3300V SiC MOSFET栅氧可靠性研究

时间： 2024-03-19 来源：芯长征科技公众号

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碳化硅SiC（silicon carbide）功率器件因其卓越的材料优势，近年来得到迅速发展。高压、高频、高温和高功率密度等器件特性，使其在高效电能转换领域有巨大的市场，其中金属-氧化物-场效应晶体管MOSFET的发展最引人关注。目前中、低压SiC MOSFET已经部分商业化，Cree、Rohm和Infineon等公司先后推出了相关产品，被广泛应用于电源、光伏和新能源汽车等领域。以3300V为代表的高压SiC MOSFET已经出现样品，并逐步在轨道交通和机车牵引等领域展开试用，大幅提升了系统的效率，降低系统体积。

与Si功率器件相同，SiC MOSFET按照沟道方向可以分为平面型MOSFET和沟槽型MOSFET。平面型MOSFET工艺相对简单，但JFET区域会存在夹断效应，造成导通电阻增大；沟槽型MOSFET通过垂直沟道，解决了JFET区域电流夹断的问题，降低了器件的导通电阻，同时缩小了芯片元胞结构的尺寸，以实现更大的电流能力，但SiC沟槽的刻蚀及氧化工艺难度较大，且沟槽底部的电场尖峰较高，容易造成提前击穿，需要进行专门保护。

功率器件的可靠性是指在其工作边界内长期使用的寿命，通过加速老化试验来进行研究。SiC MOSFET 可靠性的研究主要集中在栅极氧化层方面，由于SiC材料由Si和C两种原子组成，栅极氧化层时通过热氧化，将Si元素变成SiO₂，C则转化为CO或者CO₂排出，C元素如不能顺利排出，则会使氧化层质量下降，造成器件可靠性下降。因此，SiC MOSFET器件的栅氧可靠性问题是长期以来的研究热点。

1. 3300V SiC MOSFET

1.1 器件结构

采用平面栅技术，基于中车时代电气半导体有限公司的工艺平台完成3300V SiC MOSFET芯片的制造，其元胞截面结构见图1。其中，在外延层上通过离子注入工艺，依次形成P型基区与N+重掺杂区，然后完成栅极和源极的图形化。P型基区中间的区域被称为“JFET区”，该区域的尺寸对芯片的电流能力有直接影响。设计中对JFET区的宽度进行了分组，分别设置了2.5、3.5和4.5μm 3种结构。

1.2 参数性能

对完成制备的3300V SiC MOSFET器件，使用Agilent B1505A进行击穿特性、阈值特性和输出特性的测试，测试结果如图2所示。从测试结果来看，器件在3000V电压下漏电流IDSS<1μA，JFET宽度为4.5μm结构漏电流略大；器件的阈值电压V_th≈2.5V，与设计无相关性；器件的漏极电流IDS与JFET关系很大，在 V_GS=20 V、V_DS=2V时，3种结构的漏极电流IDS依次为8、7和5.0A。

2. 高温栅偏试验

2.1 试验过程

高温栅偏HTGB（high temperature gate bias）试验主要是对器件栅氧可靠性的考核，用于表征栅氧的质量及寿命等。挑选6只不同结构的3300V SiC MOSFET按照如下条件进行试验：Ta=150℃，V_DS=0V，V_GS=20V，t=168h。器件在HTGB试验过程中，栅极漏电I_GSS的监控结果如图 3 所示。从监控结果来看，考核过程中器件栅极漏电I_GSS稳定，且小于0.3nA，未出现失效。

2.2 考核分析

对被考核的器件依次进行击穿特性、阈值特性和输出特性的测试，并与考核前测试结果进行对比。考核前后的器件参数对比结果如图4所示。图4中，在考核后的击穿电压测试中，被测6只器件，有3只发生失效，击穿电压变为0V；失效器件的阈值特性与合格器件出现明显差异，阈值曲线变软，如图4（b）所示；而输出特性与合格器件未发现明显区别。结合图3的监控数据，在考核过程中器件栅极漏电流小于0.3nA，监控数据正常。因此，失效应该是发生在HTGB试验后击穿电压测试阶段，在器件承受反向较高的偏压时，栅氧化层被击穿，造成栅源穿通，导致阈值电压异常。

