【产品】采用TO-220FM封装的650V的SiC肖特基势垒二极管,恢复时间短
SCS206AM、SCS208AM、SCS210AM、SCS212AM、SCS215AM和SCS220AM是ROHM公司推出的SiC肖特基势垒二极管,其最大反向电压都为650V,都采用TO-220FM封装,其储存温度范围为-55~175℃,结温最高可达到175℃,工作温度范围广,能够满足恶劣环境工作要求,可用于PFC 升压拓扑、二次侧整流、数据中心、光伏电源调节器等场合。
SiC肖特基势垒二极管SCS206AM、SCS208AM、SCS210AM、SCS212AM、SCS215AM和SCS220AM的持续正向电流分别为6A、8A、10A、12A、15A和20A;在PW = 10ms,Tj=25℃正弦波形条件下,其浪涌非重复正向电流最高分别可达到23A、30A、38A、43A、52A和68A;其周期电流平方时间积I2t分别为2.6A2S、4.3A2S、7.2A2S、9.2A2S、14A2S和23A2S。
SiC肖特基势垒二极管SCS206AM、SCS208AM、SCS210AM、SCS212AM、SCS215AM和SCS220AM在Tj=25°C的条件下,正向电压压降典型值都只有1.35V;在VR=650V,Tj=25°C的条件下,其反向电流典型值分别为1.2uA、1.6uA、2uA、2.4uA、3uA和4uA;在VR = 400 V,di/dt = 350A/us的条件下,总充电容量大小分别为9nC、13nC、15nC、18nC、23nC和31nC;转换时间典型值分别为12ns、13ns、15ns、16ns、18ns和19ns,可以进行高速切换。
图1 SiC肖特基势垒二极管SCS206AM、SCS208AM、SCS210AM、SCS212AM、SCS215AM和SCS220AM封装和内部原理图
SiC肖特基势垒二极管SCS206AM、SCS208AM、SCS210AM、SCS212AM、SCS215AM和SCS220AM的产品特性及优势:
•恢复时间短
•降低温度依赖性
•可进行高速切换
•符合RoHS标准
SiC肖特基势垒二极管SCS206AM、SCS208AM、SCS210AM、SCS212AM、SCS215AM和SCS220AM的主要应用:
•PFC 升压拓扑
•二次侧整流
•数据中心
•光伏电源调节器
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 1
本文由jiandan提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】正向电压低至1.35V SiC肖特基势垒二极管SCS3,非常适用于各种电源装置的PFC电路
ROHM开发出非常适用于服务器和高端计算机等的电源PFC电路的、第3代SiC肖特基势垒二极管(以下称SCS3。SCS3不仅继承了业界最低正向电压(VF=1.35V、25℃)的特性,同时还确保了高抗浪涌电流特性。
【产品】650V/8A/21nC的碳化硅肖特基势垒二极管SCS308AM,采用TO-220FM封装
ROHM推出的碳化硅肖特基势垒二极管SCS308AM具有高浪涌电流承受能力,可降低开关损耗,可高速开关,采用TO-220FM封装。反向电压VR为650V,总电容电荷Qc为21nC,连续正向电流IF为8A,重复峰值正向电流IFRM为27A,总耗散功率PD为33W,为主要应用于PFC电路中升压拓扑、二次侧整流、数据中心、光伏功率调节器。
【产品】650V/12A/28nC的碳化硅肖特基势垒二极管SCS312AM,采用TO-220FM封装
罗姆(ROHM)推出的碳化硅肖特基势垒二极管SCS312AM,该产品具有短恢复时间和高浪涌电流能力,可进行高速开关,反向电压650V,连续正向电流12A,总电容电荷28nC,工作结温175℃,总功耗最大额定值为36W,存储温度范围为-55℃~175℃,在恶劣温度环境下也能保持产品的稳定性。该产品可主要应用于二次侧整流、数据中心、光伏功率调节器等多个领域。
【经验】SiC肖特基势垒二极管更新换代步履不停,实现了Si-SBD、Si-PND无法攀登的高耐压范围
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压,并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品。本文就SCS3系列的特点、应用范围展望等展开探讨。
