电效应，如图14所示，但是也会带来更多的开关及驱动损耗。公开数据表明，高压应用下，CGS和CGD的比例会比低压应用下更大，所以更利于高压应用。

图13MOSFET寄生电容示意图

图14 增加门级电容避免寄生开通

另一种有效的方法是，采用米勒钳位电路，当检测到门级电压关断尖峰后，开启米勒钳位电路，将门级电压钳位到GND,从而米勒电流不会通过驱动器输出电阻将门级电压抬高，这样就可以使用0V电压关断碳化硅MOSFET,不需要使用负压关断，如图15所示，为VCLAMP电路，一般这部分电路可以集成在驱动芯片中。

图15 米勒钳位电路

六.碳化硅MOSFET在短路保护上的考虑

碳化硅MOSFET的一个重要的参数是短路耐受时间(SCWT),由于这个参数涉及到器件安全，所以需要引起重视。由于碳化硅MOSFET的高电流密度，其芯片占用很小的面积，因此其短路耐受时间小于硅MOSFET，所以需要进行及时保护。

对于1个1200V耐压的TO247封装的碳化硅MOSFET,在700V的条件下，18V VGS驱动电压，其短路耐受时间为8-10uS左右。在如此短时间内关断碳化硅MOSFET的话，在漏极会引起非常大的dI/dT,从而导致大的漏极电压尖峰，为了减小电压尖峰，发生短路大电流时，一般建议慢速关断VGS电压。

具体实施上，一般通过电流采样电阻进行[敏感词]采样，对发生短路的碳化硅MOSFET实施退饱和动作，但是这么做的缺点是造成额外损耗，并且采样电路会增加PCB空间，所以仅仅用于小功率的应用，如图16所示。在大功率应用中，一般使用Vds电压作为采样电压去触发过流保护，对器件进行退饱和，但是这种方式精度没有那么高，因为通过Rdson采样电流得到的Vds具有一定的变化范围，如图17所示。

图16 采用Shunt电阻采样的过流保护电路

图17 采样Vds电压采样的过流保护电路

采用Vds采样设计过流保护电路是一个很讲究的事情，因为需要同时兼顾触发保护的及时性，也要避免误触发，对于前者，需要考虑Rdson的最差情况，以及温度等因素。

典型的检测退饱和的时间，一般是在电路开通之后250n-500nS左右检测到信号，而保护关断需要400n-1500nS左右的时间，事实上，需要在未发生饱和时（或者说还未达到电流峰值前），就需要能够检测到电流信号，而不能等到发生饱和时再检测电流信号。

七.碳化硅MOSFET功率器件封装上的考虑

在高压，大功率应用中，会用到如TO220或者TO247等插件封装，因此在使用中，尽可能减小pin脚长度，以减小器件封装带来的寄生电感。

如前面碳化硅MOSFET并联设计中讨论过的一点，通过MOSFET源极单独接线到驱动回路会显著减小开关损耗。究其原因，是由于源极寄生电感会减缓开通过程或者关断过程，增加开关损耗。所以，一般来说，TO247-4的封装会比TO247的封装开关损耗小30%。

具体分析这个过程，我们以半桥的上管为例，如图18所示（将图8搬到此处），当开关导通时，电流为从上到下，且逐步增加，则源极感应电压为上正下负，这个电压会让门级驱动电压减小，因此会减缓开通过程。同样的，当上管关闭时，电流为从上到下，且逐步减小，所以源极感应电压为下正上负，这会增加源极驱动电压，因此会减缓关断过程。这两个状态都会增加开关损耗，因此如果对开关损耗占主导或者较大，则考虑用TO247-4的封装。

图18 源极寄生电感对开关损耗的影响

从封装图上看，如图19所示，TO247-4的封装有一个单独的源极的连接pin3，它和Gate pin相邻，方便施加驱动信号，而漏极pin1和源极pin2的间距很大，这里需要承受Vds高压。而TO247的pin脚安排相对简单，G门级,D漏极,S源极顺序排列。

图19 TO247-4的碳化硅MOSFET封装

图20 TO-247的碳化硅MOSFET封装

图21碳化硅模块的寄生电感的影响

在碳化硅MOSFET模块的不同封装中，合理设计得到较小的寄生电感，则对电压过冲的限制非常有帮助，同时也会尽可能地提高产品运行开关频率。

通过以上七部分内容的讨论，从隔离驱动的基本要求，到驱动损耗计算，从单管寄生开通效应，到多管并联实施，以及相应的layout原则，最后从封装上提醒了若干注意事项。希望大家能对碳化硅MOSFET驱动电路方面的理解更加透彻，方便在实际方案中实施，以充分发挥碳化硅MOSFET的性能。

