20MHz~4GHz砷化镓FET反射式单刀双掷开关MSW0240D2,插入损耗小于0.65dB
MSW0240D2是兆讯推出的一款砷化镓FET反射式单刀双掷开关芯片,工作频段覆盖20MHz~4GHz。该芯片采用0/+2/3/5V电压控制,在工作频段内插损小于0.65dB,隔离度大于24.5dB,且有非常低的直流功耗。所有芯片产品经100%射频测量,在芯片整个工作频段内具有优良的通断特性和端口驻波。芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接工艺。芯片采用紧凑、低成本的2.00 x 1.25mm、6引脚SOP-6封装制造。
性能特点
插入损耗:小于0.65dB
隔离度:大于24.5dB
低直流功耗
超小型SOP-6(6引脚,2×1.25mm)封装
典型应用
电信应用中的通用中功率开关
802.11b/g WLAN蓝牙®系统中的发送/接收开关
极限值
电性能(VCTL=0/+5V,TOP=25℃,Z0=50Ω,除非另外说明)
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本文由Vicky转载自兆讯,原文标题为:MSW0240D2: 20MHz~4GHz GaAs 单刀双掷(SPDT)开关数据表,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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产品型号
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品类
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频率(Ghz)
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频率(Mhz)
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功率(W)
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回波损耗(dB)
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插损(DB)
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幅度平衡度(Degree)
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相位平衡度(Degree)
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隔离度(dB)
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偶合值(dB)
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线性度(dB)
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驻波比(:1)
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效率(%)
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峰值增益(dB)
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极化方式
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阻抗(Ω)
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衰减值(dB)
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衰减精度(dB)
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电流(mA)
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噪声系数(dB)
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输入回波损耗(dB)
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输出回波损耗(dB)
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反向电压(V)
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反向电流(mA)
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动态范围(dB)
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MQCN-1216
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电桥
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1.10-1.92
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-
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10
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20
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0.9
|
±1.0
|
90±4.0
|
19
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-
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-
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-
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-
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-
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选型表 - 兆讯 立即选型
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
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