大阪公立大学的研究团队制作出了氮化镓(GaN)晶体管,可使散热能力提高2倍以上
近期,大阪公立大学的研究团队成功利用金刚石为衬底,制作出了氮化镓(GaN)晶体管,其散热性能是使用碳化硅(SiC)衬底制造相同形状晶体管的两倍以上,有望应用于5G通信基站、气象雷达、卫星通信、微波加热、等离子体处理等领域,该研究成果已发表在“Small”杂志上。
随着半导体技术不断发展,功率密度和散热等问题日益凸显,业界试图通过新一代材料解决上述问题。
据悉,金刚石具备极强的导热性能,氮化镓具有宽带隙和高导电性等特性,居于上述特性,以金刚石为衬底的氮化镓晶体管被寄予厚望。
在最新研究中,大阪公立大学的科学家们成功地用金刚石作为衬底制造了GaN高电子迁移率晶体管。为了进一步提高金刚石的导热性,研究人员在GaN和金刚石之间加入了一层3C-SiC(立方碳化硅)层。这一技术显著降低了界面的热阻,从而提高了散热效率。
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型号- TGSP1130AC,TGP A2D20F-EVB-G,TGSP2220AC,TGFE0220D,TGSP11120AC,TGSP1A20BE,TGSP2A20DE,TGLA160AB,TGSP1342CD,TGSP1142BC,TGLA130AB EVB E,TGPA2D40G,TGSP1522AC,TGSP2340AD,TGLA130AB,TGSI1140DE,TGPA2D20F-EVB-A2,TGLA150AB-EVB-A,TGSF1A20EE,TGLA150AB-EVB-B,TGPS04100K,TGLA150AB-EVB-C,TGSP2140AC,TGSP2520DE,TGSP1222BC,TGSP1522DE,TGSB2140AC,TGFE0120S,TGSP1322CD,TGLA130AB EVB-C,SP2T,TGLA130AB EVB-D,TGSB1120AC,TGPS02140K,TGFE0220D EVB-B,TGFE0220D EVB-C,TGFE0220D EVB-A,TGPA2D30G,TGLA150AB,TGSF1220AC,TGLA150AB-EVB-D,TGSP1124AC,TGPA2D40G-EVB-F,TGPA2D40G-EVB-E,TGPA2D40G-EVB-D,TGSB2320AD,TGPS04190K,TGSF2220AC,TGSP1320AD,TGSB1140AC,TGLA130AB-EVB-A,SP4T,TGPA2D40G-EVB-C,TGPA2D40G-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-1,TGPA2D40G-EVB-A,TGLA152CA-EVB-B,TGSF1520EE,TGLA152CA-EVB-A,TGLA152CA-EVB-D,TGLA152CA-EVB-C,TGLA130AB-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-C,TGPA2D20F-EVB-D,TGPA2D20F-EVB-E,TGPA2D20F-EVB-F,TGPA2D20F-EVB-A,TGPA2D20F-EVB-B,TGPA2D20F-EVB-K,TGSP1520AE,TGPA2D20F-EVB-L,TGPA2D20F-EVB-M,TGLA152CB,TGLA152CA,TGSF2A20EE,TGPA2D20F-EVB-H,TGPA2D20F,TGPA2D20F-EVB-J,TGSP1540CC,TGLA170AB,TGPS14110K,TGSP1140AC,TGPA2D30G-EVB-D,TGPA2D30G-EVB-C,TGPA2D30G-EVB-B,TGPA2D30G-EVB-A,TGLA1 60AB,TGSI1142DE,TGSP1342CD-EVB-K,TGSP1320CD,TGSP2A40DE,TGPA2D30G-EVB-H,TGPA2D30G-EVB-G,TGPA2D30G-EVB-F,TGPA2D30G-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-G,TGPA2D10C-EVB-D,TGPA2D10C-EVB-C,TGPA2D10C-EVB-F,TGPA2D10C-EVB-E,TGPA2D10C-EVB-B,TGPA2D10C,TGPA2D10C-EVB-A,TGSP1220AC,TGSP2540CD,TGPS02160L,TGLA170AB EVB-A,TGLA170AB EVB-B,TGSF1120AC
知融科技低噪声放大器芯片、多通道波束成形芯片、功率放大器芯片、GaN功率放大器芯片选型表
知融科技(ZIRO)提供以下技术参数的放大器(LNA)芯片选型,工作频率范围(GHz):+4~+40;増益 (dB)范围:+10~+33;P1dB (dBm) 范围:-40~+34.7;具有DFN、Die、QFN、WLCSP等多种封装形式,可广泛应用于卫星通信,安防,工业设备,相控阵天线,毫米波通信等行业。
产品型号
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品类
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工作频率(GHz)
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増益 (dB)
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P1dB (dBm)
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芯片尺寸 (mm)
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噪声系数 (dB)
