斩获双项大奖！森国科亮相第十四届亚洲电源技术发展论坛
2023年12月23日，由世纪电源网主办的"第十四届亚洲电源技术发展论坛深圳峰会"圆满落幕，现场吸引了近3000名行业人士到场，与专家学者，名企代表们共同探讨双碳背景下，层出不穷的新技术、新产品、新方案如何加速消费电子、新能源领域等产业的蓬勃发展。在配套颁奖晚宴上，森国科凭借其在功率器件碳化硅和国产模拟IC领域的突出表现，赢得了业界的高度认可，一举斩获双项荣誉大奖。
国产化进程提速
功率器件-SiC行业优秀奖
得益于多年的技术沉淀，森国科推出了自研的近百款碳化硅二极管、SiC MOSFET和SiC模块产品，因其器件本身具备耐高频、高效、耐高温、耐高压等优点，已被广泛应用于各种与国民生活息息相关的领域，在新能源汽车中，主驱逆变器、DC/DC转换器、车载充电机、充电桩、光伏和风电等领域等都能看到它的身影。
展桌环节，森国科展示了最新的SiC产品图景以及IGBT、超结MOS等行业新品，与会工程师们互相探讨了目前功率器件在快充、光伏逆变器、工业电源等应用表现情况。
国产模拟IC卓越奖-入围奖
作为国内领先的半导体企业，森国科一直致力于功率器件、功率IC的研发和创新，为客户提供高性能、高品质的产品。自研的G2301B芯片是一款为控制P&N沟道MOSFETs而设计的集成三路Gate Driver IC。芯片内部有3个半桥驱动模块，可同时驱动3个P沟道功率MOSFETs和3个N沟道功率MOSFETs，每一路输出均由单一逻辑输入信号控制，由MCU或控制器来控制马达工作于任意模式。内置死区时间和直通保护逻辑，防止上、下桥臂的功率管同时导通。内置输入欠压保护。G2301B封装为ESOP16。
芯片特点
1.内置LDO，带载能力强达100mA
2.P/N MOS半桥、三路输出P/N MOS
3.推荐输入工作电压范围7V~28V
4.LDO3.3V/5V可选，且具有限流保护
5.内置过温保护
6.内置输入欠压保护
7.内置死区时间
应用领域
电动按摩仪
家电
电动工具
低压风机
水泵控制
未来，森国科也将继续砥砺前行，不忘初心，朝着低碳化、节能化的目标继续前行，持续加大第三代宽禁带半导体的研发力度，进一步为国产化半导体事业的发展贡献我们的力量。也期待能与更多优质客户一同前行，创造更加美好的未来!
关于森国科
深圳市森国科科技股份有限公司是一家专业从事功率器件、模块，功率IC的高新科技企业。功率器件主要包括碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、IGBT，功率芯片主要包括功率器件驱动芯片、无刷电机驱动芯片两大类。公司总部在深圳市南山区，在深圳、成都、苏州设有研发及运营中心。公司研发人员占比超过70%，研究生以上学历占比50%，来自联发科、海思、比亚迪微电子、罗姆、华润上华等机构，囊括清华大学、电子科技大学、西安电子科技大学、西北工业大学等微电子专业知名院校。
森国科碳化硅产品线为650V和1200V碳化硅二极管、碳化硅MOSFET、SiC二极管模块、SiC MOSFET模块，该产品系列广泛应用于新能源汽车、光伏逆变器、充电桩电源模块、矿机电源、通信设备电源、5G微基站电源、服务器电源、工业电源、快充电源、轨道交通电源等。森国科碳化硅产品采用6寸车规级晶圆，具有高耐温，高频，高效，高压特性，已稳步进入国内汽车三电、主流大功率电源、光风储逆变器、充电桩电源模块等上市公司供应链。
森国科功率IC采用先进的高压特色工艺，包括功率管及模块的驱动、BLDC及FOC电机的驱动。经过5年的发展，该产品线的团队在BCD工艺，UHV工艺、数模混合、电机驱动算法方面有深厚的积累。功率器件驱动芯片，已经大规模量产中低压系列，即将推出高压系列。在电机驱动芯片方面，已经推出单相BLDC散热风扇电机系列，即将推出三相BLDC电机驱动系列。
森国科在中金资本、北汽产投、蓝思科技、凌霄股份、中科海创等股东的助力下，以低成本创新为己任，努力为客户提供高性价比的绿色“芯”动力，成为全球领先的功率半导体公司!
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