广东致能荣获2023年行家说两项大奖,与行业伙伴共谱GaN功率器件未来




2023年12月13日至14日,由行家说主办的第三代半导体年会(碳化硅&氮化镓产业发展高峰论坛暨行家说极光奖颁奖典礼)在深圳隆重举行。会议吸引了来自终端企业、碳化硅和氮化镓供应链企业以及政府、投资机构等近1000名专业人士参与。会议中与会者们积极互动交流,积极展示最新的技术成果和应用案例,为推动第三代半导体产业的发展注入了新的动力和活力。
会议中广东致能受邀出席《GaN功率半导体的产业机遇与协同》圆桌论坛,与业内知名企业和专家就行业共同关心的GaN功率半导体未来发展趋势和产业协同问题展开讨论。
会上广东致能作为A级参编单位,联合行业知名企业及行家说产业研究中心发布了《2023氮化稼(GaN)产业调研白皮书》。
2023行家说极光颁奖典礼上,广东致能同时荣获2023年行家说“中国GaN器件十强企业”以及“年度优秀产品”。
中国GaN器件十强企业
年度优秀产品
年会设立了“年度企业”、“年度优秀产品”、”十强榜单”三大奖项,旨在表彰在技术创新、市场推广和产业化等方面有突出成果的企业和优秀产品,为宽禁带半导体行业发展树立标杆。
其中“中国GaN器件十强企业”奖项,旨在表彰本年度碳化硅/氮化镓供应链中快速崛起的优秀企业,他们实现了国产第三代半导体材料、器件、模块和装备等环节技术的突围,并且在全球化道路上迈出坚实的步伐,提升中国第三代半导体的全球影响力。
“年度优秀产品”聚焦国内SiC&GaN企业的多项研发成果,涉及产业链上下游各个领域,是我国半导体产业的重要基础。
广东致能自量产产品发布以来凭借独特的产品竞争力迅速在竞争激烈的市场中立稳脚跟。公司感谢本次年会上行业的认可,广东致能也将不忘初心,服务客户,精研产品,不断为客户提供稳定可靠、性能出众的GaN功率器件。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky转载自广东致能科技有限公司公众号,原文标题为:广东致能荣获2023年行家说两项大奖与行业伙伴共谱GaN功率器件未来,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
能华、南大、哈工大在宇航级抗辐照GaN功率器件研发上取得新进展
江苏能华微电子科技发展有限公司与南京大学、哈尔滨工业大学联合组成研究团队,在半导体器件领域权威会议:第70届国际电子器件大会(IEDM 2024)上以报告了宽禁带半导体GaN功率器件的抗辐照研究最新成果。
京东方华灿GaN电力电子突破:消费级可靠性1000H突破,工业级JEDEC蓄势待发
在GaN功率器件场景化爆发的关键窗口期,京东方华灿以消费类GaN功率器件通过1000H可靠性为起点,正式开启“消费级普及、工业级深化、车规级突破”的三级跃迁战略。作为全球化合物半导体领域的技术先驱,我们以标准化能力为根基,以IDM全链创新为引擎,为全球客户提供覆盖全场景的“中国芯”解决方案。
ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的隔离型栅极驱动器IC BM6GD11BFJ-LB开始量产
ROHM推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用,可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动,有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。
基于致能氮化镓的1.2kW的高效率无桥图腾柱PFC+半桥LLC通信电源解决方案
氮化镓凭借低栅极电容(Cgs)、低等效输出电容(Coss)、无体二极管反向恢复问题等优秀特点使得大功率CCM模式无桥图腾柱PFC的设计实现成为可能。致能在本文中提供了一种峰值效率可达97%的1200W GaN无桥图腾柱PFC+LLC通信电源性能与参数介绍,为实现高功率密度和高效率的通信电源提出一种新的解决方案。
【材料】全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆发布,cp测试良率超过95%,击穿电压轻松突破2000V
在2024武汉九峰山论坛上,西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授课题组李祥东团队与广东致能科技联合攻关,首次展示了全球首片8英寸蓝宝石基GaN HEMTs晶圆。通过调控外延工艺,外延片不均匀性控制在4%以内,所制备的HEMTs器件的cp测试良率超过95%,击穿电压轻松突破2000V。
致能氮化镓应用于大功率无线充电共享电动自行车,改善系统EMC特性,可将效率提高至93%
