奖奖奖！2023罗姆产品斩获多项年度大奖，获得市场高度认可
第三代半导体年度国际领军企业
日前，“2023行家极光奖”颁奖典礼在深圳正式拉开帷幕，数百家SiC&GaN企业代表联袂而来，共同见证第三代半导体产业的风采。该奖项主要授予在碳化硅和氮化镓领域拥有一定声望，取得重要成绩，技术水平达到行业以至国内外先进水平，在推动行业发展、技术创新和市场推广等方面做出优异成绩或起到引领作用的企业。罗姆凭借在该领域的卓越表现获得殊荣。同时，今年投入量产的650V耐压GaN HEMT也获得了“GaN器件年度最具影响力产品”。
影响中国电子产业30年的时代之光
今年，电子行业知名学术期刊《电子产品世界》发布“影响中国电子产业30年时代之光”评选系列荣誉。罗姆凭借分流电阻器PSR350斩获“十大划时代半导体奖(功率器件)”!12W级额定功率，0.85mm超薄封装，非常适合车载和工业设备的双面散热功率模块!
2023金辑奖
10月，由盖世汽车主办的2023第五届“金辑奖”颁奖典礼在上海举行。罗姆凭借隔离型DC-DC转换器“BD7Fx05EFJ-C”的卓越表现荣获中国汽车新供应链百强!该产品助力xEV相关应用实现小型化以及减少降噪设计工时，与普通产品相比，在主驱逆变器、OBC等的隔离电路中，安装面积可减少约30%!
2023年“全球电子成就奖”
11月，由AspenCore全球资深产业分析师组成的评审委员会以及来自亚、美、欧洲的网站用户群共同评选出了2023年“全球电子成就奖” (World Electronics Achievement Awards) ，罗姆的650V耐压GaN HEMT斩获”年度功率半导体/驱动器产品奖"!该产品于今年投入量产，非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。
2023“芯向亦庄”汽车芯片50强
11月，由北京市科学技术委员会、北京市经济和信息化局指导,北京经开区管委会主办,盖世汽车承办,国家新能源汽车技术创新中心提供支持的“芯向亦庄”汽车芯片大赛在北京圆满落幕。罗姆凭借车载液晶背光用LED驱动器IC“BD94130xxx-M”斩获"汽车芯片50强"荣誉称号,赢得了业界的高度认可。
2023汽车创新技术大奖
今年，AI汽车制造业全媒体平台连续第六年开展“汽车创新技术大奖”评选活动，罗姆凭借第4代SiC MOSFET的市场卓越表现获得“技术创新奖”。罗姆于2020年完成开发的第4代SiC MOSFET，是在改善短路耐受时间的情况下实现业内超低导通电阻的产品，目前不仅可供应裸芯片，还可供应分立封装的产品。
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罗姆在PCIM Asia上展出SiC封装模块TRCDRIVE pack™及GaN HEMT在内的丰富产品
2024年8月28-30日，全球知名半导体制造商ROHM参加在深圳国际会展中心举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会，简称PCIM Asia。罗姆在PCIM Asia上展出TRCDRIVE pack™及GaN HEMT在内的丰富产品。
罗姆携碳化硅和氮化镓等宽禁带半导体亮相2024 PCIM Asia，并分享最新功率电子技术成果
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）于8月28日～30日参加在深圳国际会展中心（宝安新馆）举办的2024深圳国际电力元件、可再生能源管理展览会（展位号：11号馆D14）。展会上，罗姆聚焦碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）等宽禁带半导体，展示其面向工业设备和汽车领域的丰富产品阵容及解决方案。
SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效，宽耐压，开关损耗降低50%
世强硬创联合瑶芯微，爱仕特，派恩杰，瞻芯电子，中电国基南方，带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品，最高1700V宽耐压，开关损耗降低50%。
ROHM（罗姆） SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（中文）
描述- SiC MOSFET原理上在开关过程中不会产生拖尾尾电流，可高速运行且开关损耗低。低导通电阻和小型芯片尺寸造就较低的电容和栅极电荷。此外，SiC还具有如导通电阻增加量很小的优异的材料属性，并且有比导通电阻可能随着温度的升高而上升2倍以上的硅（Si）器件更优异的封装微型化和节能的优点。
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KRHR,SCT3060ARHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3105KRHR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KWAHR,SCT4062KE,SCT3080ARHR,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT3120ALHR,SCT2280KE,SCT4062KWA,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT4045DWA,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT3030ARHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4026DWA,SCT3160KLHR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT4045DWAHR,SCT3105KL,SCT3160KW7HR,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR,SCT3080KRHR,SCT4026DWAHR