参考文献

Designrules for paralleling of Silicon Carbide Power MOSFETs

Mitigationtechnique of the SiC MOSFET gate voltage glitches with Miller clamp

10Tings to Know About SiC

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目录- 公司介绍碳化硅场效应管/碳化硅肖基特二极管/场效应管超结场效应管/IGBT单管/可控硅二极管静电保护器件/瞬态抑制二极管三极管/电源IC 运算放大器/达林顿晶体管阵列/整流桥/霍尔传感器光耦/石英晶体谐振器

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BTW69,MB10S,SL25T135FL,BTA26-1000,SL2306,SL2307,MB10F,SL2308,SMCJ440CA,SL2309,SL55X,SL40N60C,SL2310,SL2312,SL3400,SL54X,SL3402,SL3404,SL4614,RS1A,RS1M,SMF5.0CA,SS120F,SL13N50FS,MMBT4401,FMMT591,MMBT4403,SLESDL0603-24,LM317,2N5551,WE07DF-B,MMSZ5259B,SL2016384MXXX,S2MB,SL2301,SL2302,SL53X,SL2305,1SMB5921B,BTB20-600,SL322526MXXX,SL25N10,S2MF,SLESD8D36V,SL252025MXXX,SL201624MXXX,SLESD5Z5.0C,SL201616MXXX,2SK3018W,SL4949,SS52BF,2SB1261,SL10N65F,ZM4727,2SB1132,1SMA4777A,DB307S,SL1609SH,SL8N65F,SL05N06A,GBLC15CI,2SA812,SLESD8D15V,FMMT493,SMDJ170A,FMMT491,WE05DF-BS,2SC3357,SL78LXX,SL1609SL,SMF5.0A,US1AF,SL12020BT,MMBZ5221B,MMDL914,SL1609TH,SL05N06Z,RS2A,SL42764,SL1609TL,SL53N65CT,SS320BF,RS2M,SLESD5Z7V0,FMMT489,UMB10F,GBLC03CI,MM5Z2V0,MMBT5401,BT136-600,SS22,LMV321,SF1006DS,SL403,2N5401,SL6520B,SL12030BT,KBL4005,UMB1F,SMF58CA,SS32,SMBJ5.0,2SK3018,SMBJ170CA,KBL410,BTA60-1200,GBLC12CI,US2AB,SL322512MXXX,WE24DF-B,SS12,SL3N170AP,US2AF,SMF58A,SL503224MXXX,SL50T65FL,SL1619SH,SL322527MXXX,SL42744D,SL1619SL,SS210B,LM321,SLESDL0603-16,SL201632MXXX,GBU410,IRLML6401,BCP51,BCP53,BCP52,BCP55,BCP54,BZX84C43,BCP56,SL1619TH,SL2733,SL1619TL,SL52X,TL432,TL431,SS52,NUP2105LT1G,SL201625MXXX,SL49SM3579M20P-20,SL252026MXXX,BTA80-1200,SLESDL0603-05,BCP68,SLESD8D3V3,MMSZ5221B,TL431B,SL49SM26M20P-20,F1A,TL431A,DB207S,GBLC24CI,SS220F,2N7002E,BT136-800,F1M,SL85XXX,SL4822A,SL76N60CT,MC34063S,PC817,SL18N50F,SL2328A,BT137-600,MMBZ5262B,SM24C,SM36C,LMV358,RS3AB,SS310C,SS310B,DB107S,SM12C,DB301S,SL40T120FL,KBL610,SL40N65CF,SL80N65CTL,SL12005B,GBP4005,SL49SM25M20P-20,SL22N120A,SL002N02K,SLESD5Z24,MMDT2222A,US2MF,SL503225MXXX,US2MB,SL252024MXXX,SLESD3B5CM,SL05N10A,SL12P03S,C945,US2A,BFG520,SL252016MXXX,SL322532MXXX,SL2319A,SL40N65CT,SLESD5Z36,GBU6005,RS2AF,SL9013MXXXX,SS320F,US2M,SL73XX,ULN2803,SD20C,2SB1197K,SL4409N,ZMM2V0,SL12015B,SLESD5.0U035,US1A,SL10N120A,BTA08-600,SL0501,SL8205S,SL75T65FL1,US1M,SL80N120A,BAS316,2SD965A,S8550,SMBJ5.0C,S6AC,M1,BSS123,SL0601,LM2904,M7,SLPESD15VL1BA,LM2902,GBP3005,SL2309A,SLPESD0402M07,BT137-800,MM1Z39B,SLESD9B5.0ST5G,SLPESD0402M05,SMCJ440A,SMAJ5.0CA,SLPESD0402M03,GBU8005,BTA12-600,SLPESD2CAN,SM20C,RS5AB,SS520F,SL201630MXXX,MMDT3904,BSS138,BTA41-1600,FR101,MMDT3906,SL322525MXXX,SM4001PL,FR107,SMDJ5.0CA,BTA06-600,BZT52B51BS,SLPESD0402M18,SL17010BT,SL322530MXXX,SLPESD0402M16,