致能氮化镓与合作伙伴共同完成了大功率无线充电共享电动自行车方案,实现了电动自行车无线充电桩集中无线充电。整个系统可同时对10台电动自行车进行充电。致能氮化镓主要用于300W充电模块发射端,采用TTPPFC+CLLC方案,极大地提高了效率、降低了发射端尺寸。基于GaN高dv/dt特性,减小开关损耗;发射逆变半桥死区时间小,减少逆变的无功损耗,将系统效率提高到93%。
ZN65C1R120L采用DFN 8x8封装的650V、120mΩ氮化镓场效应晶体管(典型值)初步数据表
该资料介绍了Zn65C1R120L型650V、120mΩ典型值的氮化镓(GaN)场效应晶体管。这款器件采用8x8 DFN封装,结合了高压GaN HEMT和低压硅MOSFET技术,提供卓越的可靠性和性能。其主要特点是低导通电阻、高效率、易于驱动,适用于快充、电信电源和数据中心照明等领域。
致能 - GALLIUM NITRIDE FET,GAN FET,氮化镓场效应管,ZN65C1R120L,电信电力,LIGHTING,FAST CHARGER,照明,DATA CENTER,TELECOM POWER,快速充电器,数据中心
性能达国际水平!致能授权世强硬创代理氮化镓外延片等产品
第一代650V氮化镓器件作为致能(ZIENER)的拳头产品,专门针对氮化镓自主开发DHTOL、ALT、PLBI等设备保障器件一致性及长期可靠性。
氮化镓半导体IDM创新企业
致能 - 高压氮化镓器件,GAN 功率器件,功率GAN芯片,氮化镓功率器件,ZN90C1R550,ZN65C1R200,ZN65C1R035,ZN65C1R480,ZN65C1R070,ZN65C1R120,ZN90C1R300,ZN90C1R1100,ZN65C1R022,ZN65C1R1000,150W PD3.1 适配器,65W 反激平面变压器,伺服器,EV充电器,汽车,SERVER,METER,AUX POWER,HIGH POWER PD ADAPTER,高PD,ADAPTER,OBC,电信电力,适配器,电动汽车,消费工业储能,HIGH PD,CHARGER,EV CHARGER,150W PFC+LCC LED POWER,TELECOM POWER,PC电源,工业,充电器,警察,表计,LED,TLP POWER,TLP功率,新能源,PC POWER,GAME POWER,HVDC,工业车载光伏,EV,高功率PD适配器,发光二极管,PD,150W PFC+LCC LED电源,服务器工业通信,消费,辅助电源,300W 大功率无线充,游戏力量
氮化镓如何驱动机器人的运动、感官、大脑(一)——氮化镓器件如何在人形机器人的运动领域发挥作用
本文介绍氮化镓器件如何在人形机器人的运动领域发挥作用。
从原理到实例:GaN四大性能优势告诉你为何值得期待?
随着GaN的高效率得到实际验证,市场对于GaN的信心逐渐增强,优势日益显著以及用量不断增长,未来功率GaN技术将成为高效率功率转换的新标准。维安提供多款E-Mode GaN器件。
【IC】AC-DC功率开关芯片DK8715AD可使设备效率达到95.4%,单芯片集成AHB控制+半桥驱动+半桥GAN器件
东科半导体DK8715AD是一颗基于不对称半桥架构,集成了两颗氮化镓功率器件的AC-DC功率开关芯片,其能够在较大的负载范围内实现原边功率管ZVS,副边整流管ZCS,从而提高电源系统效率。
【IC】时代速信发布Ku波段高线性氮化镓功率放大器芯片,连续波下功率增益大于24dB
深圳市时代速信科技有限公司日前推出一款13-15GHz氮化镓功率放大器芯片SX1913,芯片面积3.8mmx6.3mm。在连续波情况下,功率增益大于24dB,输出功率大于50W,典型饱和效率45%。在回退至25W输出功率时,三阶交调系数优于-25dBc,漏极电流约为2.6A。性能达到业内先进水平,目前该芯片已经实现批量交付。
ROHM首款面向高耐压GaN器件驱动的BM6GD11BFJ-LB高效隔离型栅极驱动器IC开始量产,有助于大电流应用小型化
2025年5月27日——全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)今日宣布,推出一款适用于600V级高耐压GaN HEMT驱动的隔离型栅极驱动器IC“BM6GD11BFJ-LB”。通过与本产品组合使用,可使GaN器件在高频、高速开关过程中实现更稳定的驱动,有助于电机和服务器电源等大电流应用进一步缩减体积并提高效率。
服务市场

提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务,使用直流电源分析仪测量精度达50µV,8nA,波形发生器带宽100kHz,输出功率300W,示波器200kHz,512 kpts
实验室地址:深圳/苏州 提交需求>

可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。
最小起订量:1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论