【元件】 澎芯半导体发布自主研发的车规级新品SiC MOSFET，1200V 15mΩ为产品系列化提档加速
车规新品-性能优异
12月12日上午，澎芯半导体披露，1200V电压平台迎来新的成员-1200V/15mΩ的SiC MOSFET产品。据了解，此产品由澎芯半导体自主设计研发，拥有自主知识产权，并且联手国内标杆SiC晶圆厂制造完成，产品各项参数性能指标表现非常优异，试产良率达到75%。
模块产品-合作开发
据悉，澎芯半导体在前期工程批已完成各项性能指标的考核验证，现已联合模块客户(模块封装厂)和终端使用客户共同定义开发出1200V/150A和1200V/400A的模块产品，后续可提供晶圆和客制化模块两大类产品。
系列化-发展加速提档
随着此产品的推出，澎芯半导体的SiC MOSFET产品系列化布局更加全面，包括以下：
市场布局-多领域量产
澎芯半导体自从2021年以来，已推出650V/1200V/1700V多个电压平台的SiC MOSFET产品，而且多款产品已通过车规AEC-Q101认证。据透露，多款产品已在汽车OBC、储能系统、光伏逆变器、充电桩、电池化成、通讯电源和服务器电源等领域批量应用。
总结
国产SiC厂商在全球新能源市场中的竞争力日渐凸显，尤其车规级SiC MOSFET器件的进展突飞猛进，相信未来澎芯半导体将作为国产SiC产品的主力军，为中国SiC发展添砖加瓦。
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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS
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型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K
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