萨科微半导体低压MOS管FDN327N，阈值电压0.7V，适用小型电子设备

时间： 2024-01-17 来源：SLKOR官网

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FDN327N是一款由萨科微（SLKOR）生产的N沟道MOS场效应管。它的主要特点之一是高功率和高电流处理能力。它可以承受2A的连续漏极电流，具有40mΩ的导通电阻（Vgs为4.5V，Id为2.0A），并且具有20V的漏源电压（Vdss）。这些参数使得FDN327N可以在需要处理高功率和高电流的应用中发挥出色的性能，如脉宽调制和负荷开关等。

萨科微半导体低压MOS管FDN327N产品图

其次，FDN327N采用小型封装（SOT-23）。这种紧凑的封装设计使得FDN327N在空间受限的小型电子设备中非常适用。无论是移动电子设备还是其他紧凑型的电路板，FDN327N的尺寸都能够提供更高的灵活性和集成度。这使得开发人员可以在设计中更好地优化空间利用率，并满足小型设备的需求。

另一个重要特点是FDN327N的阈值电压。它具有0.7V的阈值电压，这意味着只需要较小的控制信号就可以触发器件的导通。这对于需要低电压操作的应用非常有益，可以减少功耗和提高效率。此外，低阈值电压还使得FDN327N在低电压系统中更容易集成和使用。

下面是FDN327N的一些关键参数：

·漏源电压（Vdss）：20V

·连续漏极电流（Id）：2A

·导通电阻（RDS(on)@Vgs,Id）：40mΩ@4.5V，2.0A

·阈值电压（Vgs(th)@Id）：0.7V@250μA

·封装：SOT-23

萨科微半导体低压MOS管FDN327N

最后，我们来看一下FDN327N的一些常见应用领域。首先是脉宽调制应用。FDN327N可以用于控制电路中的脉冲宽度调制（PWM），从而实现对电路中负载开关的控制。由于其高功率和高电流处理能力，它非常适合在PWM应用中进行负载开关控制。此外，该低压MOS管还可以在负载开关领域发挥作用。它可以用于控制电路中的负载开关，例如打开和关闭电源或其他电子设备。由于其设计用于负载开关，FDN327N具有较低的导通电阻和较高的漏极电流能力，可以有效地传输电力。这使得它在需要进行频繁的开关操作或承受高功率负载的应用中非常有用。

萨科微半导体低压MOS管FDN327N

由此可见，FDN327N作为一款低压MOS管，在脉宽调制和负载开关应用中具有出色的性能。其紧凑的封装、高功率和高电流处理能力以及优异的电性能使其成为很多电子设备的理想选择。无论是在移动电子设备中还是在其他需要小型电路板的应用中，FDN327N都能提供可靠的性能和灵活的集成能力。

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SERIES,100D-9,1N4007W,YAZ1D6V2,ESD24VD8,HLP9N20,SMBJ12A,SMAJ6.0A,ESD24VD3,P6KE62CA,ESD24VD5,YAZ1D6V8,20D511KH,20D511KJ,SA7.5CA,ESD36VD3,5.0SMDJ78A,SMCJ7.0A,SMDJ51CA,HLG2301BA1N,5.0SMDJ48CA,Y5ZP2D3V9,Y5ZP2D3V3,ES5JC,Y5ZP2D3V6,SMBJ13A,15KP51A,Y5ZP2D3V0,S3GF,P6KE75A,S3GC,S3GB,10D201KJ,SMCJ150A,30V-110,HLS18N200K,SMD1812-200-16V,3R075L-6X8,SA6.0A,S3JF,5KP8.5A,SMAJ78A,S3JB,YAZ2D110,S3JC,ESDSMDA15C,HLP14N10,ESD36VAP,US3ABF,5KP120A,30V-120,SMBJ10A,SMD1210-075-6V,SMBJ11A,SMAJ22CA,7D180KJ,5D330KJ,SMCJ6.5CA,HLS2045N2,2R***S-8X6,YAZ2D100,SMAJ75A,SMCJ36A,RS2KB,SMDJ210A,SA190CA,15KP75CA,RS2KF,7D K SERIES,5.0SMDJ75A,P0300DA,ES5GC,SMF54CA,YAZ2D130,1.5KE100A,3R600L-6X8,P6SMB170A,HLS16N100C,SMCJ45CA,3KP60A,US5GBF,RS2JB,15KP240CA,HLT40P03PF5,RS2JF,HLT40P03PF4,P6KE75CA,S3KB,HLT9P01C,YAZ2D120,S3KF,S3KC,SMAJ6.5A,SMBJ440A,Y1ZP35D47G,RS2MF,7D K,SMCJ58CA,HLT20N10,HLS20150K,SMDJ7.5CA,SMD1206-301,RS2MB,MF52□□□4300,5.0SMDJ17CA,1.5KE18CA,ESD3V3APB,14D201KJ,3R200S-5X7.6,5KP60CA,HLT15N03C,5.0SMDJ70CA,YAZ2D150,HLT20N06,HLS90N60PF5,SMCJ33A,7D K系列,HLT30ND03PF4,20D751KJ,20D751KH,SMD1206-050-24V,YC2M1012B121FBP,3R470L-6X8,L SERIES,20D K SERIES,S3MC,S3MB,ES5DC,HLT20N15,HLS250N80,YAZ2D140,14D301K,SA6.5A,S3MF,5.0SMDJ33CA,P0640S,SA36CA,SMBJ,HLS90N30PF5,SMDJ20CA,SMF6.0A,HLR30U03,HLS130N85,LB SERIES,HLR30U02,HLR30U04,3D-13,RS1G,HLR30U06,RS1D,7D681KJ,3D-11,ESDLC5V0D8B,RS1B,YAZ2D170,20D361K,SMD1210-020-30V,HLS8060K,RS1A,P8S

