金华市委书记朱重烈赴浙江瞻芯电子走访调研,为瞻芯电子碳化硅功率器件项目提供政策支持和帮助
![碳化硅MOSFET,SiC MOSFET,碳化硅功率器件,碳化硅功率半导体产品](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
![碳化硅MOSFET,SiC MOSFET,碳化硅功率器件,碳化硅功率半导体产品](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
2023年12月26日下午,金华市委书记朱重烈赴义乌调研,义乌市李雄伟、叶帮锐等领导一行陪同朱重烈书记走访了浙江瞻芯电子科技有限公司(简称:浙江瞻芯),并参观了浙江瞻芯展厅及碳化硅(SiC)功率器件生产线。在调研期间,朱重烈强调要深入学习贯彻习近平总书记重要讲话重要指示精神,全面贯彻落实省委和金华市委决策部署,把项目建设作为“扬长补短”的关键抓手,而浙江瞻芯电子的碳化硅(SiC)功率器件项目正是其中之一。
图片:浙江省金华市委书记 朱重烈
在陪同调研期间,瞻芯电子CEO张永熙博士介绍了公司的发展历程,讲解了碳化硅(SiC)材料的特性优势和碳化硅(SiC)功率半导体产品的功能特点,并且着重介绍了产品的应用领域,能覆盖电能的“发、储、输、配、用”所有环节,并显著降低系统能耗,提升效率,压缩体积,在新能源产业技术升级和节能减碳过程中发挥了关键作用。
在深入了解这一战略性新兴产业的发展情况后,金华市委书记朱重烈表示:“要为浙江瞻芯电子碳化硅(SiC)功率器件项目提供政策支持和帮助,营造良好的投资环境和发展条件。同时,希望瞻芯电子坚持科技创新引领,攻关核心技术,不断提升产品性能,拓展产品应用市场,不断塑造发展新优势,推动企业快速发展”。最后朱重烈书记强调:“要牢固树立【大抓项目、抓实项目】的鲜明导向,提速在建重大项目进度,滚动谋划一批标志性项目,为浙江金华的高质量赶超发展注入新动能。“
关于瞻芯电子
上海瞻芯电子科技有限公司(简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司,2017年成立于上海临港。公司致力于开发碳化硅功率器件和碳化硅功率模块、碳化硅功率驱动芯片和碳化硅功率控制芯片产品,并围绕碳化硅(SiC)应用,为客户提供一站式解决方案。瞻芯电子是中国第一家自主开发并掌握6英寸碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)产品以及工艺平台的公司,拥有一座车规级碳化硅(SiC)晶圆厂,标志着瞻芯电子顺利实现由Fabless迈向IDM的战略转型,进入中国领先碳化硅(SiC)功率半导体公司行列。瞻芯电子将持续创新,放眼世界,致力于打造中国领先、国际一流的碳化硅(SiC)功率半导体和芯片解决方案提供商。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由ll转载自瞻芯电子公众号,原文标题为:金华市委书记朱重烈赴浙江瞻芯电子走访调研,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
瞻芯电子荣获SiC行业三大奖项,全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场
2024年12月12日,由行家说主办的“2024碳化硅&氮化镓产业高峰论坛”于深圳召开。瞻芯电子凭借极具竞争力的碳化硅(SiC)功率器件和驱动解决方案,全面突破新能源汽车主驱、光伏储能、充电桩等众多关键领域市场,取得出色的业绩表现,在颁奖礼上荣获三项大奖:“中国SiC IDM十强企业”、“年度影响力产品奖”、“第三代半导体应用推动突破奖”。
瞻芯电子参与编制SiC MOSFET可靠性和动态开关测试标准,助推行业技术共识
为了让测试足够精准和稳定,需要定量的技术规范和测试方法。瞻芯电子结合长期的测试开发经验,参与编制了《SiC MOSFETs动态开关损耗测试方法》标准,以助推行业形成广泛的技术共识,实现有效的溯源和评比。
瞻芯电子亮相PCIM Europe 2024,全面展示碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片产品
瞻芯电子将于6月11日-13日,参加德国纽伦堡举办的PCIM Europe 2024展会。瞻芯电子将全面展示碳化硅(SiC)功率器件、驱动和控制芯片产品,以及多种参考设计方案和应用案例。同时,公司管理团队主要成员将出席参展,欢迎业界伙伴们莅临参观和交流。
瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/驱动与控制芯片选型指南
公司介绍 产品应用 产品概览 SiC Devices 产品概览 驱动与控制芯片 碳化硅(SiC)MOSFET 产品目录 碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品 碳化硅(SiC)肖特基二极管产品目录 碳化硅肖特基二极管系列产品 碳化硅功率模块系列产品 栅极驱动芯片系列产品 图腾柱 PFC 控制芯片系列产品 产品可靠性测试规范
瞻芯电子 - SIC MODULES,碳化硅肖特基二极管,专用栅极驱动芯片,SIC二极管,通用栅极驱动芯片,碳化硅功率模块,SIC DIODES,碳化硅 MOSFET,SIC MOSFETS,隔离驱动芯片,图腾柱 PFC 控制芯片,SIC模块,通用门驱动器,碳化硅金属氧化物场效应晶体管,SIC SBD,GENERAL GATE-DRIVER,电源管理控制芯片,SIC肖特基势垒二极管,SIC专用栅极驱动器,比邻驱动芯片,SIC-SPECIFIC GATE-DRIVER,SIC MOSFET,IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1,充电桩,储能变流器,新能源汽车,数据中心,风电,5G基站,充电桩模块,新基建,通信电源,轨道交通,EVTOL 电动垂直起降飞行器,光伏逆变器,储能
【元件】瞻芯电子新推TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET,已通过AEC-Q101认证
瞻芯电子正式量产了一款TO263-7封装的1200V 160mΩ碳化硅MOSFET(SiC MOSFET)产品(IV1Q12160D7Z),该产品通过了严格的车规级可靠性测试认证(AEC-Q101)。
【应用】采用开环LLC+电流源PFC方案实现全碳化硅高功率密度充电桩模块设计
国产碳化硅领先品牌瞻芯电子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驱动芯片开发了全碳化硅的充电桩模块包括PFC和DCDC的原型设计。该参考设计的功率密度比业界主流的充电桩模块提升50%,揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充电桩模块领域的巨大优势和潜力。
一篇文章综述中国碳化硅(SiC)产业建设进展
第三代半导体材料为氮化镓GaN、碳化硅SiC、氧化锌ZnO、金刚石C等,其中碳化硅SiC、氮化镓GaN为主要代表。在禁带宽度、介电常数、导热率及最高工作温度等方面碳化硅SiC、氮化镓GaN性能更出色。在5G通信、新能源汽车、光伏等领域头部企业逐步使用第三代半导体,瑞之辰等从业者认为成本下降有望实现全面替代。
【元件】瑶芯新一代1200V G4.5碳化硅MOSFET,持续赋能新能源产业高速发展
瑶芯微电子科技推出了1200V G4.5 SiC MOSFET系列,提升了导通电阻和动态性能,适用于高压应用如OBC。新一代G5产品即将推出,预计进一步降低导通电阻。1200V G4.5平台在多个性能指标上优于前代,提高了效率和性能。公司还提供MEMS传感器和信号链IC,服务于多个应用领域。
SiC产业技术与产能差距缩小,瑞之辰发挥碳化硅优势
近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。有数据预计2024年中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,市占率可能超过45%。随着新能源汽车对于能源转换效率、充电效率、续航时间等要求越来越高,推动了对高功率密度、耐高温、耐高压、体积更小等优势的SiC功率硅器件需求的快速增长。随着全球SiC材料产能的快速扩张,预计到2026年全球SiC市场将会出现产能过剩。
瞻芯电子荣获“东方芯港·明日之星”奖,致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化
2017年,瞻芯电子在东方“芯”港这片沃土创立,前瞻性地致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化,现已成长为我国少有的碳化硅(SiC)芯片的垂直整合制造(IDM)企业,累计交付核心产品:碳化硅(SiC)MOSFET约900万颗,驱动芯片约4800万颗,广泛应用于新能源汽车、光伏与储能、充电桩、工业和通信电源等领域。
派恩杰·苏州大会主题演讲 | 碳化硅功率器件的技术现状与发展趋势