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功耗 (V/mA)
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功能描述
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ZRL164
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低噪声放大器芯片
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4~7
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33
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16
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2.6X1.1
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1.2
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5/48 (单电源)
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C波段低噪放
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选型表 - 知融科技 立即选型
CHA6682-QKB 24 - 27.5GHz 4W Linear Power Amplifier GaN Monolithic Microwave IC in QFN package
型号- CHA6682-QKB/XY,CHA6682-QKB
【IC】知融科技正式发布Ka频段GaN功率放大器芯片ZRA1153/54,连续波输出功率分别为7W和14W
新年伊始,万象更新。随着2024年新年钟声的敲响,知融科技GaN功率放大器系列产品震撼登场。近期,公司顺利完成了两款Ka频段GaN功率放大器芯片ZRA1154和ZRA1153的全面测试、验证,并已开始送样。测试结果显示,其性能指标完全符合预期。
产品 发布时间 : 2024-02-07
【应用】GAN PA、增益放大器和环形器合体助力5G小基站,实现国产化降本
时代速信的功率放大器GHPS060010A配合国产通量科技的增益放大器FW2106和大普通信的环形器DP0119C,实现完整的低成本发射通道方案。
应用方案 发布时间 : 2021-09-25
UMS SATCOM PRODUCTS:High performanceMMICs in L, S, C, X, Ku, Ka and Q Bands
型号- CHT4690-FAB,CHK8101-SYC,CHA8312-99F,CHA6550-98F/QXG,CHA2362-98F,CHR3762-QDG,CHA8252-99F,CHA8254-99F,CHT4660-QAG,CHA3688AQDG,CHA3395-98F/QDG,CHT3091-FAB,CHA2352-98F,CHA6262-99F,CHA3666-FAB/99F/QAG,CHA8262-99F,CHA4253-FAB / QQG,CHA4253A98F,CHA8054-99F,CHA4107-99F / QDG,CHA5266-FAB,CHR3352-QEG,CHA8352-99F,CHA3656-QAG,CHA8611-99F,CHA8012-99F,CHA3396-QDG,CHA2069-FAB,CHA6710-FAB/99F,CHA3801-FAB,CHA6653-98F/QXG,CHA8612-QDB,CHA6551-99F,CHA5005-QDG,CHA6652-98F/QXG,CHR3693-FAB/99F/QDG,CHA8610-99F,CHA6352-QCB,CHA2595-98F / QDG
HIGH POWER GaN RF
型号- CHS7012-99F,CHS8618-99F,CHA8710-99F,CHK8015-99F,CHK9014-99F,CHA6710-99F,CHK9013-99F,CHA8610-QYG,CHA8611-99F,CHZ8012-QJA,CHZ9012-QFA
36-42.5GHz 4W GaN Amplifier GaN Monolithic Microwave IC in QFN Package Advanced Information
型号- ES-CHA6095-QKB,CHA6095-QKB
电子商城
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.6384
现货: 2,417
品牌:EPC
品类:Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥5.9251
现货: 2,357
品牌:EPC
品类:Enhancement Mode GaN Power Transistor Half Bridge
价格:¥4.3005
现货: 2,099
现货市场
服务
满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要;并可查看被测开关电源支持协议,诱导多种充电协议输出,结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN;IC包装Tray/Tube/Tape;IC厂商不限,交期1-3天。支持IC测试(FT/SLT),管装、托盘装、卷带装包装转换,IC打印标记加工。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
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