萨科微半导体低压MOS管FDN327N,阈值电压0.7V,适用小型电子设备
FDN327N是一款由萨科微(SLKOR)生产的N沟道MOS场效应管。它的主要特点之一是高功率和高电流处理能力。它可以承受2A的连续漏极电流,具有40mΩ的导通电阻(Vgs为4.5V,Id为2.0A),并且具有20V的漏源电压(Vdss)。这些参数使得FDN327N可以在需要处理高功率和高电流的应用中发挥出色的性能,如脉宽调制和负荷开关等。
萨科微半导体低压MOS管FDN327N产品图
其次,FDN327N采用小型封装(SOT-23)。这种紧凑的封装设计使得FDN327N在空间受限的小型电子设备中非常适用。无论是移动电子设备还是其他紧凑型的电路板,FDN327N的尺寸都能够提供更高的灵活性和集成度。这使得开发人员可以在设计中更好地优化空间利用率,并满足小型设备的需求。
另一个重要特点是FDN327N的阈值电压。它具有0.7V的阈值电压,这意味着只需要较小的控制信号就可以触发器件的导通。这对于需要低电压操作的应用非常有益,可以减少功耗和提高效率。此外,低阈值电压还使得FDN327N在低电压系统中更容易集成和使用。
下面是FDN327N的一些关键参数:
·漏源电压(Vdss):20V
·连续漏极电流(Id):2A
·导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):40mΩ@4.5V,2.0A
·阈值电压(Vgs(th)@Id):0.7V@250μA
·封装:SOT-23
萨科微半导体低压MOS管FDN327N
最后,我们来看一下FDN327N的一些常见应用领域。首先是脉宽调制应用。FDN327N可以用于控制电路中的脉冲宽度调制(PWM),从而实现对电路中负载开关的控制。由于其高功率和高电流处理能力,它非常适合在PWM应用中进行负载开关控制。此外,该低压MOS管还可以在负载开关领域发挥作用。它可以用于控制电路中的负载开关,例如打开和关闭电源或其他电子设备。由于其设计用于负载开关,FDN327N具有较低的导通电阻和较高的漏极电流能力,可以有效地传输电力。这使得它在需要进行频繁的开关操作或承受高功率负载的应用中非常有用。
萨科微半导体低压MOS管FDN327N
由此可见,FDN327N作为一款低压MOS管,在脉宽调制和负载开关应用中具有出色的性能。其紧凑的封装、高功率和高电流处理能力以及优异的电性能使其成为很多电子设备的理想选择。无论是在移动电子设备中还是在其他需要小型电路板的应用中,FDN327N都能提供可靠的性能和灵活的集成能力。
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