2021/10/18 - 音特电子 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

SLKOR（萨科微）专业从事功率元器件的设计、生产和销售。技术骨干来自Infineon英飞凌、三菱、IR、TI德州仪器、ONSEMI安森美等同行业技术领先企业，主要生产MOS场效应管、COOLMOS、电源管理IC、FRD、霍尔hall元件、SCR、IGBT单管、SiC元器件等。

SIC碳化硅器件高压MOS管中低压MOS管 COOLMOS 碳化硅场效应管碳化硅肖特基二极管场效应管 TVS瞬态抑制二极管 ESD防静电二极管超结场效应管 IGBT单管 IGBT/SIC模块二极管三极管肖特基二极管线性稳压器LDO 霍尔传感器开关二极管可控硅单向可控硅双向可控硅整流桥通用二极管 DC-DC电源芯片驱动IC IC集成电路快恢复二极管电池管理IC 光耦光电二极管运算放大器 RS232芯片达林顿管电压基准芯片开关电源芯片

代理服务线上商城技术资料

合科泰NMOS管HKTQ60N02凭借强大特性和低功耗，广泛用于电机驱动和BMS、便携式设备负载开关等

合科泰电子生产的NMOS管HKTQ60N02具有很好的电气性能，其能承受的最大漏源电压达20V，栅源电压2.5V，连续漏极电流50A，漏源导通电阻0.0075欧，最小栅极阈值电压0.5V，最大栅极阈值电压1V，耗散功率83mW。重量约0.012克，非常轻薄便捷。它作为一款低压MOS产品，具有强大特性和低功耗，适用于物联网设备、小信号驱动和通讯领域等。

2024-09-16 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

60V/50A的N沟道MOS场效应管SL50N06D，具有高频率、大电流、抗冲击能力强等优点

SL50N06D是一款N沟道MOS场效应管，采用先进的Trench技术生产。其具有较高的漏源电压（60V）和连续漏极电流（50A），具有高频率、大电流、抗冲击能力强等优点。它在BLDC电机技术领域不仅能够提高电力传动系统的效率和性能，还能够实现更加智能化的控制，通过对电机相电流进行高精度调控，实现了电机的高效、平稳运行。

2024-05-07 - 产品代理服务技术支持采购服务

萨科微卖的好的IGBT有哪些型号？SL20T65K1/SL15T120FL/SL15T65FK

萨科微卖的好的IGBT有SL20T65K1、SL15T120FL、SL15T65FK等型号，这些型号都是比较常见的IGBT（绝缘栅双极晶体管），可用于高功率应用和电力电子设备中。本文简单描述它们的特点及应用。

2024-08-09 - 产品代理服务技术支持采购服务

30V/8.5A的低压MOS管SLP240C03D，具备高功率和电流处理能力

萨科微半导体的低压MOS管SLP240C03D是一种N+P互补型MOS管，它的漏源电压为30V，连续漏极电流为8.5A。在Vgs为10V，Id为8.5A时，导通电阻为19mΩ，阈值电压为1.6V@250μA。它具备高功率和电流处理能力，能够承受较高负载和压力，为电路设计提供了更大的弹性和可靠性。

2024-05-30 - 产品代理服务技术支持采购服务

【产品】N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SL18N50F，漏源电压500V，导通电阻仅0.32Ω

SLKOR推出的SL18N50F是一款低导通电阻、低阈值电压、快速开关速度的高压N沟道MOS管，适用于各种高压开关应用，如电源管理、电机驱动和开关模块等。其TO-220F封装，也使其在PCB设计中具有良好的散热性能，从而保证器件的高可靠性。

2023-08-31 - 产品代理服务技术支持采购服务

FS2N15 SOT-23-3L 沟道增强型场效应管(FS2N15 SOT-23-3L 150V N Channel Enhancement MOS Field Effect Transistor)

描述- FS2N15是一款150V N Channel Enhancement沟道增强型MOS Field Effect Transistor场效应管，具有150V的漏极-源极电压和2A的连续漏极电流。该产品特性包括静态漏源导通电阻、输入电容、栅极电荷密度等，适用于各种电子设备中的开关应用。

型号- FS2N15

2024/5/13 - 富信 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

30V/60A的低压MOS管SL90P03G，具有低电流、快速切换、极低导通电阻等特性

SL90P03G作为一款功率MOSFET，具有多项优秀特性，包括先进的TRENCH技术生产、极大限度地减少传导损耗、提供卓越的开关性能以及在雪崩和换向模式下承受高能脉冲等特点。其漏源电压为30V，连续漏极电流为90A，导通电阻为3.6mΩ，阈值电压为1.6V，封装为PDFN3x3-8L，具有低电流、快速切换、通过100%雪崩测试以及极低导通电阻等特性。

2024-05-29 - 产品代理服务技术支持采购服务