瞻芯电子荣获2项电源行业配套品牌奖,致力于开发碳化硅功率器件和模块、驱动和控制芯片产品


2023年12月23日,瞻芯电子受邀参加了由21世纪电源网与电子研习社联合主办的“第十四届亚洲电源技术发展论坛“,并从年度电源行业配套品牌的奖项评选中脱颖而出,荣获“功率器件-SiC行业优秀奖”和“国产模拟IC卓越奖——入围奖”。
瞻芯电子作为一家碳化硅功率半导体和芯片提供商,致力于开发碳化硅功率器件和模块、驱动和控制芯片产品,是中国为数不多的兼具碳化硅器件开发、晶圆制造和模拟芯片设计能力的IDM企业,能围绕SiC应用,为客户提供一站式芯片解决方案。
目前瞻芯电子已发布量产过百款碳化硅(SiC)功率半导体产品,包括碳化硅(SiC)MOSFET,SBD和SiC模块产品,电压平台涵盖650V-1700V,而且规格齐全、封装多样。2023年瞻芯电子还发布了第二代SiC MOSFET产品,不仅兼容15~18V驱动,而且比导通电阻下降25%,其损耗更低、成本更优,综合性能达到国际一流水平。
同时,瞻芯电子配套碳化硅的应用,开发了众多驱动芯片和控制芯片产品,成为业界技术创新的标杆。例如,业界首款SiC专用的6pin紧凑封装,集成负压驱动、短路保护、欠压保护驱动芯片IVCR140x;此外有业界首款连续模式(CCM)图腾柱PFC模拟控制芯片IVCC110x,内置精确可靠的模拟控制功能,无需编程,使用简单。该系列首款产品IVCC1102曾荣获第八届中国电源学会科学技术奖。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由犀牛先生转载自瞻芯电子公众号,原文标题为:瞻芯电子荣获2项电源行业配套品牌奖,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
喜讯 | 蓉矽半导体接连荣获2024“年度优秀产品奖” “功率器件行业新锐奖”
蓉矽半导体作为专注碳化硅(SiC)功率器件设计与开发的高新技术企业荣获2024“功率器件行业新锐奖”,蓉矽碳化硅二极管NovuSiC® 2000V 20A SiC EJBS™ 成功斩获“年度优秀产品奖”。产品为高压平台应用而设计,兼具耐高压和高频开关的特点,满足电力电子对高工作频率的需求,有助于减小电感和电容尺寸,极大提升系统效率和功率密度。
瞻芯电子荣获“国产功率器件-SiC行业卓越奖”和“国产模拟IC卓越奖-入围奖”
瞻芯电子推出了极具竞争力的碳化硅(SiC)功率器件、SiC专用-比邻驱动®芯片和模拟PFC控制芯片产品,赢得了良好的市场声誉和业绩表现,荣获“国产功率器件 - SiC 行业卓越奖”和“国产模拟IC卓越奖-入围奖”。
瞻芯电子七周年庆:创新驱动,碳化硅(SiC)技术改变未来
2024年7月17日,瞻芯电子迎来了成立7年周年的重要时刻。在过去的一年里,瞻芯电子顺利完成了股份改制,转型为股份有限公司,持续提升经营管理能力。公司还荣获了国家级专精特新“小巨人”企业等多项荣誉,彰显了其在行业内的卓越地位。同时,瞻芯电子在浙江义乌的碳化硅(SiC)晶圆厂的运营管理水平得到显著提升,通过了严格的IATF16949汽车质量管理认证,晶圆产线良率不断提高,流片周期进一步缩短。
瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/驱动与控制芯片选型指南
公司介绍 产品应用 产品概览 SiC Devices 产品概览 驱动与控制芯片 碳化硅(SiC)MOSFET 产品目录 碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品 碳化硅(SiC)肖特基二极管产品目录 碳化硅肖特基二极管系列产品 碳化硅功率模块系列产品 栅极驱动芯片系列产品 图腾柱 PFC 控制芯片系列产品 产品可靠性测试规范
瞻芯电子 - SIC MODULES,碳化硅肖特基二极管,专用栅极驱动芯片,SIC二极管,通用栅极驱动芯片,碳化硅功率模块,SIC DIODES,碳化硅 MOSFET,SIC MOSFETS,隔离驱动芯片,图腾柱 PFC 控制芯片,SIC模块,通用门驱动器,碳化硅金属氧化物场效应晶体管,SIC SBD,GENERAL GATE-DRIVER,电源管理控制芯片,SIC肖特基势垒二极管,SIC专用栅极驱动器,比邻驱动芯片,SIC-SPECIFIC GATE-DRIVER,SIC MOSFET,IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1,充电桩,储能变流器,新能源汽车,数据中心,风电,5G基站,充电桩模块,新基建,通信电源,轨道交通,EVTOL 电动垂直起降飞行器,光伏逆变器,储能
解析图腾柱无桥PFC中碳化硅器件的应用
图腾柱无桥PFC,具有元件数量少、共模噪声低等特点。而SiC器件具备反向恢复性能好、耐高温、开关速度快等优势,因此在车载OBC、通信电源、UPS及高频DC-DC等领域有大量项目采用图腾柱无桥PFC替代传统的PFC或交错并联PFC。
关于SiC功率器件的开关损耗
碳化硅(SiC)作为一种先进的半导体材料,具有很多传统硅材料无法比拟的优点。首先,碳化硅的禁带宽度比硅大,这意味着它在导电性能上具有更高的效率和更低的损耗。其次,碳化硅的热导率比硅高,这使得它能够在更高的温度下稳定工作。再者,碳化硅的电子迁移率也优于硅,这使得它在高频应用中表现出色。此外,碳化硅还具有很好的化学稳定性和耐磨性。
