博世创业投资公司投资氮化镓功率器件研发公司致能科技，加速第三代半导体布局

业内领先的氮化镓芯片IDM企业能华半导体荣获“国家级专精特新小巨人企业”称号

2024年9月2日，江苏省工业和信息化厅官网公示了工业和信息化部第六批专精特新小巨人企业名单。作为在化合物半导体行业内领先的氮化镓芯片IDM企业，凭借深厚的技术积累、优质的产品实力和高度的市场认可，江苏能华微电子科技发展有限公司榜上有名，荣获“国家级专精特新小巨人企业”称号。

罗姆携碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体亮相2024 PCIM Asia，并分享最新功率电子技术成果

全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（展位号：11号馆D14）。展会上，罗姆聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。

泰高提供集成氮化镓驱动器与氮化镓FET的氮化镓电源芯片，易驱动且无反向恢复，适用于硬开关、快充等应用

泰高技术提供氮化镓电源芯片产品，芯片集成氮化镓驱动器与氮化镓FET，适合客户设计高功率密度和高效的AC/DC电源。以易驱动，无反向恢复的优势，非常适合于硬开关应用。

第三代半导体：氮化镓

第三代半导体即宽禁带半导体，以碳化硅和氮化镓为代表，具备高频、高效、高功率、耐高压、耐高温、抗辐射能力强等优越性能，切合节能减排、智能制造、信息安全等国家重大战略需求，是支撑新一代移动通信、新能源汽车、高速轨道列车、能源互联网等产业自主创新发展和转型升级的重点核心材料和电子元器件，已成为全球半导体技术和产业竞争焦点。

碳化硅：第三代半导体材料的性能优势与应用前景

经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体，半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

研讨会2024功率器件新技术研讨会

描述- 11月21日在线直播，带来低导通电阻的功率MOS、集成驱动的GaN IC、IGBT新技术、用于电机驱动/BMS/移动储能的SGT MOS、高压车规SiC功率MOS、国产车规IGBT模块等功率器件新产品新技术，点击了解报名

议题- 降低20%导通电阻的功率MOS  |  集成驱动的GaN IC  |  沟槽栅场截止型IGBT新技术  |  适用于电机驱动/BMS/移动储能等应用SGT MOSFET  |  1700V SiC功率MOS  |  国产50A IPM模块  |  高可靠国产车规IGBT模块  |  ROHM——专注功率，电源和模拟技术的全球知名半导体厂商  |  EPC——基于氮化镓（GaN）功率管理器件的领先供应商  |  致力于功率器件和智能传感器技术的专业半导体厂商——瑶芯微（ALKAIDSEMI）  |  中国半导体功率器件十强企业：扬杰科技（YANGJIE）  |  致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者——阿基米德半导体（Archimedes）  |  中国领先的碳化硅（SiC）半导体和芯片解决方案提供商——瞻芯电子（InventChip）  |  专业从事电源管理、电机驱动、微控制器、传感器的集成电路和系统方案的设计与开发——华润微电子（CRM ICBG ）  |  Kyocera（京瓷）——全球领先的材料与电子元件制造商  |  Shindengen（新电元）——“桥王”，整流桥全球份额占比约40%  |  中国半导体功率器件十强的主板上市企业——新洁能（NCEPOWER）  |  国内首家抗负压能力可达-40V/600ns的电机驱动（HVIC）制造商——数明半导体  |  国内领先的半导体分立器件整合制造商 (IDM) —— 捷捷微电(JieJie Microelectronics）  |  国产一站式电路保护解决方案专家——硕凯（SOCAY）  | 

氮化镓功率器件研发与制造先进企业——致能（ZIENER）

广东致能科技有限公司成立于2018年12月，是一家致力于第三代半导体氮化镓的研发与产业化的高新技术企业。公司总部设立在广州，在深圳、上海、徐州等地设有生产研发基地和市场销售中心。公司采用IDM全产业链模式，集芯片设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析于一体。

一篇文章综述中国碳化硅（SiC）产业建设进展

第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等，其中碳化硅SiC、氮化镓GaN为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面碳化硅SiC、氮化镓GaN性能更出色。在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体，瑞之辰等从业者认为成本下降有望实现全面替代。

基于致能氮化镓的1.2kW的高效率无桥图腾柱PFC+半桥LLC通信电源解决方案

氮化镓凭借低栅极电容(Cgs)、低等效输出电容(Coss)、无体二极管反向恢复问题等优秀特点使得大功率CCM模式无桥图腾柱PFC的设计实现成为可能。致能在本文中提供了一种峰值效率可达97%的1200W GaN无桥图腾柱PFC+LLC通信电源性能与参数介绍，为实现高功率密度和高效率的通信电源提出一种新的解决方案。

半导体功率循环测试设备提供精确的温度控制，具有自动化与远程监控功能，专为评估功率半导体器件稳定性和可靠性设计

半导体功率循环测试设备是一种专门设计用于评估功率半导体器件在反复功率循环条件下性能稳定性和可靠性的精密测试仪器。这类设备主要用于测试像IGBT(绝缘栅双极型晶体管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)、SiC(碳化硅)和GaN(氮化铩)等功率器件。

能华半导体授权世强硬创代理氮化镓外延片及器件，器件阈值电压提高约60%

能华半导体E-mode GaN产品采用增强型氮化镓（GaN）技术，较常规产品来说，其阈值电压（VTH）提高约60%。