新能源汽车的“CPU”:IGBT芯片如何突出重围

2024-03-22 芯长征科技公众号
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01、占电机驱动系统成本一半的IGBT


如今全球的汽车已经进入到智能化时代,汽车对于芯片的需求剧烈增加,以往一个传统汽车需要的芯片数量是在五六百颗,到如今一台具备L2驾驶级别的高配燃油车就需要1000颗以上的芯片,一个配置较好的新能源纯电汽车更是需要2000颗以上芯片。而在众多新能源汽车芯片中,IGBT芯片绝对称得上“皇冠上的宝石”。


IGBT约占电机驱动系统成本的一半,而电机驱动系统占整车成本的15%-20%,也就是说IGBT占整车成本的7%-10%,是除电池之外成本第二高的元件,也决定了整车的能源效率不仅电机驱动要用IGBT,新能源的发电机和空调部分一般也需要IGBT。现如今IGBT单车价值量从过去的650元提升到了2000元,高端车型的价值量要达到4000元以上。 



不仅是新能源车直流充电桩和机车(高铁)的核心也是IGBT管,直流充电桩30%的原材料成本就是IGBT电力机车一般需要500个IGBT模块,动车组需要超过100个IGBT模块,一节地铁需要50—80个IGBT模块。


02、电子电力行业的“CPU”


在半导体产品中,功率半导体是包含了功率器件与功率IC两大类,功率IC相对来说集成芯片的小功率、小电压产品,功率IC集成度较高,是指将高压功率器件与其控制电路、外围接口电路及保护电路等集成在同一芯片的集成电路,主要应用于手机等小电压产品。


功率器件包括二极管、晶体管和晶闸管三大类,其中晶体管市场规模最大,晶体管又细分为IGBT、MOSFET、双极型晶体管等。功率器件是指体积较大,用来处理较大功率、大电压的产品,IGBT属于功率器件的一类产品。


资料来源:宏微科技招股说明书,东海证券研究所


IGBT是功率器件中的复合型器件,被称为电子电力行业的“CPU”,其由是双极型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOS)结合组成的,综合了BJT高电流密度和MOS高输入阻抗的特点,从而具有驱动功率小而饱和压降低的显著性能优势。通俗来讲,其作用就是将繁杂不一的电力,处理为终端产品所需的规格。


03、IGBT芯片主要用在哪儿


IGBT应用领域极其广泛,小到家电、数码产品,大到轨道交通、航空航天,以及清洁发电.新能源汽车、智能电网等战略性新兴产业都会用到IGBT。     

  

除熟悉的新能源汽车领域外,IGBT芯片更被称为光伏逆变器的“心脏”,其中光伏逆变器是最主要的应用场景,新能源发电输出的电能需要通过光伏逆变器将整流后的直流电逆变为符合电网要求的交流电后输入电网,这种线路需要将IGBT模块性能的可用性实现最大化以保持电网的稳定性。      


芯片在光伏领域最主要的应用场景


04、技术壁垒较高的细分赛道


自问世以来,IGBT不断在技术迭代,主要向着降低开关损耗和创建更薄的结构方向改善和发展,其纵向结构、栅极结构以及硅片加工工艺方面不断升级改进共经历了七次大型技术演变,各项指标在演变中不断优化。目前,IGBT芯片已经迭代至第七代精细沟槽棚场截止型IGBT,但考虑成本后,应用最广泛的仍是IGBT第四代产品。  


IGBT产业大致可分为芯片设计、晶圆制造、模块封装、下游应用四个环节,其中设计环节技术突破难度略高于其他功率器件,制造环节资本开支相对大同时更看重工艺开发,封装环节对产品可靠性要求高,应用环节客户验证周期长,综合看IGBT属于壁垒较高的细分赛道。     



