聚焦于新能源汽车应用的功率器件国产品牌——无边界（ChipNobo）
无边界创始团队来自清华大学博士后、剑桥大学博士后和上海交通大学博士后，对半导体设计具有丰富的经验，采用欧洲最先进的半导体技术工艺和设计思维，在半导体材料与封装工艺属于科学家级的专业实力，公司具备完整的工艺设计平台，紧贴市场需求，提供设计最科学，最符合市场特性的产品。公司聚焦于新能源汽车应用，定位国内领先的汽车级半导体公司，以汽车智能化和电动化的发展趋势，助推中国新能源汽车产业的科技创新和技术进步，同时，为高端装备提供定制化国产芯片，向客户提供高可靠质量的产品和多元化的解决方案。
产品亮点：
Super Junction MOS：
●产品包括CSJF1KR60N、CSJD380R65N、CSJD380R70N、CSJF250R80D等型号。
●支持600V~800V耐高压及低内阻380mΩ。
IGBT单管：
●产品包括CI75T65D、CI160T65P-Q、CI40T120D-Q、CI75T120P等型号。
●支持650V~1200V、低VCE(SAT)及160A电流。
光电耦合器：
●产品包括晶体管光耦、IGBT隔离驱动光耦、高速隔离运放光耦、可控硅光耦、SSR光耦等类型。
●高电流传输比，高绝缘高隔离电压（5000V），快速响应时间（15Mbit/s）；通过无卤素等环保要求认证，VDE、UL、CQC等国内外安规认证。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由银河系提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关研发服务和供应服务
相关推荐
华润微电子IGBT和SiC二极管，短路耐受力强，抗浪涌能力优异，适合UPS电源应用
华润微电子针对UPS应用，采用Trench FS技术，开发了600V 20A~75A和1200V 15A/25A/40A的全系列化IGBT产品。针对UPS中电池双向DC/DC电路应用，可提供电压范围30V~200V，电流范围30A~150A的中低压MOSFET产品，满足12V—72V电池电压需求。另外新推出的650V、1200V系列的SiC二极管，适于高频高效的高端UPS应用。
【元件】采用MB-F封装的桥堆MB10F，可用于电源、LED 驱动器、适配器等应用
合科泰的一款贴片MINI桥产品MB10F，作为一款非常小巧的桥堆产品，产品高效，适用于很多中小功率的应用场景。MB10F具有小型化、性能优良，可靠性高等特点，它可被广泛应用于各种电源系统、LED驱动、小家电、工控、计算机设备、电视机、电能采集和适配器等领域。
凌讯微电子携带新上市的IGBT，SIC二极管产品参加2024世界电源产业博览会
2024年8月8日-10日，凌讯微电子参加了2024世界电源产业博览会暨元宇宙供应链平台(原第十四届亚太国际电源产品及技术展览会)。在本届博览会，凌讯微携带新上市的IGBT,SIC二极管及各类主营产品亮相。展会上与客户共同交流探讨，助力促进产业升级，拓宽发展视野，推动电源行业进步，共创美好未来。
【选型】电动工具中电机驱动续流和吸收反向峰压的二极管选型注意事项以及型号推荐
电动工具应用电路主要由电机驱动，控制保护电路组成，其中电机驱动部分所用的二极管要求非常苛刻，该二极管的作用主要用来续流和吸收反向峰压的作用。针对该类电动工具的客户，德欧泰克开发出大电流，低正向导通电压，耐抗击浪涌的高效快恢复二极管。主要型号有：FX20K120、FX20K150、F12K120、F1200D、KT20A150、FT2000AD 。
用在LLC逆变上的1200V，40A IGBT功率模块V23990-P729-F48-PM，其IGBT是否可以采用单电源供电？
理想情况下V23990-P729-F48-PM上的IGBT是可以单电源供电，但是也不排除在系统电源设计不好有干扰的情况下，IGBT在关断情况下会出现误导通的情况，如果想单电源供电，需要把保护电路做好，比如预留米勒钳位电路。
GKD05N65沟槽式FS IGBT开关全额定二极管
描述- 该资料详细介绍了GKD05N65型号的Trench FS IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的特性、应用领域和电气参数。该IGBT采用沟槽停止技术，具有高耐压、高速开关、高鲁棒性和良好的温度稳定性，适用于不间断电源和太阳能逆变器等应用。
型号- GKD05N65
【产品】900V高耐压，高速开关的绝缘封装IGBT