3. 反偏栅应力试验

针对击穿特性评估中，出现栅氧的失效问题，基于3300V SiC MOSFET开展进一步研究，以评估高压SiC MOSFET器件在反偏时栅氧的电应力问题。

3.1 试验原理

在MOSFET击穿电压测试时，漏极加高压，源极与栅极短接接地，实际存在漏源和漏栅2个漏电通道。漏源之间的漏电流I_DS实际是PN结漏电流；漏栅之间的漏电流I_DG实际是MOSFET器件在承受反偏电压时栅氧的漏电流。图5为该试验的原理，通过R1和R2分别记录漏栅电流I_DG与漏源电流I_DS。

3.2 试验条件

挑选JFET宽度为2.5μm器件2只、JFET宽度为3.5μm器件6只、JFET宽度为4.5μm器件2只，共10只器件进行试验，测试条件如下。

条件 1：Ta=150℃，V_CC=30V，t=30min；

条件 2：Ta=150℃，V_CC=1500V，t=60min；

条件 3：Ta=150℃，V_CC=2000V，t=120min；

条件 4：Ta=175℃，V_CC=2000V，t=60min。

记录漏源之间漏电流I_DS和漏栅之间漏电流I_DG。

3.3 试验结果

图6为漏源之间漏电流I_DS和漏栅之间漏电流I_DG的试验结果。不同设计器件的I_DS和I_DG漏电与考核中电热应力的关系如表1所示。

从图6及表1可以看出，对于3种不同JFET宽度设计的3300V SiC MOSFET。

（1）漏源之间的漏电流I_DS，主要是PN结漏电，随着V_CC的增大及温度的升高而增大；不同器件的漏电有差别，受终端保护环设计、材料缺陷等影响较大，与JFET宽度设计无关。

（2）漏栅之间的漏电流I_DG，主要是栅氧的漏电流，会随着温度的升高及栅氧电应力的增大而增大。在本次试验中，未直接给栅极施加电应力，但I_DG随着漏源之间耐压V_DS的增大而增大，并且表现出与JFET宽度的相关性，JFET宽度越宽，该漏电越大。在V_DS=2000V，Ta=175℃时，该漏电已达到50nA，说明此时栅氧承受着很大的栅应力。

3.4 仿真验证

SiC MOSFET器件在承受漏源耐压时，如图7所示，正面的P型基区/N型漂移层结扩展以承受电压。随着反向耐压的增大，耗尽层（图7中虚线）会继续往垂直方向扩展。与此同时在器件横向方面，同样会存在电场扩展，造成A点的电势升高。

借助TCAD Sentaurus仿真软件，对漏源耐压为2000V时，不同JFET宽度中栅氧下0.01μm处的电势进行仿真，结果如图8所示，其中X表示沿着沟道方向的横向距离，Y表示栅氧下0.01μm处。3种JFET 宽度下，A点（JFET区中心点，栅氧下0.01μm处）的电势分别达到17.5、22.1和25V。JFET越宽，该点的电势越高，这也能够证明图6中的试验结果。

4.结语

通过对3300V SiC MOSFET栅氧可靠性的试验研究，发现不同芯片设计中，栅氧在MOSFET器件承受反偏电压时所承受的应力不同。该电应力随着反偏电压的增大及温度的升高而增大。针对这种现象，在高压SiC MOSFET器件可靠性评估中应额外考虑；此外，需要在设计及应用中对该隐患加以重视。