在IGBT自主国产化道路上,晶圆制造与晶圆DIE环节都是亟待突破的技术难关。半导体硅片(也就是晶圆)对纯度和尺寸要求较高所以在技术上有着巨大的壁垒,由于起步较晚,目前中国硅片企业技术积累与国际巨头存在一定差距,全球90%的半导体硅片市场被5大国际硅片厂商所瓜分,国内能够商业化量产硅片的企业数量依然较少,且产品主要集中在6英寸以下,8英寸及12英寸产线的产能依然较为稀缺。


与此同时,晶圆DIE(在晶圆上形成的独立模块)也需要用到光刻机、光刻机等工具材料,同样存在“卡脖子”问题。


05、打破海外寡头垄断


全球IGBT市场呈现出集中度高,海外厂商英飞凌、富士电机、三菱这TOP3大企业占据了超过50%的市场份额。国外巨头英飞凌无论在单管还是模块都处于绝对龙头地位,而国内厂商市场份额较低,且只在某一产品上具备竞争优势。   


国内厂商和国外厂商存在差距的原因主要在于国外厂商成立时间早、技术积累丰富,同时与海外汽车工控等大型企业合作十分紧密,进而在技术与生态上优势显著。国内的几大厂商进入IGBT领域时间较晚,除技术需要不断之外,市场认可度及厂商关系也需要逐步建立。  



经过多年不懈努力,但国内IGBT行业企业已经完成0-1的技术突破先从消费级、工业级中低端产品入手逐步打开市场,目前已经有一些企业带来车规级高端产品市场,而从整个IGBT的产业链来看,核心环节几乎都是海外企业为主,但在每一个产业链环节,我国均有企业在积极布局。


根据中商产业研究院预计2023年中国IGBT产量有望快速增长达到3624万只,自给率也将达到32.90%,近年来随着我国IGBT技术的不断更新迭代,国产厂商逐步突破产能受限问题,加速产能布局目前正处于国产替代的增长阶段。


来源:功率半导体生态圈

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描述- 虹美功率半导体新一代IGBT系列产品, 基于沟槽电场截止型IGBT技术理论,进一步优化了器件结构,采用了先进超薄片工艺制程,从而大幅提高了器件的功率密度,显著改善了动态、静态性能。相比上一代IGBT,新一代IGBT芯片面积更小,芯片厚度更薄;导通压降(VCEsat)降低约0.3V,开关损耗降低20%以上;器件可耐工作温度更高,使用寿命更长;且维持了较强的短路能力、较高的参数一致性;综合性能达到业内领先水平。

