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时科SKJ40N65-T7超级结MOSFET,提升性能的关键元件
超结MOS的选型需要综合考虑电压和电流额定值、导通电阻、开关速度、热管理、安全裕度、寄生参数以及应用的具体需求,选择合适的产品以确保最佳性能和可靠性。通过对上述的认知了解,我们对超级结MOS选型有了标准,那時科又有怎样的超级结MOS能够安全、低功耗、高性能的为应用场景服务。
【元件】时科650V/40A超级结MOSFET SKJ40N65-T7,为应用场景有效保驾护航
超结MOS的选型需要综合考虑电压和电流额定值、导通电阻、开关速度、热管理、安全裕度、寄生参数以及应用的具体需求,选择合适的产品以确保最佳性能和可靠性。时科SKJ40N65-T7超级结MOSFET漏源电压(VDS)650V,连续漏极电流(ID)40A,在高电压下也能保持低导通电阻,有效减少开关损耗。
场效应管SL8N65CD采用先进的超级结MOSFET技术生产,广泛用于电源电路领域
萨科微半导体的高压MOS管SL8N65CD是一款采用先进的超级结MOSFET技术生产的功率MOSFET。通过专门设计,SL8N65CD能够[敏感词]限度地降低通态电阻,提供卓越的开关性能,并且在雪崩和换向模式下具有承受高能脉冲的能力。因此,SL8N65CD非常适合高效开关模式电源应用。
HMS21N65D 650V N沟道超级结MOSFET
描述- 本资料详细介绍了HMS1' HCS65R165S 650V N-Channel Super Junction MOSFET的特性、关键参数、封装、内部电路、应用领域以及绝对最大额定值。该产品具有非常低的FOM(RDS(on) X Qg)、极低的开关损耗、出色的稳定性和均匀性,适用于多种电源转换和电力电子应用。
型号- HMS21N65D
电源单元(PSU)超级结MOSFET具有高电源系统效率和出色的产品可靠性
型号- PJMF130N65EC,PJMP120N60EC,PJMP105N60FRC,PJMF210N65EC,PJMF190N60E1,PJMH125N60FRC,PJMP099N60EC,PJMF990N65EC,PJMH105N60FRC,PJMH074N60FRCH,PJMP125N60FRC,PJMH042N60FRC,PJMB125N60FRC,PJMB105N60FRC,PJMF120N60EC,PJMF105N60FRC,PJMF125N60FRC,PJMD390N65EC,PJMP210N65EC,PJMP130N65EC,PJMP190N60E1,PJMF390N65EC,PJMH099N60EC,PJMB130N65EC,PJMP990N65EC,PJMB390N65EC,PJMF099N60EC,PJMP390N65EC,PJMD990N65EC,PJMB210N65EC,PJMH190N60E1,PJMH120N60EC
【应用】超级结MOSFET SLF65R240S2助力200W TV电源,具有更高效率和更好EMI效果
常见的TV电源电路使用开关模式电源,AC220V交流电压经过整流后,变成直流300V左右范围的电压,在经过DC-DC电压转换输出5v、12V电压给TV电源主板供电。本文介绍美浦森超级结MOSFET SLF65R240S2在DC-DC转换中作为核心功率开关器件的使用优势。
HMS15N80F 800V N沟道超级结MOSFET
描述- 本资料详细介绍了HMS15N80F这款800V N-Channel Super Junction MOSFET的特性、关键参数、应用领域以及电气特性。该产品具有非常低的FOM(RDS(on) X Qg)、极低的开关损耗,适用于多种电源转换和电力电子应用。
型号- HMS15N80F
HCS65R130FS 650V N沟道超级结MOSFET
描述- 本资料介绍了HCS65R130FS型650V N-Channel Super Junction MOSFET的特性。该器件具有非常低的导通电阻(RDS(on)),极低的开关损耗,优异的稳定性和均匀性,内置ESD二极管和快速恢复时间。它适用于开关模式电源(SMPS)、不间断电源(UPS)、功率因数校正(PFC)等领域。
型号- HCS65R130FS
HMS15N80D 800V N沟道超级结MOSFET
描述- 本资料介绍了800V N-Channel Super Junction MOSFET HCS80R850S的产品特性、关键参数和应用领域。该MOSFET具有非常低的FOM(RDS(on) X Qg)、极低的开关损耗、优异的稳定性和均匀性,并通过100%雪崩测试。适用于开关电源(SMPS)、电视和LED照明电源、AC到DC转换器和电信等领域。
型号- HMS15N80D
HCS60R099 600V N沟道超级结MOSFET
描述- 本资料介绍了HCS60R099型号的600V N-Channel Super Junction MOSFET的特性。该器件具有低导通电阻、极低的开关损耗和良好的稳定性,适用于多种电源转换应用。
型号- HCS60R099
【产品】600V超级结功率MOSFET TPA/TPP/TPV/TPW60R160M ,可应用于开关模式电源
无锡紫光微推出的TPA60R160M,TPP60R160M,TPV60R160M,TPW60R160M是4款600V超级结功率MOSFET,分别采用了TO-220F, TO-220,TO-3PN和TO-247封装。产品符合RoHS标准,可应用于开关模式电源(SMPS),不间断电源(UPS),功率因数校正(PFC)等领域。
HMS5N90R 900V N沟道超级结MOSFET
描述- 本资料详细介绍了HM615 HCT90R1K4型号的900V N-Channel Super Junction MOSFET的特性、关键参数、封装类型以及应用领域。资料涵盖了产品的电气特性、热阻特性、开关特性、典型特性、封装尺寸等详细信息。
型号- HMS5N90R
HCS80R1K4S 800V N沟道超级结MOSFET
描述- 本资料介绍了HCS80R1K4S型800V N-Channel Super Junction MOSFET的关键参数、电气特性、开关特性、热阻特性和封装尺寸。该器件适用于开关模式电源(SMPS)、电视和LED照明电源以及AC到DC转换器等领域。
型号- HCS80R1K4S
HCD80R1K4 800V N沟道超级结MOSFET
描述- 本资料介绍了HCD80R1K4型800V N-Channel Super Junction MOSFET的关键参数、电气特性、热阻特性和典型特性。该器件适用于开关模式电源(SMPS)、电视和LED照明电源以及AC到DC转换器等领域。
型号- HCD80R1K4
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品牌:PANJIT
品类:N-Channel Super Junction MOSFET
价格:¥13.1612
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品类:N-Channel Super Junction MOSFET
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品类:N-Channel Super Junction MOSFET
价格:¥3.1396
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品类:N-Channel Super Junction MOSFET
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服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
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