20MHz~4GHz砷化镓FET反射式单刀双掷开关MSW0240D2,插入损耗小于0.65dB

2023-12-26 兆讯
砷化镓FET反射式单刀双掷开关芯片,通用中功率开关,发送/接收开关,MSW0240D2 砷化镓FET反射式单刀双掷开关芯片,通用中功率开关,发送/接收开关,MSW0240D2 砷化镓FET反射式单刀双掷开关芯片,通用中功率开关,发送/接收开关,MSW0240D2 砷化镓FET反射式单刀双掷开关芯片,通用中功率开关,发送/接收开关,MSW0240D2

MSW0240D2兆讯推出的一款砷化镓FET反射式单刀双掷开关芯片,工作频段覆盖20MHz~4GHz。该芯片采用0/+2/3/5V电压控制,在工作频段内插损小于0.65dB,隔离度大于24.5dB,且有非常低的直流功耗。所有芯片产品经100%射频测量,在芯片整个工作频段内具有优良的通断特性和端口驻波。芯片背面进行了金属化处理,适用于导电胶粘接工艺。芯片采用紧凑、低成本的2.00 x 1.25mm、6引脚SOP-6封装制造。



性能特点
插入损耗:小于0.65dB

隔离度:大于24.5dB

低直流功耗
超小型SOP-6(6引脚,2×1.25mm)封装


典型应用
电信应用中的通用中功率开关
802.11b/g WLAN蓝牙®系统中的发送/接收开关


极限值


电性能(VCTL=0/+5V,TOP=25℃,Z0=50Ω,除非另外说明)

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
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产品型号
品类
频率(Ghz)
频率(Mhz)
功率(W)
回波损耗(dB)
插损(DB)
幅度平衡度(Degree)
相位平衡度(Degree)
隔离度(dB)
偶合值(dB)
线性度(dB)
驻波比(:1)
效率(%)
峰值增益(dB)
极化方式
阻抗(Ω)
衰减值(dB)
衰减精度(dB)
电流(mA)
噪声系数(dB)
输入回波损耗(dB)
输出回波损耗(dB)
反向电压(V)
反向电流(mA)
动态范围(dB)
MQCN-1216
电桥
1.10-1.92
-
10
20
0.9
±1.0
90±4.0
19
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-

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