Shindengen推出的T4R2F90SB是具有高耐压，高速开关特性的绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用FTO-220AG绝缘封装（3引脚）。当Tc＝25℃时，集电极-发射极电压最大值为900V，非常适用于开关电源。
合科泰贴片MINI桥产品MB10F采用MBF封装，可应用于电源、电机驱动和适配器等
桥堆在电路整流方面具有非常重要的应用，MB10F作为一款超薄型贴片整流桥堆，具有尺寸小巧，超薄体型，非常适合对整流桥尺寸要求较高的产品。本期合科泰电子给大家介绍一款贴片MINI桥产品MB10F，它采用MBF封装，可应用于电源、电机驱动和适配器等应用。
GKU50N65ET沟槽式FS IGBT开关全额定二极管
描述- 本资料介绍了GKU50N65ET型号的Trench FS IGBT（绝缘栅双极型晶体管）及其全额定二极管。该产品具有高耐压、高速度切换、高鲁棒性等特点，适用于不间断电源和太阳能逆变器等应用。
型号- GKU50N65ET
UPG20N60 600V，开关电源N通道IGBT
描述- UTC UPG20N60是一款600V N沟道绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用UTC先进技术，提供高输入阻抗、高速切换和低导通损耗等特点。适用于高压开关和高频开关电源。
型号- UPG20N60G-TF1-T,UPG20N60G-T47-T,UPG20N60L-TA3-T,UPG20N60G-TA3-T,UPG20N60L-TF1-T,UPG20N60L-T47-T,UPG20N60
【应用】上海贝岭BLG15T65FUL IGBT用于逆变电源，耐压高达650V，运行稳定
逆变电源，需要稳定可靠的IGBT来实现。这里推荐上海贝岭BLG15T65FUL IGBT，特点：650V高耐压，保证运行稳定。Ic：15A，可以适用更大功率输出场景。TO-220F-3封装，标准尺寸，方便设计及排版。
CN1R7N06H 60V/140A N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (CN1R7N06H 60V/140A N-Channel Enhancement Mode MOSFET)
描述- 该资料介绍了ChipNobo Co., Ltd生产的60V/140A N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该产品具有低导通电阻、快速开关特性，适用于负载开关、快速充电器和工业电源等领域。
型号- CN1R7N06H
【产品】电源转换新选择，可承受高电压大电流的IGBT模块
MG12600WB-BR2MM是Littelfuse公司推出的一款绝缘栅双极型晶体管（IGBT），该晶体管具备承受高电压大电流的能力，具有快速、软反向恢复功能，广泛应用于伺服驱动器、太阳能逆变器、高功率转换器、UPS 、焊接等领域。
CRG40T60AK3SD 绝缘栅双极型晶体管
描述- 本资料介绍了CRG40T60AK3SD绝缘栅双极型晶体管（IGBT），采用华晶特有的沟槽设计和先进的场止技术，提供优异的导通和开关性能。该产品符合RoHS标准，适用于焊接、变频器、逆变器、不间断电源等领域。
型号- CRG40T60AK3SD
C3409-Q -30V/-2.8A P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (C3409-Q -30V/-2.8A P-Channel Enhancement Mode MOSFET)
描述- 该资料介绍了ChipNobo Co., Ltd生产的C3409-Q型号的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。该产品具有低导通电阻、-5V逻辑电平控制等特点，适用于负载开关、开关电路、高速线路驱动器和电源管理等应用。
型号- C3409-Q
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
测试范围：扬兴晶振全系列晶体，通过对晶体回路匹配分析，调整频率、驱动功率和起振能力，解决频偏、不起振、干扰、频率错误等问题。技术专家免费分析，测完如有问题，会进一步晶振烧录/修改电路。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论