来源：变流与逆变技术

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瑶芯微（ALKAIDSEMI）功率器件产品选型指南

目录- 公司简介功率器件产品命名规则功率器件产品应用推荐功率器件产品清单

型号- AKT4050K,AKS65N1K8FM,AKT3B165GL,AKCK2M080WAMH-A,AKS60N680LMF,AKG10N077GM,AKCK2M040WAMH-A,AKC65D008PAHH,AKG85N050P,AKT4050G,AKBK2A040WHH,AKG10N077GL,AKT20P50Q,AKBK2A040WHM,AKT1A024MBU,AKT30P35K,AK1K2FRD51,AKG85N050D,AKG6N200KL,AKT20P75CG,AKG3N007GL,AKT15P230EL,AKG4N012GM,AKG4N007TL,AKG4N007TM,AKT30P35G,AKT2A165EAU,AKT7002,AKT3070Q,AKCK7M1M0WMH,AKG4N068GL-A,AKG15N110PM,AKT4P135GM-A,AKT3075CQ,AKS65N3K6FAM,AKC65D010DHH,AKT2N105SU,AKT30P10S,AKT3B350GL,AKT4060K,AKG4N024KM,AKCK2D015WBHH,AKT300808S,AKS65N410WMF,AKT40P06S,AKG4N070QL,AKDK2N075WBH,AKT20P60Q,AKT30P25Q,AKT20P60K,AK1K2FRD77,AKG4N013GM-A,AKG10N130KL,AKG4N006TM,AKT20A12K,AKC650D006PA,AKG120N7G,AKT30P25K,AKT3080Q,AKT4P138KM-A,AKT3080K,AKS70N6K0FM,AK750FRD49,AKT3080G,AKG3N019GL,AKS65N1K9FM,AKG10A900AL,AKG6N028GL,AKG6N300KL,AKT20P70K,AKG10N016TM,AKT30P55K,AKCK2M080WMH,AKT2301B,AKT2301A,AKT4407A,AKG4N024DM,AKG4N036GL,AKT3P190KL,AKT30A19P,AKT30A19K,AKCK2M030DBMH,AKS65N3K6FM,AKS70N3K6FM,AKT30P55G,AKG6N016GL,AKT30A19D,AKT3090K,AKT3090G,AKT30P30G,AKT4A160GL,AKT2302B,AKT2302A,AKS65N1K9DM,AK1K2FRD24,AK1K2FRD25,AKG4N026KM,AKT3A200QL,AKS65N1K9FAM,AKBK2A075YHH,AKG85N052P,AKT4080K,AKT30P22G,AKG10N042DM,AKG10N015TM,AKT30P45Q,AKG10N036PM,AKT30P45K,AKG10N130GL,AKT20P80G,AKG4A058GM-A,AKBK2A075YHM,AK1K2FRD35,AKG85N065P,AKT3B300QL,AKG10N100PM,AKT30P45G,AKG10N054DM,AKS65N410WMF-A,AKG15N072DM,AKG4N068QL-A,AKS65N1M0KM,AKT2312A,AKT30P20Q,AKG10N200SL,AKT40P12S,AKT4A235QL,AKT3B330GL,AKS65N1K9PM,AKT0142D,AKG6A110GL-A,AKG10N020TM-A,AKG6N045GL,AKT6N370KL,AKG10N022DM,AKG100N077GM,AKS70N6K0KM,AKG4N035QL,AKT20P90G,AKG4N058GM-A,AKG4N032KM,AKT15P225JL,AKG4N053GL,AKT30A15K,AKG4N024PM,AKT30A15D,AKC65D006KHH,AKT40P12G,AKT30P50G,AKG10N220KL,AKT30A15P,AKT40P10S,AKT40P10K,AKBK2A100YHM,AKT40P35G,AKBK2A100YHH,AKT3B210GL,AKB65A080WHH,AKS65N1K9FMF,AKG4N058QM-A,AKG6N120KL,AKT3B135GL,AKC65D020WBHH,AKG100N8K,AKG15N070DM,AKS60N1K8KM,AKT3N050KL,AKG10N046GL,AKS65N3K6PM,AKS60N280WM,AKG6N068KL,AKT0142P,AKG4N035PL,AKT30P40Q,AKG10N100KL,AKT3008S,AKS65N6K0FM,AKG100N8P,AKT60DN03,AKG10N080PM,AKT3A135QL,AKG10N080PL,AKT30A12G,AKT6004,AKG6N070QL,AKS65N1K9LM,AKT1A055MAU,AKC65D008KHH,AKG70N082G,AKG70N082D,AKT8290P,AK1K2FR1D4,AKG70N082P,AKC75A260NM-A,AKG10N080KL,AK1K2FR1D9,AKG70N082K,AKT30A11G,AKC65D010PAHH,AKG10N036DM,AKT7080P,AKT7080K,AKG6N035GL,AKG4N033KM-A,AKG10N096SL,AKT7080D,AKC65D006GHH,AKT2035K,AKT4008S,AKS65N6K0KM,AKT40P15K,AKG6N220KL,AKT3P050KL,AKG15N049DM,AKT3015Q,AKT2P073KU,AKT20P07,AKS65N3K6LM,AKBK2A100WHH-A,AKT30P60K,AKT40P40K,AKG3N015QL,AKG40N018G,AKT6888D,AKT6888K,AKT2008,AKCK2M017WMH,AKG10N900EL,AKT6080K,AKT6888P,AKT6080D,AKCK2D020WBHH,AKG6N042KM,AKT1815Q,AKG10N038GL,AKCK2M040WMH,AKG4N009DAM-A,AKG3N011GL,AKT30A10D,AKT2055Q,AKCK2M160WAMH,AKG10N100DM,AK650FR1D9,AKG6N036WM,AKT30A10P,AK1K2FR2D6,AKT30A10K,AKT01P55K,AKT40A14K,AKT01P55P,AKT40A14P,AKCK2M080DBMH,AKC65D010KHH,AKT3012S,AKG4N008GM,AKCK2M040WAMH,AKG100N10G,AKS65N700WMF,AKG4N012TM,AKT2065G,AKC75M015WMH,AK650FR2D6,AKG15N070PM,AKG20N107DM,AK1K2FR5D2,AKC65D020WHH,AKT4015A,AKT4013S,AKT3035G,AKT8810,AKG12N070GM,AKT3022Q,AKG15N110DM,AKG10N020TM,AKG15N072DM-A,AKG12N075PM,AKT40P30Q,AKCK2M040DBMH,AKG6N030GM,AKT4025G,AKT4P138KL,AKCK2M030WMH,AKG3N048GL,AKG15N110GM,AKT2040Q,AKS60N1K8LMF,AKS65N1M8KM,AKCK2A220NM-A,AKT6050K,AKG10N080DM,AKG4N025GM-A,AKG10A250GL-A,AKG4N008GM-A,AKCK2A400HM-A,AKT2075CQ,AKB65A050WHH,AKG4N007GM-A,AKG3N019QL,AKCK2D010WBHH,AKCK2M030WAMH-A,AKT4010G,AKS65N950WMF-A,AKG4N050QL,AKCK2M017WAMH,AKS60N300WMF,AKG10N054PM,AKT20P10J,AKCK2A040WHH,AKT4045Q,AKT6040G,AKG10N150KL,AKG10N150KM,AKS60N220WMF,AKT2050G,AKT6040K,AKG10N130QL,AKS60N370WMF,AKT3030Q,AKT30P18Q,AKT4935,AKS65N1K8LMF,AKT3030K,AKG30N011G,AKS60N680WMF,AKC65D008DHH,AKT4020G,AKT2302,AKT2301,AKT4020K,AKS65N950FMF,AKT2305,AKT20P95CG,AKT4953,AKS65N950WMF,AKT2060K,AKG6A110GL,AKT4055G,AKS65N1M2KM,AKCK2D030WBHH,AKT4P148SL,AKT3040Q,AKG10N042PM,AKG4A068GL-A,AKT30P08S,AKG40N011G,AKG3N015GL,AKG6N115GL,AKS65N1K2DMF,AKT4030K,AKT4030Q,AKT3415,AKG100N077G,AKG4N070GL,AKG4N018GL,AKB65A040WHH,AKCK2M160WMH,AKCK2M030WAMH,AKG100N042P,AKT3400,AKT3401,AKG10N150GL,AKT3404,AKG6N036DM-A,AKT2312,AKT4N210SL,AKG100N042D,AKT6020K,AKT3050Q,AKG6N040KL,AKT3050K,AKT3B220QL,AKG4N007GM,AKT3050G,AKT3407,AKG4N007GL,AKG40N025G,AKG40N013G,AKT2070Q,AKT20P65G,AKT4040K,AKT4040Q,AKC65D020DHH,AKG60N023G,AKCK2M080WAMH,AKT30P18K,AKT4040G,AKCK2M016WAMH-A,AKC65D020PAHH,AKG100N042W,AKS65N2M2KM,AKT4A160QL,AKG100N15G,AKT2080K,AKG100N15K,AKG60N036D,AKT6010Q,AKT2080G,AKG70N059K,AKS65N1M4KM,AKT3095CG,AKG70N059D,AKT40A10G,AKG70N059P,AKG60N036P,AKCK2M160DBMH,AKS65N1K2FMF,AKT3060G,AKG100N15P

