【元件】昕感科技重推业界领先超低导通电阻1200V/7mΩ SiC MOSFET N2M120007PP0

时间： 2023-12-29 来源：

代理服务

技术支持

采购服务

2023年12月，昕感科技面向新能源领域推出一款重量级SiC MOSFET器件新产品（N2M120007PP0），实现了业界领先的超低导通电阻规格1200V/7mΩ。昕感新品基于车规级工艺平台，采用先进结构和制造工艺，兼容18V栅压驱动，配合TO-247-4L Plus封装，有力提升了国产碳化硅器件的性能。新产品瞄准新能源汽车主驱等亟需高压大电流与低损耗的功率半导体开关应用，助力新能源领域快速更新换代，为国家“碳达峰、碳中和”目标的实现做出贡献。

昕感新品采用出色的TO-247-4L Plus封装，具备开尔文源极和低热阻等优势，能够显著降低开关损耗及震荡，提升器件散热表现。

昕感新品工作电流可达300A以上，具有正温度系数，可方便实现大电流并联。同时，昕感新品的漏电流极低（<1μA@1200V），具备优越的高压阻断特性。

N2M120007PP0器件部分静态特性

昕感新品已完成一系列动态测试和可靠性考核（HTRB、pHTGB、nHTGB、H3TRB等），在不同条件下正常动态开关。

N2M120007PP0器件800V/200A下的开关波形

除TO-247-4L Plus等单管封装外，昕感1200V/7mΩ SiC MOSFET芯片也可封装进定制化功率模块，便于广泛实现其在汽车主驱等新能源领域中的应用。

昕感科技聚焦于第三代半导体碳化硅功率器件和功率模块的技术突破创新和产品研发生产，致力于成为国内领先和具有国际影响力的功率半导体变革引领者。昕感科技拥有从器件到模块再到应用的全流程高度定制化技术能力，能够匹配各领域客户需求，帮助客户快速建立差异化竞争优势。

昕感科技已在650V、1200V、1700V等电压平台上完成数十款碳化硅器件和模块产品量产。其中，1200V SiC MOSFET产品具有80mΩ、40mΩ、21mΩ直至7mΩ等导通电阻规格，模块产品对标EasyPACK、62mm、EconoDUAL等封装形式。1200V/80mΩ SiC MOSFET已通过AEC-Q101车规级可靠性认证，也标志着在此工艺平台上开发的多款更低导通电阻器件达到车规级可靠性水平。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由ll转载自，原文标题为:昕感科技重磅首发业界领先超低导通电阻1200V/7mΩ SiC MOSFET器件新产品，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。

平台合作

提交评论

全部评论（0）

暂无评论

【元件】基本半导体新推出Pcore™2汽车级DCM碳化硅MOSFET模块，工作结温高达175℃

汽车级DCM碳化硅MOSFET系列模块PcoreTM2是基本半导体专为新能源汽车主驱逆变器应用设计的一款高功率密度的碳化硅功率模块。产品具有低动态损耗、低导通电阻、高阻断电压、高电流密度、高可靠性等特点，可支持连续运行峰值结温至175℃，以及具备650Arms以上连续峰值相电流输出。

2023-11-27 - 产品代理服务技术支持采购服务

【元件】瑶芯新一代1200V G4.5碳化硅MOSFET，持续赋能新能源产业高速发展

瑶芯微电子科技推出了1200V G4.5 SiC MOSFET系列，提升了导通电阻和动态性能，适用于高压应用如OBC。新一代G5产品即将推出，预计进一步降低导通电阻。1200V G4.5平台在多个性能指标上优于前代，提高了效率和性能。公司还提供MEMS传感器和信号链IC，服务于多个应用领域。

2024-09-19 - 产品代理服务技术支持采购服务

【元件】昕感科技新近推出兼容15V栅压驱动的1200V/13mΩ低导通电阻SiC MOSFET产品

近日，昕感科技发布一款兼容15V栅压驱动的1200V低导通电阻SiC MOSFET产品N2M120013PP0，导通电阻在15V栅压下低至13mΩ，配合低热阻TO-247-4L Plus封装，可以有效提升电流能力，满足客户的大功率应用需求。

2024-05-10 - 产品代理服务技术支持采购服务

中电国基南方（CETC）SiC电力电子器件选型指南

中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题；申请发明专利超过200多项，其中PCT10项，已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V，电流覆盖2A-150A，产品性能和可靠性满足多种应用需求，已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。

