【产品】耐高压、低正向压降、低反向电流、高级集成度硅肖特基二极管

2018-12-11 Central
高级集成度硅肖特基二极管,低反向电流硅肖特基二极管,高压肖特基二极管,CPD102X 高级集成度硅肖特基二极管,低反向电流硅肖特基二极管,高压肖特基二极管,CPD102X 高级集成度硅肖特基二极管,低反向电流硅肖特基二极管,高压肖特基二极管,CPD102X 高级集成度硅肖特基二极管,低反向电流硅肖特基二极管,高压肖特基二极管,CPD102X

世界顶级分立半导体制作商Central Semiconductor(美国中央半导体公司)推出CPD102X裸片工艺封装的耐高压硅肖特基二极管系列,该工艺下的肖特基二极管具有耐高压、低正向压降、低反向电流、高级集成度等特点,专为需要低正向压降的开关应用而设计。

 

采用CPD102X裸片工艺封装硅肖特基二极管的外形如图1所示,其结构紧凑,模具尺寸为9.0×9.0MILS,厚5.9 MILS,阳极焊盘圆直径为 4.8 MILS,晶圆直径5 INCHES,封装集成度高,晶片总模数达到210600个。

                                                    

图 1 CPD102X封装的硅肖特基二极管外形尺寸


基于CPD102X裸片工艺封装的硅肖特基二极管系列包含CMDD6263CMKD6263CMLD6263CMOD6263CMPD6263CMSD6263CMUD6263E等众多型号。该工艺封装的硅肖特基二极管系在性能方面,峰值重复反向电压VRRM为70V,连续正向电流IF为15mA,在1.0s的持续时间内,峰值正向浪涌电流IFSM为50mA,存储温度工作温度范围-65℃到150℃。具有低反向电流,在TA为25℃下,其IR典型值为10nA,最大值为200 nA;有较低的正向压降,当正向电流IF为1.0mA时,正向压降VF的典型值为395mV,最大值仅为410mV;此外该工艺下的二极管具有较小的结电容,在VR为0V,f为1MHz 下,结电容Cj最大为2.0pF。基于CPD102X裸片工艺封装的硅肖特基二极管系列电学特性如图2所示,典型输出特性曲线如图3所示。

图 2 CPD102X工艺的硅肖特基二极管电学特性

 


图 3 CPD102X工艺的硅肖特基二极管典型输出特性曲线


 CPD102X工艺的硅肖特基二极管特性:

l  峰值重复反向电压VRRM:70V

l  连续正向电流IF:15mA

l  峰值正向浪涌电流IFSM:50mA(tp=1.0s)

l  工作和存储结温:-65℃~+150℃

 

 CPD102X工艺的硅肖特基二极管应用:

l  低正向压降的开关应用


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