【产品】采用SOT-23塑料封装的场效应晶体管MLS2308A,漏源电压最大额定值为60V
MLS2308A是鲁晶推出的一款采用SOT-23塑料封装的场效应晶体管,其具有低导通电阻、快开关速度和易于设计驱动电路等特点。器件在25℃环境温度下,漏源电压最大额定值为60V,栅源电压最大额定值为±20V,结温及存储温度范围可达-55℃~+150℃。同时具有低电压驱动优点,是便携式设备的理想选择。
特性
• 低导通电阻
• 快开关速度
• 低电压驱动,是便携式设备的理想选择
• 易于设计驱动电路
• 易于并联设计
机械数据
• 外壳形式:SOT-23模压塑封
• 安装位置:任意
最大额定值和特性
@25℃环境温度(除非另有说明)
A. 脉冲测试:脉冲宽度≤300μs,占空比≤2%
B. 器件安装在FR-4 PCB上,1英寸x0.85英寸x0.062英寸
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由奶爸工程师翻译自鲁晶,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】鲁晶半导体2SK3019 N沟道MOSFET,采用SOT-523封装,开启延迟时间低至15ns
鲁晶半导体推出的2SK3019是一款采用SOT-523封装的N沟道MOSFET ,具有开关速度快、导通电阻低,易于并联,易于设计驱动电路等特点,其低电压驱动的特点使该器件成为便携式设备的理想选择。
【产品】规格为-60V/-80A的P沟道增强型场效应晶体管YJG80GP06B,适用于便携式设备
扬杰科技推出了一款采用PDFN5060-8L封装的P沟道增强型场效应晶体管——YJG80GP06B ,该产品采用分离栅沟槽MOSFET技术,符合RoHS标准,可用于电源管理和便携式设备。
【产品】采用TO-252塑料封装的N沟道MOSFET器件LDD0956,最大漏源电压额定值100V
鲁晶推出的N沟道MOSFET器件LDD0956采用TO-252塑料封装,在25℃环境温度下,其漏源电压的最大额定值为100V,栅源电压的最大额定值为±20V,连续漏极电流的最大额定值为12A(Tc=25℃),工作结温范围为-50℃~+150℃。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳/上海 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论