碳化硅:第三代半导体材料的性能优势与应用前景
经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体,半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料,碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能,能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。
泰科天润(GPT)SiC碳化硅芯片/SiC碳化硅二极管选型指南
Company Profile SiC Chip/SiC Devices
泰科天润 - SILICON CARBIDE DEVICES,碳化硅裸模,SIC器件,SIC BARE DIE,SIC POWER DEVICES,SILICON CARBIDE BARE DIE,SIC功率器件,SIC DEVICES,SIC裸片,G3S06506D,GW3-S12050,G5S06505DT,G3S06506C,G3S06506A,G4S06508HT,G3S06550A,G5S12020B,G3S17020PP,G3S06510C,G3S06510D,G5S12020A,G3S12020A,G3S06506H,G3S06510A,G4S12020D,G3S12020B,GW1-S3300.6,G3S06510B,G5S12015P,GW3-S065100,G3S06505R,G3S06004J,G3S12003R,G5S06508AT,G5S06504AT,G5S06505CT,G3S06505C,G4S06515HT,G3S06505D,G5S12015A,G3S06505A,G3S12003A,G5S06510HT,G4S06515PT,G3S12003C,G5S12015L,G3S06505H,G3S12003H,G3S06504R,G5S06510PT,G3S06520L,G3S06520H,G5S12002R,GAS06540B,G3S06560B,G3506008J,G3S12002R,G3S06520P,G3S06504C,G3S06504A,G5S06508HT,G3S06516B,G5S06504HT,G3S12002A,G4S06515QT,G3S12002C,G3S06504H,G3S06520B,G3S12002D,G5S12010A,G5S06508PT,G3S06520A,G3S06504D,G3S12002H,G3S06503R,GWA-S06520,G3S06540PP,G3S065100P,G5S06506CT,G4S06508AT,GW3-S17050,G5S06505AT,G3S06503A,GW3-S12020,G3S12040PP,G5S06508QT,G3S06503H,G5S06504QT,G4S06510HT,G3S06503C,G3S06503D,G3S06530L,G5S12020H,GW3-S06550,G4S06510PT,G4S06515AT,G5S12020P,G5S06506DT,G3S06530P,G3S06502R,GW5-S12010,G3S06502A,G4S06510AT,GW3-S12010,G5S06505HT,G3S06502H,G3S17010A,GW5-S12015,G3S06530A,G3S06502D,G3S12040B,G3S06502C,GW3-S06520,G4S06510QT,G4S06508CT,G5S12008A,G5S06506AT,G3S17005P,GW3-S17010,GW5-S12002,G5S06510DT,G4S06515DT,GW3-S12002,GW3-S12003,GW3-S12005,GAS06520A,G3S17005C,GW5-S12008,G3S17005A,G3S12010H,GAS06520H,G3S06508R,G5S12010P,GAS06520D,G3S12010M,G3S17020B,GW3-S06530,G4S06508DT,G3S12010P,GAS06520P,G3S12010R,G3S12050P,GAS06520L,GW3-S33050,G4S06510CT,G5S06506HT,G5S06510AT,G3S06508D,GW3-S17005,G3S06508C,G5S12002C,G3S06508A,G5S12002A,G3S12030PP,G3S06540B,G5S12030B,G3S12010A,G3S12010B,G3S12010C,G3S12010D,G3S06508H,G3S06512B,GW1-S33001,GW1-S33002,G5S06510QT,G3S12005P,GW1-S33005,G3S06006J,G3S12005R,GW3-S06506,GW3-S06508,GW3-S06502,G3S06010J,GW3-S06503,GW3-S06504,G5S06508CT,GW3-S06505,GW5-S12020,G4S06510DT,G3S12005A,G3S17050P,G3S12005C,G3S12005D,G3S12005H,G3S06510M,GW3-S06510,G3S06506U,G3S06506R,G3S06510K,G3S06510L,G3S12020L,G3S06510H,G3S17010B,G3S17010P,G3S12020P,G3S06550P,G3S06510R,G5S06508DT,G3S06510P,G3S12020U,PC