MOS管FDN336P具有-0.7V的阈值电压，常用于高效小型负载开关和功率管理应用
近年来，中国汽车工业取得了令人瞩目的发展成果。根据中国汽车工业协会的预测，2023年全年汽车产销量将达到约3000万辆，其中新能源汽车产销量将超过900万辆，汽车出口数量接近500万辆。在这一庞大的汽车市场中，萨科微半导体公司致力于为汽车行业提供高端产品和通用型类产品。萨科微提供各类功率器件，包括高中低压的MOS场效应管、可控硅、桥堆等。这些器件在汽车电气系统中起到关键作用，能够实现电能的控制和传输，提供稳定可靠的动力支持。除了上述产品，萨科微还提供电源管理芯片LDO、AC-DC、ADC芯片系列，以及霍尔HALL传感器、高速光耦、晶振等配套产品。这些产品在汽车领域发挥着重要的作用，能够提供[敏感词]的电源管理和信号传输，保障汽车电子系统的正常运行。随着中国汽车产销量的不断增长，萨科微将继续致力于技术创新和产品优化，为中国汽车工业的发展注入新的动力。
图 1 萨科微 碳化硅专家
FDN336P是一款由萨科微（SLKOR）生产的P沟道MOS场效应管，专为负载开关和功率管理应用而设计。它具有紧凑的SOT-23封装和低阈值电压，使其适用于各种小型电子设备。首先，FDN336P的主要特点之一是负载开关应用。这意味着它可以用于控制电路中的负载开关，例如打开和关闭电源或其他电子设备。由于其设计用于负载开关，它具有较低的导通电阻和较高的漏极电流能力，可以有效地传输电力。这使得它在需要进行频繁的开关操作或承受高功率负载的应用中非常有用。
图 2 萨科微半导体低压MOS管FDN336P产品图
其次，FDN336P采用了小型封装(SOT-23)。这种紧凑的封装设计使得它在空间受限的小型电子设备中非常适用。无论是移动电子设备还是其他紧凑型的电路板，FDN336P的尺寸都能够提供更高的灵活性和集成度。这让开发人员可以在设计中更好地优化空间利用率，并满足小型设备的需求。另一个重要特点是FDN336P的低阈值电压。它具有-0.7V的阈值电压，这意味着只需较小的控制信号就可以触发器件的导通。这对于需要低电压操作的应用非常有益，可以减少功耗和提高效率。此外，低阈值电压可让FDN336P在低电压系统中更容易集成和使用。
下面是FDN336P的一些关键参数：
●漏源电压(Vdss)：-20V
●连续漏极电流(Id)：-1.3A
●导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：105mΩ@-4.5V,-1.3A
●阈值电压(Vgs(th)@Id)：-0.7V@-250uA
●封装：SOT-23
图 3 萨科微半导体低压MOS管FDN336P
最后，我们来看一下FDN336P的一些常见应用领域。它可以用在移动电子设备，如智能手机、平板电脑和便携式音频设备。由于FDN336P具有小型封装和低功耗特性，非常适合在移动设备中进行电源管理和负载开关控制。该MOS管还可以在电源管理领域发挥作用。它可以用于开关电源的控制，如DC-DC转换器和稳压器。通过使用FDN336P，开发人员可以实现高效的能量转换和功率管理。负载开关是FDN336P的另一个重要应用。无论是在汽车电子、工业自动化还是家用电器领域，FDN336P都可以用于控制和管理不同类型的负载开关，实现高效的电路控制和保护功能。
图 4 萨科微半导体低压MOS管FDN336P
FDN336P作为一款低压MOS管，在负载开关和功率管理应用中具有出色的性能。其紧凑的封装、低阈值电压和较高的导通能力使其成为移动电子设备、电源管理和负载开关等领域的理想选择。无论是在小型设备中还是在大型系统中，FDN336P都能提供可靠的性能和灵活的集成能力。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由三年不鸣转载自SLKOR官网，原文标题为:【每日一品】MOS管FDN336P：常用于高效小型负载开关和功率管理应用，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
导通电阻46mΩ的P沟道低压MOS管SL4459，电感电压低至4.5V，非常适合负载开关或PWM应用
本文要介绍的是SLKOR低压MOS管SL4459，采用了先进的微处理器技术，为各种应用提供了卓越的性能，特点包括出色的Ron（导通电阻）、低电感以及低至4.5V的电感电压。这些特性使得该器件非常适合负载开关或PWM（脉宽调制）应用。
-60V/-30A P沟道MOS场效应管IRFR5305，在小家电领域具有广泛的应用和显著的优势
IRFR5305是一款P沟道MOS场效应管，具有出色的性能参数，其具有较高漏源电压（-60V）和大电流承受能力（-30A），非常适合用于高压高功率的电路设计中。此外，其较低的导通电阻（26mΩ@-10V,-15A）和较低的阈值电压（-1.8V@-250μA）保证了其在工作状态下能降低功率损耗。该器件在各种电子设备和电路中都能发挥重要作用，为电子设备和系统的性能提升和能效改进提供了强大支持。
【产品】采用DFN2×2B-6L塑封封装的P沟道MOS场效应管BRCS150P02ZJ，VDSS值为-20V
蓝箭电子推出的P沟道MOS场效应管BRCS150P02ZJ，采用DFN2×2B-6L塑封封装。具有VDS(V)=-20V，ID=-11A，RDS(ON)@-4.5V≤17mΩ，HF Product的特征。该产品可用于电源管理，便携式设备和电池供电系统。
