【产品】大电流表面贴装肖特基整流器助力便携式设备新应用
Central Semiconductor （简称Central）公司是美国中央半导体公司，半导体产品处于世界领先水平，其运营团队提供最高水平的技术支持，出色的销售支持和优质的服务。Central公司推出由N沟道和P沟道增强型MOSFET和低VF肖特基整流器组成的CTLM7110-M832D，CTLM8110-M832D系列整流器，专为小尺寸，高效率和低能耗应用而设计。该系列采用表面贴装外壳封装，散热效率高，无铅3x2mm表面贴装，适用于体积小的场合。其具体实物图如图1所示。
图1.CTLM7110-M832D，CTLM8110-M832D系列整流器实物图
CTLM7110-M832D，CTLM8110-M832D系列整流器的峰值重复反向电压VRRM为40V， 反向连续电压VR为5.0V时，电流IR为10uA，则具有低反向电流和较高的反向耐压能力。其系列连续工作的漏极电流ID为1.0A，最大脉冲漏电流IDM为4.0A（tp=10us），栅源电压VGS为8.0V，漏源电压VDS为20V，漏电流所造成的危害较小，从而能够较好地保护芯片不受损坏。其系列功率损耗PD为1.65W，功率损耗值极低，还具有较低的正向压降。当正向电流IF为100mA时，正向压降VF的最大值仅为0.36V，在IF=10mA，TA=25°C的条件下，正向压降VF的最大值仅为0.29V。其峰值正向浪涌电流IFSM为10A（tp=8.0ms），具备较强的抗浪涌冲击能力。峰值重复正向电流IFRM为3.5A （tp<=1.0ms），结壳热阻为76°C/W，结电容的典型值为50pF(VR=4.0V, f=1.0MHz)。工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃，具有耐高/低温的能力，适应性能强，在恶劣的环境条件下也可正常工作，这提高了其在大功率整流电路设计中的可靠性。其系列封装尺寸和引脚定义图如图2所示。
图2.CTLM7110-M832D，CTLM8110-M832D系列整流器封装尺寸和引脚定义图
图3.CTLM7110-M832D系列电气特性图
图4.CTLM8110-M832D系列电气特性图
CTLM7110-M832D，CTLM8110-M832D系列整流器的主要特性：
•重复峰值反向电压VRRM为40V
•正向浪涌电流能力IFSM为10A（tp=8.0ms）
•双芯片设备
•工作温度和存储结温范围均为-65℃~+150℃
•结壳热阻ΘJA为76°C/W
•功率损耗PD为1.65W
•小型TLM 3x2mm无铅表面贴装封装
•结电容的典型值为50pF(VR=4.0V, f=1.0MHz)
•散热效率高
CTLM7110-M832D整流器的主要特性：
•高电流（1.0A）MOSFET和肖特基整流器
•低rDS（ON）为0.25ΩMAX@ VGS = 1.5V
•低压降肖特基整流器（550mV @ 1.0A MAX）
•高达2KV的ESD保护
•辅助设备为CTLM7110-M832D
CTLM8110-M832D整流器的主要特性：
•高电流（0.95A）MOSFET和1.0A肖特基整流器
•低rDS（ON）为0.24ΩMAX@ VGS = 1.8V
•低压降肖特基整流器（550mV @ 1.0A MAX）
•辅助设备为CTLM7110-M832D
CTLM7110-M832D，CTLM8110-M832D系列整流器的主要运用领域：
•负载电源开关
•DC—DC转换器
•LCD背光
•便携式设备（手机，数码相机，PDAs，笔记本电脑等）
技术顾问：一叶知秋
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