中电国基南方 - 车规 SBD 芯片晶圆,SIC场效应晶体管,碳化硅结型场效应晶体管,SIC二极管,SIC 顶部散热器件,SIC 智能功率模块,半桥器件,SIC肖特基二极管,SIC MOSFET,SIC G4 肖特基二极管,SIC MOS,SIC SBD,G2 SIC MOSFET,碳化硅MOS,SIC SBD 芯片晶圆,SIC JFET,塑封器件,全塑封碳化硅器件,SIC备用电池,三相桥模块,WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B,电网传输,电机控制器,XEV 中的 OBC,储能系统,家用电子设备,高压电源,充电模块,电动汽车,XEV 中的 DC-DC,XEV 中的空压机电机,高速工业开关模式电源,电网输变电,储能,服务器电源,电机驱动,充电设备,车载DCDC,新能源发电,电力电子变压器,PFC 电源,开关模式电源,车载 OBC,充电桩,新能源汽车,太阳能发电,脉冲电源,电动汽车充电设备,逆变器,XEV 中的空压机控制器,光伏升压电路,轨道交通,通信电源,电动汽车快充,SMPS,DC/DC 变换器

2024/7/30 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

新能源汽车碳化硅800V平台架构优势及实现方式解析

受限于硅基IGBT的工作频率和偏大的元件尺寸，目前大部分新能源车产品采用的是400V平台。随着碳化硅半导体技术的发展，越来越多车企打造出基于碳化硅的800V甚至更高的高压平台。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。2015年，SMC布局碳化硅产品的设计、研发与制造，并推出了一系列节能可靠、高性价比的大功率碳化硅产品器件，可广泛运用于包括新能源汽车、光伏、储能、电源等各个领域。

2024-05-22 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

碳化硅行业浅析

碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。因其优越的物理性能：高禁带宽度（对应高击穿电场和高功率密度）、高电导率、高热导率，有望成为未来最被广泛使用的制作半导体芯片的基础材料。

2024-12-28 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

重庆平伟实业（Pingwei Industry）股份有限公司是一家集芯片设计、封测、应用与可靠性检测服务一体化的功率半导体IDM产品公司。主要产品包括MOS、SBD、SiC、IGBT、BJT、Power IC等功率半导体，以功率半导体器件为产业基础，面向智能终端、工业控制、物联网、新能源汽车、5G通讯、家电、卫星互联网、安全电子、绿色照明等市场领域。

代理服务线上商城技术资料

爱仕特（AST）SiC碳化硅芯片及模块选型指南

公司简介和芯片/模块产品规则芯片模块参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍

爱仕特 - SIC MODULES,半导体碳化硅芯片,碳化硅MOS器件,SIC MOS模块,单芯片,SIC功率模块,SIC MOS芯片,六英寸SIC MOS芯片,SIC模块,SIC CHIPS,碳化硅芯片,ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200,电机控制器,变频器,适配器,充电机,舰船,地铁,电磁炉,混合动力汽车,电焊机,家电电器,医疗电源,电厂除尘设备,变频空调,坦克,变频洗衣机,动车,雷达,牵引变流器,智能电网,风电换流器,轻型直流输电,辅助电源,有源滤波器,太阳逆变器,车载充电机,电磁炮,消费电子,车载电源,节能环保,电动汽车,PFC电源,核磁共振仪,微波炉,计算机断层扫描,医疗设备,新能源发电,电池储能电站,充电桩,潜艇,充电器,激光炮,鱼雷,新能源汽车,CT,感应加热,电子计算机断层扫描仪,国防军工,轨道交通,无功补偿器

2021/11/26 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

喜讯 | 蓉矽半导体接连荣获2024“年度优秀产品奖” “功率器件行业新锐奖”

蓉矽半导体作为专注碳化硅(SiC)功率器件设计与开发的高新技术企业荣获2024“功率器件行业新锐奖”，蓉矽碳化硅二极管NovuSiC® 2000V 20A SiC EJBS™ 成功斩获“年度优秀产品奖”。产品为高压平台应用而设计，兼具耐高压和高频开关的特点，满足电力电子对高工作频率的需求，有助于减小电感和电容尺寸，极大提升系统效率和功率密度。

2024-12-26 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用

1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率，且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时，1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后，终端应用的系统可靠性大大提升，而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。

2024-06-18 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

爱仕特专注于第三代半导体碳化硅（SiC）MOS芯片设计、功率模块的生产制造及其基于SiC器件在新能源领域的应用系统开发方案，由武岳峰资本及国内多家知名投资机构投资数亿元，中国科学院及清华大学博士领军，数十位半导体行业资深人士共同组建的高科技技术创新性企业。公司已申请25项专利技术，采用6英寸技术已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产品，可为客户提供整套应用解决方案。

SiC MOS芯片 SiC MOS模块

代理服务线上商城技术资料

瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场

2024年12月12日，由行家说主办的“2024碳化硅＆氮化镓产业高峰论坛”于深圳召开。瞻芯电子凭借极具竞争力的碳化硅（SiC）功率器件和驱动解决方案，全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场，取得出色的业绩表现，在颁奖礼上荣获三项大奖：“中国SiC IDM十强企业”、“年度影响力产品奖”、“第三代半导体应用推动突破奖”。

2024-12-18 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务