ROHM SiC肖特基势垒二极管的可靠性试验
进行半导体元器件的评估时,可靠性也是非常重要的因素。JEITA ED-4701是称为“半导体器件的环境和耐久性试验方法”的标准,是用来进行工业及消费电子的半导体评估的试验方法。从文中给出的可靠性数据可以看出,已实施了评估的ROHM的SiC-SBD,在与Si晶体管和IC可靠性试验相同的试验中,确保了充分的可靠性。
【元件】ROHM新推支持更高电压xEV系统的SiC肖特基势垒二极管,确保最小5.1mm爬电距离
ROHM开发出引脚间爬电距离*1更长、绝缘电阻更高的表面贴装型SiC肖特基势垒二极管(SBD)。新产品去除了以往封装底部的中心引脚,采用了ROHM原创的封装形状,将爬电距离延长至最小5.1mm,约为普通产品的1.3倍。通过确保更长的爬电距离,可以抑制引脚之间的漏电起痕(沿面放电),因此在高电压应用中将器件贴装在电路板上时,无需通过树脂灌封进行绝缘处理。
【应用】罗姆1200V SiC肖特基势垒二极管用于充电桩充电模块可降低关断和通态损耗
在PFC VIENNA的高频二极管和LLC副边整流二极管中应用ROHM的SiC肖特基势垒二极管SCS240KE2C,具有低导通电阻,体积小,效率高,发热量小等优势,相比普通Si材料器件具有更低的VF和IR,更好的浪涌能力,适合充电桩充电模块等要求较高的应用。
【应用】1200V车规级SiC肖特基二极管SCS220KE2HR助力车载充电机二次侧整流,提升系统效率
通常传统的Si器件由于其反向恢复和开关频率的限制,已经不能满足车载充电机对效率的需求,文本针对车载充电机的二次侧整流部分推荐罗姆的1200V 车规级SiC肖特基二极管SCS220KE2HR,该二极管是以AEC-Q101为标准、支持车载的SiC肖特基势垒二极管,可降低开关损耗,可高速开关,可提升车载充电机整机效率。
【经验】SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)与Si二极管的比较
本文从特征高速性和高耐压讲述了SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)与Si二极管的比较,SiC拥有超过硅10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。并展示ROHM推出的1200V耐压SiC-SBD SCS210KG技术规格。
【经验】SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)与Si-PND的正向电压特性的区别
本文对ROHM推出的SiC肖特基势垒二极管最基本的特性以及SiC-SBD(SiC肖特基势垒二极管)与Si-PND正向电压VF特性的区别进行说明。SiC-SBD的VF随着温度升高而上升,但Si-PND(FRD)的VF是下降的。高温下SiC-SBD的VF上升会使IFSM下降,但不会像VF下降的Si-PND(FRD)那样热失控。SiC-SBD可以说是目前情况下降低VF、最有助于降低损耗的功率二极管。
ROHM SiC肖特基势垒二极管(SiC-SBD)发展历程及主流产品
ROHM的SiC-SBD目前第2代是主流产品,保持了与以往产品同等的漏电流和trr性能,同时将VF降低了约0.15V。第3代致力于提高抗浪涌电流特性并改善漏电流性能,采用了JBS结构,成功地进一步改善了第2代实现的低VF特性。与第2代产品相比,第3代产品在高温时的VF-IF曲线坡度陡峭,相对同一IF,VF较低,已经得到改善。
电子商城
现货市场
服务
可定制LAMP LED、 CHIP LED、 PLCC LED、 汽车用车规级LED、COB LED的尺寸/电压/电流等参数,电压1.5-37V,电流5-150mA,波长470-940nm。
最小起订量: 30000 提交需求>
可定制单色光灯珠、双色灯珠、全彩灯珠、发光二极管、贴片灯珠、贴片LED等产品,尺寸:0.6*0.3mm-3.2*2.7mm,波长:405-940nm,亮度:24-750mcd,电压:1.5-3.5V。
最小起订量: 3000 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论