车规级SiC/IGBT厂商阿基米德半导体授权世强硬创代理，助力碳中和
随着新能源汽车快速发展，下游对半导体分立器件的性能要求不断提高，由于人力及材料成本等因素，上游企业的技术和产品在进步更新的同时也面临产能不足、结构亟需调整等严峻挑战。
在行业推动及国家政策的支持下，合肥阿基米德电子科技有限公司自建了两条SiC/IGBT封装制造产线，目前已完成通线量产，同时在建的还有年产50万只的SiC塑封模块（包括DCM、DSC、TPAK）产线，致力于为用户提供新能源汽车及光伏储能领域的SiC/IGBT功率模块及分立器件等产品。
为将更多功率模块及分立器件等产品快速触达至终端应用市场，合肥阿基米德电子科技有限公司（下称“阿基米德半导体”，品牌名：Archimedes）授权世强先进（深圳）科技股份有限公司（下称“世强先进”）为亚洲区代理商。
双方将依托产业互联网平台世强硬创在产品销售、品牌推广等方面展开深度合作，为用户提供SiC MOS管、IGBT功率模块、SiC功率模块、IGBT分立器件、SiC分立器件、IGBT芯片、IGBT单管、Boost IGBT模块、PFC IGBT模块、半桥IGBT模块、汽车电驱IGBT模块等阿基米德半导体全线产品。
其中，IGBT功率模块可分为ACE功率模块和三电平逆变模块。ACE功率模块是一款具有低电磁干扰特性的产品，VcEsat带正温度系数，低热阻三氧化二铝衬底，应用于电动商用车、储能变流器、不间断电源、伺服驱动器产品及光伏发电、风力发电领域，并通过AQG324车规级可靠性测试。
而三电平逆变模块分为I型NPC和T型MNPC，是电压等级涵盖650～1200V的沟槽式栅场终止型IGBT功率模块；内置直流电容，低热阻三氧化二铝（Al2O3）衬底，多应用于不间断电源、太阳能系统、工业驱动器、电力滤波等产品。
与此同时，其IGBT芯片——1200V 75A IGBT芯片，已处于小批量流片阶段，该产品综合损耗超过国际友商IFX3代产品20%、6代产品15%；FRD芯片——1200V60A FRD芯片的反向恢复特性优于同类型产品20%，正在单版流片中。
目前，阿基米德半导体产品在新能源汽车动力与电源、变频器、工业电源、通讯电源、储能PCS、户外电源、风电变流器、车载DCDC等应用领域得到了广大客户的信赖与认可。与比亚迪汽车、理想、汇川技术、华为、阳光电源、英威腾等企业达成紧密的战略合作关系。
关于本次合作，阿基米德半导体表示，将发挥自身在新能源及光伏产业前沿技术，而世强先进凭借30年积累的客户资源及独特的O2O技术分销模式，双方共同推动国内SiC/IGBT产品的替代进程。
阿基米德半导体总部位于合肥市，主营新能源汽车及光伏储能充电用SiC/IGBT芯片及模块，致力于成为双碳时代功率半导体中国领跑者。公司核心技术团队由中国科学院院士领衔，团队成员来自英飞凌、安森美、华为、Vincotech、三菱等国内外大厂。公司一期厂房位于高新区长宁大道789号产业园，厂房面积7000平方米，二期自建厂房位于下卫岗，土地面积80亩。截至目前，公司自建两条SiC/IGBT封装制造产线已完成通线量产，并有两条在建。目前已具备年产50万只车规级模块和80万只光储模块的生产制造能力，在建年产50万只SiC塑封模块（包括DCM、DSC、TPAK）产线。公司将持续专注于功率半导体在新能源赛道的应用和升级，为中国实现碳达峰、碳中和目标贡献自己的力量。 查看更多
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