POWER SUPPLY,POWER FACTOR CORRECTION,三相整流电源,STRING PHOTOVOLTAIC INVERTER,ADAPTER,CHARGE BLOCK FOR ELECTRIC CARS,笔记本适配器,HOUSEHOLD APPLIANCES,DC / AC CONVERTERS FOR SOLAR POWER,适配器,不间断电源,UPS,RAILWAY,OUTPUT RECTIFICATION,PC电源,PASSENGER CAR,PASSENGER CAR,乘用车,CHARGING MODULE,THREE-PHASE RECTIFIED POWER SUPPLY,最大功率点,INDUSTRIAL MOTOR DRIVERS,电动汽车充电座,MICRO INVERTER,风力发电用DC/AC变换器,移动电话适配器,电动工具适配器,MOBILE PHONE,NOTEBOOK ADAPTER,矿工电源,AUTOMOTIVE,电动自行车适配器,太阳能用DC/AC变换器,单相整流电源,MPPT,E-BIKE ADAPTER, LOW SPEED CAR,POWER TOOLS,PV INVERTER,MINER POWER SUPPLY,STRING PHOTOVOLTAIC INVERTER,ELECTRICAL HOUSE HOLD APPLIANCES,工业电机驱动器,LED POWER SUPPLY,输出整流,充电模块,OBC,SINGLE-PHASE RECTIFIED POWER SUPPLY,PV COMBINER BOX,MICRO INVERTER,CHANGING MODULE,DC / AC CONVERTERS FOR WIND POWER,INDUSTRI-AL,SERVER POWER,LOW SPEED CAR,PV逆变器,微型逆变器,POWER TOOLS ADAPTER,低速汽车,伺服器电源,MINER POWER SUPPLY,高压直流模块,HVDC MODULE,家用电器,功率因素矫正,SERVER POWER,MOBILE PHONE ADAPTER,光伏汇流箱,LED电源,CHARGE MODULE,E-BIKE ADAPTER,串式光伏逆变器
【元件】耐压650V的萃锦半导体BCX65S06D3碳化硅二极管可优化医疗电源设计, 提高能效并降低EMI
碳化硅二极管拥有更快的恢复速度、更低的反向恢复电流,以及更高的耐压能力。这些特点不仅能有效提高电源效率,还能降低开关损耗和EMI干扰。特别推荐萃锦半导体的碳化硅二极管BCX65S06D3,该产品凭借卓越的性能,在医疗电源应用中展现出极高的可靠性和稳定性。
瞻芯电子开发的车规级5.7kVrms隔离驱动芯片IVCO141x量产,集成负压驱动/短路保护
瞻芯电子开发的3款5.7kVrms隔离型、单通道栅极驱动芯片IVCO141x正式量产,并导入多家客户试用。IVCO141x芯片集成了负压驱动/短路保护等功能,是针对SiC MOSFET应用特点而设计的比邻驱动®(NextDrive®)系列芯片之中的隔离型产品。现已获得车规级可靠性认证(AEC-Q100)。
【应用】适合SIC MOS管的驱动芯片,驱动能力高达4A
普通的驱动芯片无法满足SIC MOS高频率的开关速度,Silicon Labs推出的隔离栅极驱动器SI8273,最大输出4A的驱动能力,能满足高频率的驱动且损耗非常小。
瑞之辰SiC功率器件在低空无人机上的应用与优势
瑞之辰科技有限公司,凭借多年行业经验,推出了碳化硅SiC PIM模块系列、SiC IPM智能功率模块系列、超低内阻SiC MOSFET系列等产品,将在低空无人机应用上迈出重要一步。
【IC】瞻芯电子新开发紧凑、智能的比邻驱动™(Nextdrive®)SiC专用驱动,支持多领域高效应用(上)
基于碳化硅(SiC)MOSFET的应用特点,瞻芯电子创新开发了比邻驱动™(Nextdrive®)系列碳化硅 (SiC)专用栅极驱动芯片,以确保碳化硅MOSFET安全、可靠和高效运行,也能有效降低应用系统的总体物料成本。
电子商城
现货市场
服务

冷芯半导体拥有超过150种不同型号的超微型和微型多级TEC,为客户实现最优的定制化热电解决方案
提交需求>

可来图定制均温板VC尺寸50*50mm~600*600 mm,厚度1mm~10mm,最薄0.3mm。当量导热系数可达10000W/M·K,散热量可达10KW, 功率密度可达50W/cm²。项目单次采购额需满足1万元以上,或年需求5万元以上。
提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论