ROHM（罗姆）SiC（碳化硅）MOSFET选型指南（英文）
目录- SiC MOSFETs
型号- SCT3160KL,SCT4062KR,SCT3030KLHR,SCT4013DE,SCT3080AW7,SCT2450KE,SCT3160KW7,SCT2H12NZ,SCT4062KW7HR,SCT2450KEHR,SCT4013DR,SCT3060ALHR,SCT3040KLHR,SCT4036KEHR,SCT4045DRHR,SCT3022KLHR,SCT2160KE,SCT3080KW7,SCT3017ALHR,SCT3022AL,SCT3080ALHR,SCT3060AR,SCT3105KLHR,SCT4036KR,SCT3060AL,SCT4026DEHR,SCT4062KRHR,SCT3040KR,SCT2080KE,SCT3080KR,SCT3120AL,SCT4013DW7,SCT3030KL,SCT4062KE,SCT4036KW7,SCT2280KEHR,SCT2280KE,SCT3030AR,SCT3030AL,SCT3030AW7,SCT4036KRHR,SCT4045DEHR,SCT3120AW7,SCT3040KL,SCT3105KW7,SCT2080KEHR,SCT4018KW7,SCT3080KL,SCT3030ALHR,SCT4062KW7,SCT3040KW7,SCT3022ALHR,SCT4045DW7,SCT3017AL,SCT4036KE,SCT4018KE,SCT4045DE,SCT4026DW7,SCT4062KEHR,SCT3080AR,SCT4026DW7HR,SCT4026DE,SCT4036KW7HR,SCT3080AL,SCT4045DW7HR,SCT4045DR,SCT2160KEHR,SCT3022KL,SCT4018KR,SCT4026DR,SCT3105KL,SCT3105KR,SCT3080KLHR,SCT3060AW7,SCT4026DRHR
ROHM（罗姆）一次电源元器件选型指南（中文）
目录- 一次电源综合解决方案 一次电源产品矩阵 AC/DC转换器产品开发方针 各类电源方式的产品概要 各类产品的特点和产品阵容 第3代沟槽结构SiC MOSFET 第3代SiC肖特基势垒二极管 第2代超级结MOSFET(600V、650V) 第4代快速恢复二极管RFS/RFL系列 第3代快速恢复二极管RFNL7RFV系列 齐纳二极管 分流电阻器 高可靠性电阻器
型号- BD7673AG,BD768XFJ,UDZGVTE-1713B,RFV12TG6S,BM2P141W,R6009JND3,BM1P105FJ,BM2P141X,KN 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【元件】罗姆6432尺寸金属板分流电阻器PMR100新增3款超低阻值产品，助力工业设备等应用产品小型化
ROHM面向车载设备、工业设备和消费电子设备的电机控制电路和电源电路等应用，在标准型6432尺寸（6.4mm×3.2mm）金属板分流电阻器“PMR100”产品阵容中，推出3款额定功率为5W、电阻值分别为0.5mΩ、1.0mΩ、1.5mΩ的新产品。
【应用】1200V/160mΩ的SiC MOSFET助力双向OBC小型化设计，可实现300KHz开关频率
本文推荐Littelfuse的SiC MOSFET LSIC1MO120E0160，耐压1200V，导通电阻160mΩ，助力双向OBC设计。可实现300KHz的开关频率，设计时可减小变压器体积，实现OBC小型化需求，此外产品本身具有高可靠性。
【产品】采用TO263-7L封装的AC/DC转换器IC适用于通用逆变器， 内置1700V耐压的SiC MOSFET
ROHM推出的BM2SC12xFP2-LBZ是业内先进的AC/DC转换器IC，采用一体化封装， 内置1700V耐压SiC MOSFET，使采用了SiC MOSFET的高效AC/DC转换器的设计更容易。
SCT2H12NZ 1700V高耐压SiC MOSFET
型号- SCT2280KE,SCT212AF,SCT2450KE,SCT2160KEAHR,SCT2450KEAHR,SCT2H12NZ,SCT3022KL,SCT2080KE,SCT3040KL,SCT3030KL,BD7682FJ-LB-EVK-402,SCH2080KE,SCT2H12NYSCT2750NY,SCT2080KEAHR,SCT2280KEAHR,SCT2160KE
电子商城
品牌：ROHM
品类：High power metal plate shunt resistors
价格：￥3.9758
现货： 4,494
现货市场
服务
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量： 1 提交需求>
支持GSM / GPRS 等多种制式产品的射频测试，覆盖所有上行和下行的各项射频指标，包括频差、相差、调制、功率、功控、包络、邻道泄漏比、频谱、杂散、灵敏度、同道干扰、邻道干扰、互调、阻塞等等。满足CE / FCC / IC / TELEC等主流认证的射频测试需求。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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