选型指南 - 瑶芯微 - 2022/10/14 PDF 中文下载

HI-SEMICON（深鸿盛）MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南

目录- 公司简介 MOSFET Product Introduction VDMOS 超结MOSFET 中低压MOSFET 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOS MOSFET/SiC肖特基二极管封装

型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T

选型指南 - HI-SEMICON - 2022/11/18 PDF 中文下载

【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统

为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。

产品发布时间 : 2024-10-09

【选型】无锡紫光微（UNIGROUP）半导体功率器件（半导体场效应管/MOSFET/晶体管/IGBT/IGTO）选型指南

目录- 超结功率MOSFET（SJ MOSFET）金属氧化物半导体场效应管沟槽式金属氧化物半导体场效应管双沟槽金属氧化物半导体场效应管 IGBT 绝缘栅双极型晶体管 IGTO 集成发射极可关断晶闸管 SiC SBD & SiC MOSFET GaN MOSFET 半桥驱动电路

型号- TPD60R1K0C,TMP11N60H,TPA70R1K5M,TCW20N120AD,TMD4N50H,TPV60R350C,TSB15N10A,TPU50R5K0D,TPW60R075C,TMA9N70H,TPR60R580C,TPB70R135MFD,TPW60R160M,TTB95N68A,TPU65R600M,TMP20N40H,TMP12N65H,TMA8N90H,TMJ2N50HF,TMU3N55LT,TTD100N04AT,TPP80R300MFD,TMS05P35H,TPU65R600C,TPW90R350A,TMP30N25H,TCW65R036A,TC21814,TPD65R4K3C,TMP12N65M,TMA12N50HF,TMD5N30H,TMA8N50HFE,TCW65R145A,TMP10N80H,TPP65R380C,TPA60R260MFD,TMW35N60H,TPW55R060D,TPV60R240M,TTD85N03AT,TPA70R600M,TPD5QR690C,TPD50R5K4CT,TPW65R044MFD,TMU6N60H,TPD65R450CFD,TMP12N40H,TPA110R550A,TTU03P06ATS,TPU65R1K5M,TSP180N03A,TPY70R1K5C,TMA9N95H,TPA65R940C,TMA4N100H,TPA65R2K2C,TPA70R1K5C,TMU2N55CT,TMA8N50HF,TMA8N50HE,TTP90N03AT,TMU5N80H,TPP80R750C,TMA8N50HH,TPU73R400M,TMP12N43H,TMA13N65H,TMX05P35H,TTX2305A,TPB60R580C,TPU60R7K5C,TCW12N120AD,TPD65R2K7C,TMA20N60H,TTP115N08A,TPV65R085CFD,TPA65R190MFD,TPU65R1K2C,TPP65R160C,TMW3N150H,TPB65R300MFD,TPW50R060DFD,TMA12N60M,TC2108,TC2106,TPP100R500A,TPU65R950M,TMP20N65H,TC2104,TPD65R280D,TMA4N55LT,TPW100R800A,TMA12N60H,TC2103,TPU70R700C,TMU8N65H,TC2101,TPP70R260M,TMV25N55H,TPV70R190MFD,TPC80R1K2C,TPB65R750C,TPD65R2K6C,TCP3N65A,TPA60R170MFD,TPV70R090M,TMA3N55HT,TPA80R250A,TSG10N06A,TPU55R6K5C,TPA50R700C,TSJ10N06AT,TPA73R300M,TC2117,TC2118,TFA120R800A,TPU50R5K4C,TC2113,TSU10N06A,TMP30N10HT,TTB65N10A,TTJ12N04AT,TC2110,TPA65R170M,TSP12N06A,TPC60R150C,TMA8N70H,TPB50R400C,TTU05P03ATS,TMC6N70H,TMP15P20H,TPP60R260MFD,TSD12N06AT,TMW9N90H,TPP60R600MFD,TMP13N40H,TPW70R120M,TMD7N53HE,TMP1N60C,TMP140N10A,TPP65R360M,TMR12N50H,TTD18P10AT,TPA65R280D,TPV73R300M,TMB160N10A,TMP110N06H,TPW65R100MFD,TTU01P10ATS,TPD55R2K1C,TMD2N70H,TMD3N50H,TSG10N06AT,TMA4N120H,TPU50R360D,TMP12N60H,TPD60R1K4M,TMP12N60M,TMU1N50LT,TMA12N65H,TMA10N80H,TTU08N02ATS,TPA70R950C,TPA70R950M,TMP9N90H,TPA60R330M,TMA12N65M,TMU7N65H,TCP4N65A,TC2136,TPC80R1K5C,TMA11N60H,TMP2N60H,TMA3N120H,TMU4N80H,TPD70R360M,TTG130N03GT,TPU50R250C,TTP70N07A,TPP70R170M,TPV50R060C,TPY70R1K4C,TPB65R1K2C,TPC60R700C,TMU4N40HT,TPA70R1K4C,TMA4N55HT,TMV2N60HF,TPA50R2K3C,TCW50N65A,TPD65R940C,TPG65R365MH,TMV9N90H,TMA13N68H,TPB65R090M,TMU03N60HT,TPD60R840C,TPD65R2K2C,TPU70R2K8C,TTP95N68A,TPP65R600M,TMA4N60H,TMU1N50HT,TPC65R380C,TPD70