WE12DF-B,SLPESD0402M12,SL15T65FL,MM5Z75,SMDJ5.0A,SL80N10,DB201S,SL54MXXXX,S1A,S5AC,SL12010B,S5AB,2SD1624,SL6206-XXMR,SMCJ5.0CA,S1M,B772,KBL6005,SMBJ170A,MMBT2222A,AMS1117-XX,SL75XX,DB101S,SL322524MXXX,GBP2005,S2A,BT138-600,2SC1815,SL10N10A,SLESD9B3.3S,SL4813A,S2M,SL002P02K,SL50N120A,SL9435A,SL4184,S10AC,SL80N65CT,1SMA4728A,RS5MB,BC857B,SLESD5Z15V,SL6508B,SL4264-2,ZMM200,MMDT2227,SL1625SL,SM08C,SL252030MXXX,SL20N10,GBU4005,SD03C,SD15C,SL1625SH,BC856B,BTA10-800,SL1625TL,SL306X,GBP210,BT169D,SL4284,SL4041,SL1625TH,SL1613SH,ABS2,BTA26-800,SS510B,ABS10,1N4001W,SS510C,SL6506B,S3AC,S3AB,KBP4005,2SC1623,2SC2712,SF1001DS,ES1JF,2SD1781,1SS226,BZT52B43,SL1613TL,SL305X,SS52F,SL1002B,BTA41-800,SD05C,SL4275,SL1613TH,SS52B,SS52C,S10MC,SS525,BT138-800,SLESD2401QC,2SD1898,BZT52C2V4S,SL2333A,SL100N03,DSK220,SL40N60CF,D882,ES2JF,GBP310,SL3N06,SL304X,SLM511,SL10P04S,SL49SM24M20P-20,BT139-600,1SS355,SL4N65F,S2AF,SL503212MXXX,SL3401S,1N4148W,S2AB,C1815,BTA04-600,ABS210,MMBT3904,ES2JB,KBP2005,MMBT3906,SL9945,MAC97A8,SL78XX,SL1623SL,ABS201,SL303X,MAC97A6,BAV99,SL17025BT,SLM501,SL2192,SLPESD0201M24,KBP210,BZT52B3V0BS,SL1623SH,RS1AF,BTA41-1200,SLESD5Z12V,MB1F,SL4407A,1SS181,BC848B,78MXX,SM15C,SS510BF,GBP410,SM03C,MB1S,SL-10XX,SL302X,LL4148,SLM611,SLPESD3V3L1BA,SLESD5Z2V5,SMAJ5.0A,MMBTA05,SL1623TH,MMBTA06,SL20T65FH,SL14N120A,SL1623TL,BT131-600,BC847B,SLPESD12VL1BA,2SC2873,DSK310,SL40T65FL,ES3JC,S8050,ES3JB,BAV70,MMBT2907,MCR100-8,BCX51,BSN20,MMBD4148,BCX53,SL301X,BCX52,BCX55,SLM601,SM18C,SLESD5B5CU,BCX54,SLM600,SL322516MXXX,BAV20W,BCX56,KBP310,SL7603PXXXX,SL2302M,SLESD8H5.0CT5G,IRF640,SL6800C,SL7N65CN,SD12C,SLESD8D5.0C,S9013,SD24C,S9014,S9015,BC846B,SL10N06A,S9012,BT139-800,SL7N65CF,KBP3005,SL7N65CD,MCR100-6,BZT52C2V4,SL7N65CI,SM05C,2N3904,SL3139,SS8550,SMAJ170CA,US1MF,BAV21W,SL8820,S9018,2N3906,SD36C,MM3Z75,BZT52C43S,BTB10-600,MMBTA55,SLW611,RS1MF,SL3134K,SS110,SS32BF,SL11N65CD,1N4007W,SL11N65CF,SL6512B,SL252012MXXX,SL8052A,SL1629SH,MM1W3V3,SL1629SL,KBP410,SL20162712MXXX,SLPESD5V0L1BA,SS22B,1N4148WS,SL60T65FL,1N4148WT,DSK32,SS22F,MMBTA56,SLW601,SM4007PL,MMBTA44,SL6540BT,MMBTA42,SL49SM6M20P-20,SL252040MXXX,SL36N120A,SL12040BT,SL201626MXXX,SL50N06D,SL1629TH,SL50328MXXX,SL827,BT151,BT152,SL1629TL,SL49SM8M20P-20,SL49SM27M20P-20,SL826,DSK22,SL11N65CQ,SL49SM12M20P-20,SL49SM16M20P-20,S6MC,SL49SM10M20P-20,2N7002,M1F,SLPESD0201M05,MMBT6517,SL322540MXXX,GBLC08CI,2SC5824,ES1K,2SC4617,GBU610,SL6510B,BZT52B2V4,SL12N65F,SL1605SH,ULN2001,SL1605SL,MM1W330,BSS84,BZX84C2V4,DSK12,MM3Z2V0,SL9193MXXXX,BAW56,SL21N65CF,ES1AF,SLPESD0201M03,SL25T120FL,BTA24-800,ULN2003,ES2A,SS12F,6N137,SL15N65CD,6N136,SL15N65CF,LM2575,6N135,LM2576,SMAJ170A,SMDJ170CA,SL851,SL252027MXXX,S5MB,SL1605TL,SL503216MXXX,