FS3401S SOT-23 -30V P沟道增强型场效应管（FS3401S SOT-23 -30V P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor）
描述- 富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FS3401S是一款SOT-23封装的-30V P Channel Enhancement MOSFET场效应管。该产品具有高漏极电流、低导通电阻和良好的热性能，适用于各种电源管理、开关电源和电机驱动等应用。
型号- FS3401S
FS6P03 SOT-23-3L P沟道沟道增强型MOS场效应晶体管
描述- 该资料介绍了安徽富信半导体科技有限公司生产的FS6P03沟道增强型MOS场效应管。该器件具有低导通电阻，适用于负载开关、DC-DC升压转换和电源管理等应用。
型号- FS6P03
FSN4481S PDFN5X6-8L P 沟道增强型场效应管（FSN4481S PDFN5X6-8L P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor）
描述- 富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FSN4481S是一款沟道增强型MOS场效应管，具有低导通电阻和适用于负载开关、PWM应用和电源管理等领域的特性。
型号- FSN4481S
FS6P03F SOT-89 P沟道增强型场效应管(FS6P03F SOT-89 P Channel Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
描述- FS6P03F是一款沟道增强型MOS场效应管，具有低导通电阻特点，适用于负载开关、DC-DC转换和电源管理等应用。
型号- FS6P03F
FS6P03 SOT-23-3L P场效应管沟道增强型(FS6P03 SOT-23-3L P Channel Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
描述- FS6P03是一款沟道增强型MOS场效应管，具有低导通电阻特点，适用于负载开关、DC-DC转换和电源管理等领域。
型号- FS6P03
FS10P10F SOT-89-3L -100V P 沟道增强型场效应管(FS10P10F SOT-89-3L -100V P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
描述- 本资料介绍了富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FS10P10F沟道增强型MOS场效应管。该产品具有高漏极源极电压、低导通电阻等特点，适用于各种电路设计和电源管理应用。
型号- FS10P10F
FS4409 SOP-8 P沟道增强型MOS场效应晶体管
描述- 该资料介绍了安徽富信半导体科技有限公司生产的FS4409 P Channel Enhancement MOSFET场效应管。产品具有低导通电阻，适用于负载开关、电源升压系统和高频同步负载点等领域。
型号- FS4409
【产品】蓝箭电子推出P沟道MOS场效应管BRCS200P03DP，采用TO-252塑封封装
蓝箭电子推出的P沟道MOS场效应管BRCS200P03DP，采用TO-252塑封封装，具有阻抗低，开关速度快的特征，该产品可用于工业级DC/DC转换器的电源管理，其VDS值为-30V，ID(Tc=25℃)值为-40A，Tj和Tstg温度范围为-55～150℃，为无卤产品。
FS4459 SOP-8 P沟道增强型场效应管（FS4459 SOP-8 P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor）
描述- 该资料介绍了富信电子集团旗下安徽富信半导体科技有限公司生产的FS4459型号沟道增强型MOS场效应管。产品具有低导通电阻、适用于负载开关、电源管理和脉宽调制应用等特点。
型号- FS4459
【产品】SOT23-3塑封封装的P沟道MOSFET BRCS3407MC，适用于作负载开关或脉宽调制应用
蓝箭电子推出的BRCS3407MC是一款采用SOT23-3塑封封装的P道MOS场效应管，无卤产品，适用于作负载开关或脉宽调制应用。
FS6P03F SOT-89 沟道增强型场效应管(FS6P03F SOT-89 P Channel Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)
描述- FS6P03F是一款沟道增强型MOS场效应管，具有低导通电阻特点，适用于负载开关、DC-DC转换和电源管理等应用。
型号- FS6P03F
FS4409 SOP-8 P沟道增强型场效应管（FS4409 SOP-8 P Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor）
描述- 该资料介绍了富信电子集团旗下的安徽富信半导体科技有限公司生产的FS4409型号沟道增强型场效应管。该器件具有低导通电阻，适用于负载开关、电源升压系统和高频同步负载点等领域。
型号- FS4409
电子商城
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论