型号- HM2N60F,HMS320N04D,HM4822B,HM20P02D,HM8N02MR,HMS310N85,HM3N40R,HMS320N04G,HMS60N10DA,HM3205,HMS150N04D,HM3207,HM2N60K,HM9435B,HM15N50D,HM15N50F,HM80N06KA,HM90N04D,HM17N10K,HMG40N65FT,HM150N03D,HM3N40PR,HMS150N06D,HM75N07K,HM4606D,HM2N20MR,HM3710K,HM20P03Q,HM90N07K,HM05P35MR,HMC4N65,HM10N10,HM3401PR,HMS5N90R2,HMC6N65K,HM20P02Q,HMS40N65T,HMS35N06D,HMS20N70,HMS45P06D,HMS35N06Q,HMC6N65Q,HMC15N65,HM06N15MR,HM4826A,HM12P06K,HMS260N10D,HM50N10K,HMS20N80,HMS60N06D,HMS10N15D,HMS15N65F,HM2N65K,HMG40N65AT,HMS60N06Q,HM40N10A,HM20N03K,HM2N65R,HM9N50K,HMS15N65K,HMS10N50,HMS15N65Q,HM4490B,HM4030D,HM10N65D,HMS3N65R,HM18P10K,HM150N03K,HM10N65F,HMS3N65K,HM4828A,HM4354,HM4110,HM3800D,HMS60N08D,HMS120N10,HM7002KDM,HM7002KDW,HM4805A,HM25N50F,HM90N02D,HM25N50A,HMS3N65F,HMS150N03D,HMC2N120,HMS330N06D,HM4402A,HM2305PR,HM4402B,HM4620D,HM6N70,HM4886A,HM4402D,HM3N80I,HMS10N50K,HM3N80K,HMS10N50F,HM12N60,HMS5N70R2,HMC2N65,HM3N80F,HM12N65,HM80N04K,HM5N65K,HM10N06Q,HM5N65F,HM25SDN03Q,HM80N03A,HMS135N85,HM4887B,HM1404B,HM1404C,HM1404D,HMS3N70R2,HM40N15KA,HM3205D,HM3205B,HM20N120FT,HM4N60I,HMS4444A,HM4922,HM0565,HM4923,HM4920,HM80N03K,HM4926,HM2310DR,HMS4444B,HM4N60R,HMS310N85D,HM4622A,HMS20N80T,HM3N100F,HM3205K,BSS138SR,HM8N100A,HM3N100D,HM07DP10D,HM3400B,HM3400C,HM3400D,HM3400E,HM3DN10D,HMS20N80D,HM8N100F,HMS20N80F,HM18SDN04D,HM4953,HM20DN04Q,HMS3205,HM3P10MR,HM6N10PR,HM15P06Q,HM830,HM55N03D,HM3401C,HM3401D,HM25N120FT,HM3401E,HM3207D,HM30DN02D,HMS17N65,HM3207B,HM6803D,HM3207T,HM340B,HMS17N65F,HMS25N65F,HM4N65K,HMS17N65D,HM4N65F,HMS8N70,HMS8N65,HM4N65R,HMS80N10K,HM2310,HM840,HM3401,HMS80N10G,HM2301BJR,HM3400,HMS25N65T,HM2301DR,HMS15N80F,HMS15N80D,HM3407,HM2318,HM2319,HMS5N65K,HM5N20R,HM2309APR,HMS5N65F,HM2319D,HM16N50F,HMS5N65R,HMS80N10D,HM10N70,HMS5N65Q,HM20P04Q,HMS135N04D,HM4963,HM2301,HM2300,HM9N90F,HM2302,HM2305,HM9N90A,HM10N65,HM4953B,HM2318D,HM3N120F,HM10N60,HM3N120A,HM3422,HM6804D,HM8N60,HM4821A,HMS3205K,HM4409A,HM4402CE,HMC20N120,HM11P20K,HM8N65,HMS3205D,HM2301BKR,HMC20N65T2,HM100N06D,HM01N100PR,HMS11N70K,HM603K,HM30P10,HMS11N70Q,HMS135N10,HM85N02K,HM15N50,HM2818D,HM640,HMS11N70F,HM12N65F,HM12N65D,HM20N50F,HM30SDN02D,HM8205,HM2819D,HM40N20,HM06DP10Q,HM20N06KA,HM1607,HM250N03,HMC10N65,BSS138KR,BSS123DM,HM605K,HM4N70,HMS21N65D,HM6604DB,HMS21N65F,HMC2N120K,HMS21N65T,HM4421C,HM100N06,HM4421A,HM100N03,HM100N02,HM4N60,HM4N65,HMS85P06,HM15N25,HM607K,HM3808,HM30N10,HM18N50F,HMS4354,HM30P55,HM30N04Q,HM12N20D,HM2301BSR,HM2N15PR,HM18N50A,HMS120N10G,HMS320N04,HMS120N10D,HMS120N10K,HM20P02QD