R1K5M,TMA40N20H,TPD60R1K8C,TMA3N80H,TPP65R070D,TTP100N04AT,TSG010N03AT,TPA100R500A,TTD120N03AT,TPP65R075DFD,TPP65R600C,TMU8N60H,TPC50R690C,TMA4N60N,TMA4N60L,TMA4N60M,TPB80R300CFD,TPP65R950M,TMU08N50HT,TPW60R036M,TTD65N04AT,TMP162N04H,TPP60R2K5C,TPA60R600MFD,TPP70R700C,TPA80R300A,TMU1N50C,TPP80R1K2C,TPA80R300C,TPW80R300C,TPB65R400MFD,TMU1N50H,TMV8N120H,TMD2N50H,TPC70R260M,TMB120N08A,TPA65R520D,TMP120N08A,TPB100R800A,TPP60R700C,TPD70R950M,TMA12N45H,TMA10N60M,TMA10N60N,TMA2N50HF,TMU2N55L,TPD70R950C,TMD2N50CF,TPP65R700MFD,TMA10N60H,TMW6N90H,TMP50N06HT,TPD80R2K2C,TSG10N06ATC,TPP70R190C,TPP80R1K5C,TPW110R800A,TPW5QR065CFD,TPP110R550A,TPA65R9K2C,TMP25N055H,TPP65R1K2C,TMD5N50NF,TTP120N02GT,TMP6N90H,TFU65R280D,TTG40P02ATC,TPD60R1K7C,TMA18N70H,TMA1N60H,TPU65R380C,TPD70R600M,TMP16N25H,TPU80R750C,TTU04N08ATS,TPW70R300MFD,TPA50R500C,TTD28P10AT,TMA11N65H,TMP8N50L,TPA60R1K0C,TMA4N60HF,TPD70R1K5C,TMP8N50H,TMA9N90H,TPV100R500A,TMD8N60H,TCW30N65A,TMP20N60H,TPD65R400MFD,TPU55R2K9C,TMB140N10A,TPC65R360M,TMA3N60H,TMU9N20H,TPU50R1K8C,TPV80R300CFD,TMP38N30HF,TPB70R120M,TPA60R530M,TMP5N100H,TMA5N20H,TPA73R190M,TPR70R120M,TPU60R600MFD,TPV73R190M,TPU60R2K2C,TPC50R250C,TMA25N50C,TTP118N08A,TMU7N60H,TMP3N100H,TMU7N60L,TMU1N50CT,TMY1N60H,TMP1N20H,TSB12N10A,TCP6N65A,TSU12N06A,TMS1N5QLT,TPD55R2K9C,TMA25N50H,TPP60R360MFD,TMC10N65H,TMY1N60B,TPP50R500C,TPB70R400MFD,TPW70R044MFD,TC21844,TMA10N40L,TTD135N68A,TMW9N95H,TPU50R1K6C,TPV65R080C,TTB80N04AT,TSP045N10A,TPU80R1K2C,TMA10N40H,TMD7N60HF,TPP60R190A,TMA85N08H,TMP15N40H,TTK8205,TPB90R350A,TPC60R350C,TMA12N50NF,TPA120R1K5A,TTG65N10A,TTP115N68A,TMA10N65N,TSP12N10AT,TPB70R450C,TPP65R1K5M,TMA10N65H,TC2304,TPU50R1K5C,TMA10N65M,TPC60R240M,TMA18N50H,TPD60R3K4C,TMA2N60C,TMA2N60H,TCW65R275A,TPB65R380C,TPR65R260M,TMU5N50CF,TPA80R1K2C,TPA65R400MFD,TMV28N55H,TPP80R270M,TMW57N10H,TMA16N60H,TMD8N55HE,TPA65R280DFD,TPP60R580C,TTP150N02GT,TMU3N50H,TSP15N06A,TPP120R800A,TMC10N60N,TPW50R065CFD,TPA70R190MFD,TMP6N40H,TTD120N02GT,TMC10N60H,TMU2N70H,TTP120N03AT,TMU6N60HF,TTJ05P04AT,TMP8N25H,TMU2N70L,TMU5N30HT,TPA70R450C,TMA9N20HT,TMP2N50HT,TMU2N70N,TPC65R940C,TCW20N120A,TPB65R100MFD,TMA18N20H,TPU60R3K4C,TMV10N90H,TMU02N15AT,TPA80R300CFD,TSU12N10AT,TPW60R260MFD,TPC70R1K5C,TMA25N55H,TMA4N90H,TPV60R190A,TMU1N55LT,TMW45N50HF,TPA55R2K1C,TPA60R3K4C,TPD50R500C,TCW120R052A,TC2103A,TPC70R950C,TMA3N50LT,TMD8N50H,TPA60R160M,TSG12N06AC,TTP60N10AT,TMA7N55H,TMP7N65M,TPA65R450CFD,TMA5N70H,TPR70R360M,TPA80R1K5C,TSP15N08A,TPU60R1K7C,TMA7N50LF,TPV60R080M,TMD9N20LT,TSG12N06AT,TCW60R320A,TPC70R1K4C,TMU4N55C,TPY70R1K5MB,TPW65R170M,TMA2N120H,TPW110R500A,TMA6N50H,TPU80R1K5C,TMU2N50HT,TMS1N40HT,TMP16N65H,TTP55N12A,TPA80R180M,TPU60R1K8C,TMV20N65H,TSD10N06AT,TPP65R280DFD,TMD7N70H,TPW50R055D,TPD50R700C,TMV3N150H,TMZ1N60B,TMP2N50CT,TPC65R170M,TPW60R120MFD,TPB65R360M,TMW25N50H,TPP50R1K8C,TTG60N03QTC,TPA70R120M,TPP80R300CFD,TM