选型指南 - SLKOR - 2022/10/9 PDF 中文下载

SLKOR（萨科微）专业从事功率元器件的设计、生产和销售。技术骨干来自Infineon英飞凌、三菱、IR、TI德州仪器、ONSEMI安森美等同行业技术领先企业，主要生产MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、SCR、IGBT单管、SiC元器件等。

SIC碳化硅器件高压MOS管中低压MOS管 COOLMOS 碳化硅场效应管碳化硅肖特基二极管场效应管 TVS瞬态抑制二极管 ESD防静电二极管超结场效应管 IGBT单管 IGBT/SIC模块二极管三极管肖特基二极管线性稳压器LDO 霍尔传感器开关二极管可控硅单向可控硅双向可控硅整流桥通用二极管 DC-DC电源芯片驱动IC IC集成电路快恢复二极管电池管理IC 光耦光电二极管运算放大器 RS232芯片达林顿管电压基准芯片开关电源芯片

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萨科微成立时间和地点？2015年，成立地点在深圳

萨科微成立于2015年，成立地点在深圳。萨科微半导体是一家专注于半导体元器件生产与销售的领先企业。自成立以来，萨科微凭借其创新的技术和卓越的产品质量，迅速在行业内树立了良好的声誉，并稳步扩展其市场份额。

厂牌及品类发布时间 : 2024-08-15

SLKOR（萨科微）功率器件/二极管/三极管/电源管理芯片/霍尔传感器/光耦选型指南

描述- 深圳市萨科微半导体有限公司，技术骨干来自清华大学和韩国延世大学，以新材料新工艺新产品引领公司发展，掌握国际领先的第三代半导体碳化硅功率器件技术。萨科微产品包括二极管三极管、功率器件、电源管理芯片等集成电路三大系列。萨科微从一家IP设计公司已发展成为集设计研发、生产制造、销售服务一体化的国家级高新科技企业,“SLKOR”品牌在半导体行业声誉日隆。萨科微官网在展示萨科微产品、宣传“SLKOR”品牌的同时，也开展行业的技术交流、思想碰撞、信息交互、资料查询等，逐渐成为半导体行业内协同发展最重要的平台之一。