,HM45N02Q,HM4421D,HMC5N120K,HMC4N65K,HMS80N06D,HM2P15R,HM5N60I,HM5N60K,HM25P15K,HM30N04D,HMC20N65,HM4640D,HM4884A,HM609K,HM30N02Q,HMS85N10,HM85P02K,HMS5N90K,HMS5N90F,HM70P03K,HMS5N90I,HMS5N90R,HM13N50,HM20N50A,HM40DN04K,HM30N03K,HM100N03K,HM1404,HM3207BD,HM2301KR,HM100N03D,HM45N02D,HM4885A,HM100P03,HM4884Q,HM30N02D,HMS310N85LL,HMS330N06,HM100N02K,HM5N06APR,HM09P12D,HM70N75,HM4260,HM5P15D,HM45P02D,HMS320N04LL,HMS10N80,HM2810D,HMN9N65Q,HM4P10D,HM50N06KA,HM70N80,HM4485,HMN9N65D,HM4484,HM70N88,HM25N60A,HM4P10R,HM4487,HM30P02K,HMC15N65D,HM3205BK,HM7N80F,HM730F,HM2N10B,HM2N10C,HMS3N70,HM50N08,HM50N06,HM3N150,HM50N03,BSS84,HM10N60F,HMS50N06K,HMC8N65K,HMC8N65Q,HMC8N120K,BSS138DM,HM4485A,HM45N06D,HM40P04,HM4030,HM4264,HM6604BWKR,HMS4030D,HM15N25K,HM4486A,HM4110T,HM50N20,HM4P15Q,HM4P10PR,HM4485E,BSS138DW,HM100P03K,HM4485B,HMS100N85D,HMS100N85G,HMS100N85K,HM840F,HM4487B,HM4487A,HMS3N65,HM15N02Q,HM2N60,HM2310PR,HM7002KR,HM12N60F,HMS5N65R2,HM8820E,HM17N10,HMS85N10K,HMS85N10G,HM10N80F,HMS85N10D,HM35P03KA,HM45P02Q,HM30P03Q,HM10N80A,HM8N65K,HMS330N06LL,HM8N65F,HMS8N70F,HM3401DR,HM4440A,HM45P03K,HM9N20K,HM15N25F,HMS8N70K,HM3400KR,HM4616D,HM5P55R,HM16N65F,BSS84DM,HM4616A,HM10N10Q,HM4412,HMS40N10KA,BSS84DW,HM10N10K,HMC8N120,HM4615Q,HMS3N70K,HM75N06KA,HMS3N70F,HM4885,HM4884,HM60P06K,HM50N03K,HMS3N70R,HM4887,HM4409,HM15N120FT,HM4407,HM4616Q,HM2302F,HM2302G,HM2302D,HM60P06,HM2302E,HM2302B,HM80N15,HM4618A,HMC20N120D,HM3N30R,HMS190N04D,HM35P03D,HM35P03K,HM4435,HMS15N70Q,HM4438,HM50P35DE,HM10DP06D,HMS15N70F,HM4437,HM2N50R,HMS15N70K,HM2301E,HM4N10D,HM40N20D,HM2301D,HM2301B,HM7002K,HM40N10KA,HMS18N10Q,HMS200N03D,HM6602,HM4924/B,HM4421,HM4618Q,HMS18N10D,HM6604,HMS100N20D,HM120N04,HM70N75D,HM2300B,HMS80N25,HM120N03,HMS5N80,HM35N03D,HMS5N70,HM4453,HM4450,HM8205D,HM80N70,HM3N30PR,HM10SDN06D,HMC20N65D,HMS80N10,HM25N65A,HM3N100,HM4924B,HMS5N90,HM4443,HM4449,HM1P10MR,HM4447,HM20N15D,HM60N06,HM60N05,HMS40N10D,HM60N08,HM60N02,HMS15N50F,HM60N04,HMS15N50D,HM60N03,HMS65N65T,HMS80N85D,HMS125N10D,HM4240,HMS21N65,HM4480,HM50P06,HM50P03,HM50P02,HM3N10A,HM9926,HM2N65PR,HM6P15K,HM35N03Q,HM02P30R,HM8205A,HM6400,HM2318APR,HMS5N65,HM6401,HM3N120,HM6408,HMS40N10A,HM6409,HM75N80,HM13P10K,HMS10DN08Q,HM10DN06Q,HM25N06D,HM60N03D,HM6N10R,HM2302BKR,HM4812,HM4813,HM25N10,HM60N03K,HMS4438,HMS85N08K,HM2302KR,HM70P04K,HM2N50PR,HMS16N70,HM150N03,HM60N04K,HM3710,HM4805,HM4803,HMS260N10LL,HM7N60,HM18N40F,HMS5N70F,HMS135N10K,HM3N70I,HM18N40A,HM3N70K,HM18DP03Q,HMS5N70K,HMS80N25D,HM4830,HM18DP03D,HM60N05K,HM45P03,HMS5N70