选型指南 - 无锡紫光微 - 第六版 - 2020年6月 PDF 中文下载

1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用

1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率，且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时，1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后，终端应用的系统可靠性大大提升，而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。

应用方案发布时间 : 2024-06-18

瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，产品的长期可靠性得到市场验证

近日，自2020年正式发布第一代碳化硅(SiC) MOSFET产品以来，瞻芯电子累计交付SiC MOSFET产品1000万颗以上，其中包含近400万颗车规级产品应用在新能源汽车市场，标志着产品的长期可靠性得到了市场验证。

原厂动态发布时间 : 2024-09-29

【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用

型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT

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昕感科技将携SiC器件、SiC功率模块以及电源模组方案亮相2024慕尼黑上海电子展

2024年7月8号-10号，慕尼黑上海电子展将在上海新国际博览中心隆重举行。昕感科技作为大功率器件及模组解决方案IDM厂商，将携SiC器件、SiC功率模块，以及电源模组方案亮相。最新推出的1200V/7mΩ、1200V/13mΩ SiC MOSFET将会现场展出。展位号: E3馆 3166。

原厂动态发布时间 : 2024-07-05

瞻芯电子荣获“东方芯港·明日之星”奖，致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化

2017年，瞻芯电子在东方“芯”港这片沃土创立，前瞻性地致力于打造碳化硅(SiC)功率器件芯片和驱动芯片的产业化，现已成长为我国少有的碳化硅(SiC)芯片的垂直整合制造（IDM）企业，累计交付核心产品：碳化硅(SiC)MOSFET约900万颗，驱动芯片约4800万颗，广泛应用于新能源汽车、光伏与储能、充电桩、工业和通信电源等领域。

原厂动态发布时间 : 2024-08-24