2024年5月22日-23日,由雅时国际主办的“2024半导体先进技术创新发展和机遇大会”于苏州召开,派恩杰作为第三代半导体领先品牌,拥有深厚的技术底蕴和全面的产业链优势,在碳化硅领域拥有深厚的量产经验,2023年已成功上车100多万辆新能源汽车。
瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上,产品的长期可靠性得到市场验证
近日,自2020年正式发布第一代碳化硅(SiC) MOSFET产品以来,瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上,其中包含近400万颗车规级产品应用在新能源汽车市场,标志着产品的长期可靠性得到了市场验证。
上海瞻芯电子科技有限公司介绍
上海瞻芯电子科技有限公司是一家专注于碳化硅(SiC)半导体领域的高科技芯片公司。公司拥有经验丰富的团队,掌握6英寸SiC MOSFET和SBD工艺,提供SiC功率器件及驱动芯片解决方案。产品应用于新能源产业,致力于打造独立自主的碳化硅电力电子产业链。公司提供SiC MOSFET、SBD、驱动芯片和模块等产品,并涉及风能、光伏、工业电源等领域。
瞻芯电子 - SIC SBD,SIC驱动芯片,SIC场效应晶体管,驱动芯片,SIC肖特基势垒二极管,SIC MOSFET驱动芯片,SIC MOSFET,SIC模块,SI MOSFET驱动芯片,IV1D12020T2,IV1Q12050T3,IV1Q12050T4,IV1D12010BC,IV1D12030U2,IV1D12030U3,IV6212200HA1,IV1D12020T3,IVCR2401DP,IV1Q120080T3,IV1Q06050T4,IVCR2404D,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1D12010O2,IV1Q06050T3,IV1B12100HA1,IV1D12020U2,IVCR1401DP,IVCR2401,IV1Q12080T3,IV1D12040U3,IVCR1401D,IV1D12010T2,IV1Q12080T4,IVCR1801S,IVCR1407S,IVCR2405D,IVCR2403D,IVCR2401D,IV1D12015T2,IVCR1401,IV1D12005O2,通讯设备,开关电源,太阳能升压器,EV/HEV逆变及充电站,DC/DC变换器,DC/DC转换器,光伏逆变,EV车载充电器,不间断电源,AC/DC变换器,UPS,太阳能逆变器,电机驱动,充电桩,新能源汽车,风能逆变,维也纳三相PFC整流变换器,高压DC/DC变换器,UPS电源,整流器,感应加热,工业电源,逆变器续流,逆变器续流反并联二极菅,服务器,光伏逆变器,PV 升压及逆变器
【产品】瞻芯电子发布基于6英寸晶圆的1200V/80mΩ工规级SiC MOSFET,填补国内空白
2020年10月16日,“2020年瞻芯电子产品发布会”顺利举办,正式发布基于6英寸晶圆通过JEDEC(暨工规级)认证的1200V/80mΩ碳化硅(SiC)MOSFET产品。这是首款在国内设计研发、国内6英寸生产线制造流片的碳化硅MOSFET,该产品的发布填补了国内空白,性能达到国际先进水平。
铜流激荡,智驱新章 | 基本半导体铜烧结技术在碳化硅功率模块中的应用
铜烧结技术在碳化硅车载功率模块封装领域大有可为,基本半导体将积极推动该技术的产业化进程,充分发挥行业引领作用。未来,基本半导体将继续深化产学研合作,加速推进铜烧结技术的成熟和应用,为碳化硅车载功率模块的发展注入新的动力,助力新能源汽车产业实现更优性能、更高可靠、更低成本,推动行业生态良性发展。
电子商城
现货市场
服务
![](https://files.sekorm.com/opt/fileStore/srms/serviceManage/icon/2022/11/321d9dc6b3617807560e50427065a453.png)
可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
提交需求>
![](https://files.sekorm.com/opt/fileStore/srms/serviceManage/icon/2023/09/2c69c61c30794edea496264341005def.png)
可定制电机的连续转矩范围1Nm至2000Nm,峰值转矩3Nm至5500Nm,电机延长线长度、变换编码器类型。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论