选型指南  -  虹美功率半导体  - 2023/11/6 PDF 中文 下载

创格电子授权世强硬创代理家电/工业/消费薄膜电容器,国产替代提速

双方以产业互联网平台世强硬创依托,共同为下游终端企业提供家电、工业、商用和消费类薄膜电容器产品。

签约新闻    发布时间 : 2024-11-14

瑶芯微IGBT选型表

瑶芯微(ALKAIDSEMI)提供如下IGBT产品的技术选型,具有IGBT + FRD两种类型,VCES/VF(V)范围:+650~+1200,ICE/IF(A)范围: +40~+100;VCE sat(V)范围:+1.65~+2;Vth(V)范围:+4~+5.8;VF(V)范围:+1.35~+1.9....瑶芯微的IGBT产品具有TO-247PLUS-3L、TO-247-3L等多种封装形式可广泛应用于家电 、工业变频、车载逆变、工控、新能源等领域。

产品型号
品类
Package
Type
VCES/VF(V)
ICE/IF(A)
VCE sat(V)
Vth(V)
VF(V)
AKBK2A075WCHM
IGBT
TO-247PLUS-3L
IGBT + FRD
1200
75
2
5.8
1.7

选型表  -  瑶芯微 立即选型

IGBT应用在那些地方呢 ?

IGBT应用范围按照领域的不同主要可以分为三大类:消费类,工业类,汽车类。IGBT单管主要应用于小功率家用电器、分布式光伏逆变器;IGBT模块主要应用于大功率工业变频器、电焊机、新能源汽车(电机控制器、车载空调、充电桩)等领域;而IPM模块应用于变频空调、变频冰箱等白色家电产品。

应用方案    发布时间 : 2024-04-25

电动汽车动力“心脏“IGBT全面解析:构成本质、原理、工作范围、关键特性、应用指南

本文将详细探讨IGBT的工作原理、结构特点、适用范围,以及与其他功率器件(如MOSFET和双极晶体管)的比较,并通过实际应用产品的分析,揭示IGBT在不同领域中的独特优势。

技术探讨    发布时间 : 2024-11-12

【技术】IGBT及其IGBT模块是如何进行导通的?

本文slkor将介绍IGBT及其IGBT模块导通原理。其中IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor,它的中文意思是绝缘栅双极晶体管。IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控制电压驱动功率半导体器件。IGBT模块是由IGBT和FWD通过特殊的电路桥封装而成的模块化半导体产品。

技术探讨    发布时间 : 2022-01-16

【元件】固锝新推耐压650~1200V、电流30-100A的FS-IGBT系列,用于电机驱动、白色家电等

FS-GBT系列可以广泛底应用在光伏逆变器、储能、不间断电源UPS、电机驱动、以及各类白色家电中; 具有低饱和压价 VCE(sat)、高开关速度、高承压VCES性能、以及出色的短路能力,具有高度的参数一致性和稳定性。

产品    发布时间 : 2023-11-17

什么是IGBT?本文为您详细解析

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是绝缘栅双极型功率管的简称,是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件, 是一种三端半导体开关器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点,可用于多种电子设备中的高效快速开关。本文中金誉半导体来为大家介绍IGBT。

技术探讨    发布时间 : 2024-10-31

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