尺寸减半、高效率替代功率MOSFET的EPC氮化镓场效应晶体管，市场占有率世界第一
EPC（宜普电源转换公司）是目前世界上最大的GaN FET供应商，于2009年6月推出了全球首款替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管。EPC第五代氮化镓（eGaN）晶体管及集成电路系列还荣获了《今日电子》/21IC中国电子网颁发的2017年度"Top10电源产品-最佳应用奖"。
EPC推出的GaN FET产品具有小尺寸、高开关速度、高频率、高功率密度以及低损耗等突出优势，在性能上比硅材料的功率器件优越很多。其目标应用包括直流-直流转换器、无线电源传送、包络跟踪、射频传送、功率逆变器、激光雷达（LiDAR）及D类音频放大器等。EPC正在扩大基于eGaN IC的产品系列，为客户提供进一步节省占板面积、节能及节省成本的解决方案。
EPC氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）品类优势：
EPC公司推出的的eGaN FET能够以更高的开关速度工作，所以转换器可以比硅MOSFET工作在更高频率之下，并且产生更低的能源消耗。eGaN FET技术的整体优势是通过更高的开关速度获得更优越的性能，加上其固有的低开关损耗，可以比传统MOSFET技术更加节约能源。另外，eGaN FET较低的损耗能够为其提供优越的散热性能。EPC推出的eGaN FET产品包括单路eGaN FET、半桥eGaN FET和同步启动的双路eGaN FET。
小尺寸单路eGaN FET：采用小尺寸的LGA和BGA封装，尺寸最小至0.9mm x 0.9mm，这种封装可以减小电路板面积、杂散电感和寄生电阻。单是在封装方面的优势便使得EPC氮化镓器件的制造成本被降低一半。本文推荐型号为EPC2001C、EPC2007C和EPC2016C，具备纳秒级开关速度，以及更精确、更小的脉冲。提供极小的封装尺寸，更高的功率密度和更低的电感，并集成激光二极管。此外，还具有更高的效率和脉冲重复率。这三款器件是激光雷达的理想选择，为其提供优越的解像度和快速反应时间。
超低导通电阻半桥eGaN FET：低功耗、高效率的典型代表，内含36个PN结，具备超低导通电阻（RDS(ON)）,最低可达2mΩ，极大地降低了系统损耗。本文推荐型号为EPC2104和EPC2105，在22A电流条件下其系统效率可超过97%，具有超过10MHz的高频率操作，采用了高密度引脚和低导通电阻封装。这两款器件可用于高频率DC/DC转换器中，为其提供低传导损耗、低驱动功率，并提高输出功率及效率。
高可靠性双路eGaN FET：具备高可靠性，800万器件小时应力测试无失效，可有效延长产品开发人员应用设计的生命周期。本文推荐型号为EPC2107和EPC2108，工作温度范围为-40℃~+150℃，可轻松应对极端温度环境；高频率、高效率以及地导通电阻等特性使其非常适用于无线充电、DC/DC转换器等领域，为其提供足够快的开关速度。
世强是EPC官方授权一级分销商，可供应EPC的单路eGaN FET、半桥eGaN FET及同步启动的双路eGaN FET等全线氮化镓产品，可为激光雷达、无线充电、充电桩、电机控制等领域提供解决方案及专业技术支持，备货充足，可根据项目提供最佳价格支持。
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【选型】EPC硅基增强型氮化镓(eGaN)场效应晶体管选型指南
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