蓉矽半导体携碳化硅MOSFET、碳化硅二极管等产品和应用场景亮相第十四届亚洲电源技术发展论坛

时间： 2023-12-27 来源：蓉矽半导体公众号

技术问答

12月23日，由21Dianyuan主办的第十四届亚洲电源技术发展论坛将在深圳举办。本次活动设有以下四大会场:

包含半导体芯片、功率器件、被动元件、测试测量、检测认证等多个技术方向涉及小功率、高功率、消费类电子、汽车工业、5G、光伏储能等多产品应用领域。

作为专注碳化硅（SiC）功率器件设计与开发的高新技术企业，蓉矽半导体将将携碳化硅MOSFET、碳化硅二极管EJBS^TM及理想硅基二极管MCR^®和直流充电桩、光伏逆变器、便携式储能电源等应用场景参加，并借助这一优质平台与企业代表、各位嘉宾探讨行业发展，进一步推动产业发展。

蓉矽半导体参展产品

1. 1200V 75/40/12mΩ NovuSiC^® MOSFET

荣获2023中国IC设计成就奖、2023年度最佳功率器件等荣誉
短路耐受时间＞3μs栅氧化层长期可靠低导通电阻，低开关损耗
高雪崩耐量

直流充电桩应用场景

20kW直流充电模块中，与硅基器件相比，蓉矽NovuSiC^®方案可减少器件数量50%；降低总损耗50%以上；提升效率约2%，峰值可达97%以上。

2. 1200V 10/20/30A NovuSiC^® EJBS™

高抗浪涌电流能力：11倍(1200V/20A)
低正向导通压降
低反向漏电流
高结温性能稳定:175℃

1100V光伏系统Boost PFC应用场景

在11kW光伏逆变器应用中，相较FRD， NovuSiC^® EJBS™可降低约30%的系统总损耗，分别降低6℃和13℃的硅基IGBT和SiC二极管温升。

3. MCR^®

与肖特基相当的低导通压降
极低的反向漏电
低反向恢复损耗
最高30倍抗浪涌电流能力

储能高频整流应用场景

在500W便携式储能电源应用中，相较FRD，蓉矽MCR^®器件可降低18.7%的损耗和13℃的器件结温；在损耗不变的前提下，可提升50%的开关频率，缩小磁性器件体积约30%。

关于蓉矽 About NOVUSEM

成都蓉矽半导体有限公司成立于2019年，是四川省首家专注碳化硅功率器件设计与开发的高新技术企业，拥有台湾汉磊科技第一优先级产能保障，致力于自主开发世界一流水平的车规级碳化硅器件。

蓉矽半导体拥有高性价比“NovuSiC^®”和高可靠性“DuraSiC^®”产品系列，涵盖碳化硅二极管EJBS™与碳化硅MOSFET；硅基FR MOS与理想硅基二极管MCR^®，应用于光伏逆变器、储能、充电桩、OBC及新能源汽车等领域。

蓉矽半导体拥有德国莱茵ISO 9001质量管理体系认证，涵盖设计、晶圆制造和封测等环节，建立了材料、外延、制造与封装测试均符合IATF 16949的完整供应链，严格按照AEC-Q101标准考核验证。在国内率先投资引入WLTBI (Wafer-Level Test & Burn-in) 测试系统，保障碳化硅晶圆出厂质量与可靠性超越行业最高标准。

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碳化硅MOSFET 碳化硅MOSFET晶圆碳化硅MOSFET单管碳化硅二极管碳化硅EJBS晶圆碳化硅EJBS单管二极管栅控二极管晶圆 MCR单管肖特基二极管

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为了提升充电效率，延长续航里程，800V高压平台成为主流选择。使用1200V碳化硅MOSFET对提升OBC功率密度、降低重量具有积极意义和显著效果。NOVUSEM自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核，支持11kW/22kW大功率主流充电，适配目前OBC 800V高电压电池发展趋势。

应用方案发布时间 : 2024-07-20