本文由三年不鸣转载自芯长征科技公众号,原文标题为:MOSFET的并联使用,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
3300V SiC MOSFET栅氧可靠性研究
通过对3300V SiC MOSFET栅氧可靠性的试验研究,发现不同芯片设计中,栅氧在MOSFET器件承受反偏电压时所承受的应力不同。该电应力随着反偏电压的增大及温度的升高而增大。针对这种现象,在高压SiC MOSFET器件可靠性评估中应额外考虑;此外,需要在设计及应用中对该隐患加以重视。
设计经验 发布时间 : 2024-03-19
一文看懂MOSFET数据表,快速找到核心数据为己所用
我们将试着破解FET数据表,这样的话,读者就能够很轻松地找到和辨别那些对于他们的应用来说,是最常见的数据,而不会被不同的生产商为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。
设计经验 发布时间 : 2024-03-29
功率MOSFET功耗计算指南
功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外,对于散热量极低的笔记本电脑来说,这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤,并通过多相、同步整流、降压型CPU核电源中一个30A单相的分布计算示例,详细说明了上述概念。
设计经验 发布时间 : 2024-02-23
MOSFET和IGBT区别
本文从概念、功率、优缺点、应用特点等多方面介绍的MOSFET和IGBT区别。
技术探讨 发布时间 : 2024-02-18
MOSFET特性参数详解
芯长征科技为您介绍MOSFET特性参数。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-21
一文解析MOSFET的结构、原理及测试
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压,产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-01
MPVX20N50B Series Power MOSFET
型号- MPVX20N50B SERIES,MPVX20N50B,MPVP20N50B,MPVA20N50B,MPVW20N50B,MPVT20N50B
我国半导体分立器件行业:规模扩大 MOSFET、IGBT发展前景可观
近年来,以汽车电子、工业电子、计算机、通信领域为代表的下游市场需求旺盛,带动我国半导体分立器件行业发展。根据相关数据可知,MOSFET和IGBT是近年增长最强劲的半导体分立器件。从市场应用端来看,消费电子市场需求受居民可支配收入、技术迭代影响较大,并且存在周期性波动。未来,随着汽车电子、新能源、工业控制等行业的快速发展,MOSFET、IGBT在半导体分立器件行业市场规模占比有望持续提升。
行业资讯 发布时间 : 2024-02-27
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论