3300V SiC MOSFET栅氧可靠性研究
碳化硅SiC（silicon carbide）功率器件因其卓越的材料优势，近年来得到迅速发展。高压、高频、高温和高功率密度等器件特性，使其在高效电能转换领域有巨大的市场，其中金属-氧化物-场效应晶体管MOSFET的发展最引人关注。目前中、低压SiC MOSFET已经部分商业化，Cree、Rohm和Infineon等公司先后推出了相关产品，被广泛应用于电源、光伏和新能源汽车等领域。以3300V为代表的高压SiC MOSFET已经出现样品，并逐步在轨道交通和机车牵引等领域展开试用，大幅提升了系统的效率，降低系统体积。
与Si功率器件相同，SiC MOSFET按照沟道方向可以分为平面型MOSFET和沟槽型MOSFET。平面型MOSFET工艺相对简单，但JFET区域会存在夹断效应，造成导通电阻增大；沟槽型MOSFET通过垂直沟道，解决了JFET区域电流夹断的问题，降低了器件的导通电阻，同时缩小了芯片元胞结构的尺寸，以实现更大的电流能力，但SiC沟槽的刻蚀及氧化工艺难度较大，且沟槽底部的电场尖峰较高，容易造成提前击穿，需要进行专门保护。
功率器件的可靠性是指在其工作边界内长期使用的寿命， 通过加速老化试验来进行研究。SiC MOSFET 可靠性的研究主要集中在栅极氧化层方面，由于SiC材料由Si和C两种原子组成，栅极氧化层时通过热氧化，将Si元素变成SiO2，C则转化为CO或者CO2排出，C元素如不能顺利排出，则会使氧化层质量下降，造成器件可靠性下降。因此，SiC MOSFET器件的栅氧可靠性问题是长期以来的研究热点。
1. 3300V SiC MOSFET
1.1 器件结构
采用平面栅技术，基于中车时代电气半导体有限公司的工艺平台完成3300V SiC MOSFET芯片的制造，其元胞截面结构见图1。其中，在外延层上通过离子注入工艺，依次形成P型基区与N+重掺杂区，然后完成栅极和源极的图形化。P型基区中间的区域被称为“JFET区”，该区域的尺寸对芯片的电流能力有直接影响。设计中对JFET区的宽度进行了分组，分别设置了2.5、3.5和4.5μm 3种结构。
1.2 参数性能
对完成制备的3300V SiC MOSFET器件，使用Agilent B1505A进行击穿特性、阈值特性和输出特性的测试，测试结果如图2所示。从测试结果来看，器件在3000V电压下漏电流IDSS<1μA，JFET宽度为4.5μm结构漏电流略大；器件的阈值电压Vth≈2.5V，与设计无相关性；器件的漏极电流IDS与JFET关系很大，在 VGS=20 V、VDS=2V时，3种结构的漏极电流IDS依次为8、7和5.0A。
2. 高温栅偏试验
2.1 试验过程
高温栅偏HTGB（high temperature gate bias）试验主要是对器件栅氧可靠性的考核，用于表征栅氧的质量及寿命等。挑选6只不同结构的3300V SiC MOSFET按照如下条件进行试验：Ta=150℃，VDS=0V，VGS=20V，t=168h。器件在HTGB试验过程中，栅极漏电IGSS的监控结果如图 3 所示。从监控结果来看，考核过程中器件栅极漏电IGSS稳定，且小于0.3nA，未出现失效。
2.2 考核分析
对被考核的器件依次进行击穿特性、阈值特性和输出特性的测试， 并与考核前测试结果进行对比。考核前后的器件参数对比结果如图4所示。图4中，在考核后的击穿电压测试中，被测6只器件，有3只发生失效，击穿电压变为0V；失效器件的阈值特性与合格器件出现明显差异，阈值曲线变软，如图4（b）所示；而输出特性与合格器件未发现明显区别。结合图3的监控数据，在考核过程中器件栅极漏电流小于0.3nA，监控数据正常。因此，失效应该是发生在HTGB试验后击穿电压测试阶段，在器件承受反向较高的偏压时，栅氧化层被击穿，造成栅源穿通，导致阈值电压异常。
3. 反偏栅应力试验
针对击穿特性评估中，出现栅氧的失效问题，基于3300V SiC MOSFET开展进一步研究，以评估高压SiC MOSFET器件在反偏时栅氧的电应力问题。
3.1 试验原理
在MOSFET击穿电压测试时， 漏极加高压，源极与栅极短接接地， 实际存在漏源和漏栅2个漏电通道。漏源之间的漏电流IDS实际是PN结漏电流；漏栅之间的漏电流IDG实际是MOSFET器件在承受反偏电压时栅氧的漏电流。图5为该试验的原理，通过R1和R2分别记录漏栅电流IDG与漏源电流IDS。
3.2 试验条件
挑选JFET宽度为2.5μm器件2只、JFET宽度为3.5μm器件6只、JFET宽度为4.5μm器件2只，共10只器件进行试验，测试条件如下。
条件 1：Ta=150℃，VCC=30V，t=30min；
条件 2：Ta=150℃，VCC=1500V，t=60min；
条件 3：Ta=150℃，VCC=2000V，t=120min；
条件 4：Ta=175℃，VCC=2000V，t=60min。
记录漏源之间漏电流IDS和漏栅之间漏电流IDG。
3.3 试验结果
图6为漏源之间漏电流IDS和漏栅之间漏电流IDG的试验结果。不同设计器件的IDS和IDG漏电与考核中电热应力的关系如表1所示。
从图6及表1可以看出， 对于3种不同JFET宽度设计的3300V SiC MOSFET。
（1）漏源之间的漏电流IDS，主要是PN结漏电，随着VCC的增大及温度的升高而增大；不同器件的漏电有差别，受终端保护环设计、材料缺陷等影响较大，与JFET宽度设计无关。
（2）漏栅之间的漏电流IDG，主要是栅氧的漏电流，会随着温度的升高及栅氧电应力的增大而增大。在本次试验中，未直接给栅极施加电应力，但IDG随着漏源之间耐压VDS的增大而增大，并且表现出与JFET宽度的相关性，JFET宽度越宽，该漏电越大。在VDS=2000V，Ta=175℃时，该漏电已达到50nA，说明此时栅氧承受着很大的栅应力。
3.4 仿真验证
SiC MOSFET器件在承受漏源耐压时，如图7所示，正面的P型基区/N型漂移层结扩展以承受电压。随着反向耐压的增大，耗尽层（图7中虚线）会继续往垂直方向扩展。与此同时在器件横向方面，同样会存在电场扩展，造成A点的电势升高。
借助TCAD Sentaurus仿真软件，对漏源耐压为2000V时，不同JFET宽度中栅氧下0.01μm处的电势进行仿真，结果如图8所示，其中X表示沿着沟道方向的横向距离，Y表示栅氧下0.01μm处。3种JFET 宽度下，A点（JFET区中心点，栅氧下0.01μm处）的电势分别达到17.5、22.1和25V。JFET越宽，该点的电势越高，这也能够证明图6中的试验结果。
4.结语
通过对3300V SiC MOSFET栅氧可靠性的试验研究，发现不同芯片设计中，栅氧在MOSFET器件承受反偏电压时所承受的应力不同。该电应力随着反偏电压的增大及温度的升高而增大。针对这种现象，在高压SiC MOSFET器件可靠性评估中应额外考虑；此外，需要在设计及应用中对该隐患加以重视。
来源：变流与逆变技术
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