型号- BZT52C43S,SS110,MCR00-8,SMCJ440CA,SL11N65CF,MC34063S,ZMM200,PC817,SL2310,SL3400,SL1629SH,SL252030MXXX,RS1A,RS1M,GBU4005,DB107S,1N4148WS,SMF5.0CA,DSK32,SL40T120FL,SL1625SH,MMBT4401,LM317,SL36N120A,SL75T65FL,SL50328MXXX,MMSZ5259B,SL22N120A,SL2301,BT151,GBP210,SL2302,BT169D,SL49SM8M20P-20,1SMB5921B,SL1613SH,S2MF,SL49SM12M20P-20,2N7002,SL201624MXXX,BTA26-800,SL322540MXXX,S3AB,SL4949,GBU610,BFG520,SL252016MXXX,BZT52B2V4,BZT52B43,SL1605SH,ZM4727,1SMA4777A,SL1609SH,BTA41-800,GBU6005,SL21N65CF,SL25T120FL,BTA24-800,SD05C,SL4275,ULN2003,SL1613TH,ES2A,SS525,6N137,6N136,SL15N65CF,WE05DF-BS,ULN2803,BT138-800,SL78LXX,2SC3357,LM2575,6N135,ZMM2V0,LM2576,BZT52C2V4S,US1A,SMF5.0A,SMAJ170A,SL10N120A,S5MB,RS2A,RS2M,MMBT5551,US1M,SL80N120A,S8550,S2AF,SMBJ5.0C,M1,SS22,BSS123,M7,SS310,ABS210,MMBT3904,MMBT3906,SMF58CA,BT137-800,MM1Z39B,ABS201,SMCJ440A,SMAJ5.0CA,BTA12-600,BAV99,SS32,SMBJ5.0,SL1623SH,SMBJ170CA,SL201612MXXX,BSS138,SL322512MXXX,1SMB5956B,FR101,ES2J,SS12,SL3N170AP,1SS181,FR107,SMF58A,78MXX,SL50T65FL,SM15C,SL1619SH,LL4148,MM1Z2V2B,SMAJ5.0A,MMBTA05,SL14N120A,BC817,SS8050,DB201S,SL1615SH,S1A,LM321,S5AB,SMCJ5.0CA,DSK310,GBU410,SS210,BCP51,SL40T65FL,BCP53,S8050,S1M,B772,SMBJ170A,SL28N65A,MMBT2222A,SLM601,BTA16-800,AMS1117-XX,ZM4761,TL431,SS52,NUP2105LT1G,DB101S,SL322524MXXX,SL1603SH,IRF640,SD12C,S9013,GBP2005,SL3407,BZT52C39,SL7N65CD,SMCJ5.0A,BZT52C2V4,SL50N120A,S3MB,MMSZ5221B,SS8550,SL3415,SMAJ170CA,GBLC05CI,BAV21W,LM358S,DB207S,SL80N65CT,1SMA4728A

选型指南 - SLKOR - 2022/10/9 PDF 中文下载

萨科微海外有分公司/办事处吗?——计划于2024年内在海外设立新的办事处，以进一步加强其全球化战略

萨科微公司计划在2024年内，在全球关键城市如新加坡、伊斯坦布尔、阿姆斯特丹、河内和新德里设立新办事处。这些地点将作为服务当地及周边市场的战略节点，并帮助公司更好地满足东南亚、欧洲、中东及南亚市场的需求。此举不仅展现了萨科微加速国际扩张的决心，也将提升其全球品牌影响力。萨科微提供高端和通用型产品，涵盖SiC二极管、IGBT管、功率器件等，广泛应用于多个行业，包括新能源汽车和智能设备等。

厂牌及品类发布时间 : 2024-08-09

【产品】高达3750 VRMS的隔离电压的光耦SLM601，可避免高电压或高电流对其他电路造成损害

光耦SLM601是一款性能稳定、可靠性高的光耦产品，具有广泛的应用领域。光耦SLM601具有高隔离电压、广泛的工作温度范围、环保标准符合要求、高速响应等特点，是一种优秀实用的光耦产品，适用于地线环路消除、LSTTL到TTL、LSTTL或CMOS、线路接收器、数据传输、数据复用、开关电源和脉冲变压器替代等应用场景。

产品发布时间 : 2023-10-04

【产品】采用TO-247-3封装的碳化硅MOSFET SL42N120A，工作结温最高175℃，最大耗散功率300W

萨科微半导体有限公司推出一款采用TO-247-3封装的碳化硅MOSFET SL42N120A，工作结温最高175℃，最大耗散功率300W,可用于光伏逆变器、UPS电源、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源。

产品发布时间 : 2022-04-29

萨科微碳化硅SiC二极管、IGBT管等产品已通过加州65测试、ISO9001、SGS、ROHS和REACH认证

在全球化和市场竞争日益激烈的今天，萨科微始终致力于提供符合[敏感词]标准的产品，并确保消费者的安全和信任。萨科微产品已通过加州65测试、ISO9001、SGS、ROHS和REACH认证，萨科微已经在产品合规性方面迈出了坚实的一步。

厂牌及品类发布时间 : 2024-08-09

【产品】萨科微半导体双向可控硅BT136S-800E，有效值电流4A，可用于电机控制系统

萨科微slkor双向可控硅BT136S-800E凭借其卓越的性能和多功能性在市场上广受欢迎。该器件在电机控制、照明控制、温度调节和电源应用等领域得到广泛应用，为各种电子系统提供了稳定可靠的控制和调节功能。通过使用BT136S-800E，可以实现对电流和功率控制，满足不同应用需求，提升系统性能和效率。

产品发布时间 : 2023-09-15