斩获双项大奖！森国科亮相第十四届亚洲电源技术发展论坛

时间： 2023-12-27 来源：森国科公众号

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2023年12月23日，由世纪电源网主办的"第十四届亚洲电源技术发展论坛深圳峰会"圆满落幕，现场吸引了近3000名行业人士到场，与专家学者，名企代表们共同探讨双碳背景下，层出不穷的新技术、新产品、新方案如何加速消费电子、新能源领域等产业的蓬勃发展。在配套颁奖晚宴上，森国科凭借其在功率器件碳化硅和国产模拟IC领域的突出表现，赢得了业界的高度认可，一举斩获双项荣誉大奖。

国产化进程提速

功率器件-SiC行业优秀奖

得益于多年的技术沉淀，森国科推出了自研的近百款碳化硅二极管、SiC MOSFET和SiC模块产品，因其器件本身具备耐高频、高效、耐高温、耐高压等优点，已被广泛应用于各种与国民生活息息相关的领域，在新能源汽车中，主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机、充电桩、光伏和风电等领域等都能看到它的身影。

展桌环节，森国科展示了最新的SiC产品图景以及IGBT、超结MOS等行业新品，与会工程师们互相探讨了目前功率器件在快充、光伏逆变器、工业电源等应用表现情况。

国产模拟IC卓越奖-入围奖

作为国内领先的半导体企业，森国科一直致力于功率器件、功率IC的研发和创新，为客户提供高性能、高品质的产品。自研的G2301B芯片是一款为控制P&N沟道MOSFETs而设计的集成三路Gate Driver IC。芯片内部有3个半桥驱动模块，可同时驱动3个P沟道功率MOSFETs和3个N沟道功率MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制，由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。G2301B封装为ESOP16。

芯片特点

1.内置LDO，带载能力强达100mA

2.P/N MOS半桥、三路输出P/N MOS

3.推荐输入工作电压范围7V~28V

4.LDO3.3V/5V可选，且具有限流保护

5.内置过温保护

6.内置输入欠压保护

7.内置死区时间

应用领域

电动按摩仪

家电

电动工具

低压风机

水泵控制

未来，森国科也将继续砥砺前行，不忘初心，朝着低碳化、节能化的目标继续前行，持续加大第三代宽禁带半导体的研发力度，进一步为国产化半导体事业的发展贡献我们的力量。也期待能与更多优质客户一同前行，创造更加美好的未来!

关于森国科

深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区，在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。公司研发人员占比超过70%，研究生以上学历占比50%，来自联发科、海思、比亚迪微电子、罗姆、华润上华等机构，囊括清华大学、电子科技大学、西安电子科技大学、西北工业大学等微电子专业知名院校。

森国科碳化硅产品线为650V和1200V碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、SiC二极管模块、SiC MOSFET模块，该产品系列广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等。森国科碳化硅产品采用6寸车规级晶圆，具有高耐温，高频，高效，高压特性，已稳步进入国内汽车三电、主流大功率电源、光风储逆变器、充电桩电源模块等上市公司供应链。

森国科功率IC采用先进的高压特色工艺，包括功率管及模块的驱动、BLDC及FOC电机的驱动。经过5年的发展，该产品线的团队在BCD工艺，UHV工艺、数模混合、电机驱动算法方面有深厚的积累。功率器件驱动芯片，已经大规模量产中低压系列，即将推出高压系列。在电机驱动芯片方面，已经推出单相BLDC散热风扇电机系列，即将推出三相BLDC电机驱动系列。

森国科在中金资本、北汽产投、蓝思科技、凌霄股份、中科海创等股东的助力下，以低成本创新为己任，努力为客户提供高性价比的绿色“芯”动力，成为全球领先的功率半导体公司!

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华日轻金（苏州）精密配件是日本轻金属集团在中国全资投资的核心子公司之一，主要的业务范围为铝合金零件的开发、生产与销售，为客户提供汽车功率模块散热器、IGBT散热器、动力电池水冷板，底盘悬架零部件以及天窗导轨等，各种用于汽车的产品，并从最初的设计研发直到产品量产，为客户提供一站式服务。

功率模块散热器 IGBT散热器动力电池水冷板功率模块冷却器 IGBT冷却器动力电池冷却板新能源汽车功率模块散热器新能源汽车动力电池水冷板汽车ABS刹车用部品汽车天窗导轨汽车保险杠缓冲器部品汽车底盘部品

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2023-09-18 - 签约新闻代理服务技术支持批量订货

B2M040120T SiC MOSFET

描述- 本资料详细介绍了B2M040120T型号的SiC MOSFET产品，包括其产品概述、特性、应用领域、最大额定值、电气特性、封装特性、热特性、开关特性、典型性能、封装尺寸和修订历史。该产品适用于高频率操作，具有高阻断电压、低导通电阻和低电容等特点，适用于开关电源、微逆变器、太阳能逆变器、电机驱动器、DC/DC转换器和OBC等领域。

型号- B2M040120T

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【IC】Littelfuse用于SiC MOSFET和高功率IGBT的创新低侧栅极驱动器IX4352NE

Littelfuse宣布推出IX4352NE低侧SiC MOSFET和IGBT栅极驱动器。这款创新的驱动器专门设计用于驱动工业应用中的碳化硅（SiC）MOSFET和高功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）。IX4352NE通过一种新型9A拉/灌电流驱动器扩展了我们广泛的低侧栅极驱动器系列，简化了SiC MOSFET所需的栅极驱动电路。

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