聚焦于新能源汽车应用的功率器件国产品牌——无边界(ChipNobo)

2024-01-16 世强
场效应晶体管,IGBT,二极管,绝缘栅双极晶体管分立器件 场效应晶体管,IGBT,二极管,绝缘栅双极晶体管分立器件 场效应晶体管,IGBT,二极管,绝缘栅双极晶体管分立器件 场效应晶体管,IGBT,二极管,绝缘栅双极晶体管分立器件


产品亮点:

Super Junction MOS:

●产品包括CSJF1KR60N、CSJD380R65N、CSJD380R70N、CSJF250R80D等型号。

●支持600V~800V耐高压及低内阻380mΩ。


IGBT单管:

●产品包括CI75T65D、CI160T65P-Q、CI40T120D-Q、CI75T120P等型号。

●支持650V~1200V、低VCE(SAT)及160A电流。


光电耦合器:

●产品包括晶体管光耦、IGBT隔离驱动光耦、高速隔离运放光耦、可控硅光耦、SSR光耦等类型。

●高电流传输比,高绝缘高隔离电压(5000V),快速响应时间(15Mbit/s);通过无卤素等环保要求认证,VDE、UL、CQC等国内外安规认证。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

平台合作

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

【元件】采用MB-F封装的桥堆MB10F,可用于电源、LED 驱动器、适配器等应用

合科泰的一款贴片MINI桥产品MB10F,作为一款非常小巧的桥堆产品,产品高效,适用于很多中小功率的应用场景。MB10F具有小型化、性能优良,可靠性高等特点,它可被广泛应用于各种电源系统、LED驱动、小家电、工控、计算机设备、电视机、电能采集和适配器等领域。

2023-11-20 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

华润微电子IGBT和SiC二极管,短路耐受力强,抗浪涌能力优异,适合UPS电源应用

华润微电子针对UPS应用,采用Trench FS技术,开发了600V 20A~75A和1200V 15A/25A/40A的全系列化IGBT产品。针对UPS中电池双向DC/DC电路应用,可提供电压范围30V~200V,电流范围30A~150A的中低压MOSFET产品,满足12V—72V电池电压需求。另外新推出的650V、1200V系列的SiC二极管,适于高频高效的高端UPS应用。

2024-07-08 -  器件选型 代理服务 技术支持 采购服务

凌讯微电子携带新上市的IGBT,SIC二极管产品参加2024世界电源产业博览会

2024年8月8日-10日,凌讯微电子参加了2024世界电源产业博览会暨元宇宙供应链平台(原第十四届亚太国际电源产品及技术展览会)。在本届博览会,凌讯微携带新上市的IGBT,SIC二极管及各类主营产品亮相。展会上与客户共同交流探讨,助力促进产业升级,拓宽发展视野,推动电源行业进步,共创美好未来。

2024-09-30 -  原厂动态 代理服务 技术支持 采购服务

IGBT驱动波形中米勒平台产生的原理是什么?

IGBT驱动波形中米勒平台产生的原理当IGBT在开关时普遍会遇到的一个问题即寄生米勒电容开通期间的米勒平台。米勒效应在单电源门极驱动的应用中影响是很明显的。基于门极G与集电极C之间的耦合,在IGBT关断期间会产生一个很高的瞬态dv/dt,这样会引发门极VGE间电压升高而导通,这是一个潜在的风险,因此为了规避这个风险,有源米勒钳位功能应运而生。图1:下管IGBT因寄生米勒电容而导通有源米勒钳位解决方案 要想避免RG优化、CG损耗和效率、负电源供电成本增加等问题,另一种方法是使门极和发射极之间发生短路,这种方法可以避免IGBT不经意的打开。具体操作方法是在门极与射极之间增加三级管,当VGE电压达到某个值时,门极与射极的短路开关(三级管)将被触发。这样流经米勒电容的电流将被增加的三极管截断而不会流向VOUT。这种技术被称为有源米勒钳位技术,具体方法见如下图2。图2:有源米勒钳位采用外加三极管一般选用的隔离驱动芯片(以Silicon Labs Si8285为例)通过IGBT栅极和集电极间寄生电容C_CG及Si8285副边VH pin、外部RH及内部PMOS源极电阻RSS、内部NMOS等对IGBT门极电荷进行放电来达到软关断效果。直至最后退饱和工作完成,故障通过FLT pin隔离输出,反馈给MCU。

2018-10-18 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

IGBT模块应用时,死区时间怎么预留?

IGBT模块应用时,通过软件控制上下桥臂的门极开关切换时间控制死区时间,例如20KHz驱动频率的电源行业,INV采用半桥架构,上下管的交替死区设置时间一般是1~2μS。另外关于IGBT模块选型,可参考Vincotech的选型资料:https://www.sekorm.com/doc/65932.html

2018-10-15 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

GKU50N65ET沟槽式FS IGBT开关全额定二极管

本资料介绍了GKU50N65ET型号的Trench FS IGBT(绝缘栅双极型晶体管)及其全额定二极管。该产品具有高耐压、高速度切换、高鲁棒性等特点,适用于不间断电源和太阳能逆变器等应用。

银河微电子  -  沟槽式FS IGBT开关全额定二极管,TRENCH FS IGBT WITCH FULL RATED DIODE,GKU50N65ET,SOLAR INVERTER,UNINTERRUPTIBLE POWER SUPPLIES,不断电系统,SOLAR INVERTER

January 2024  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

【选型】电动工具中电机驱动续流和吸收反向峰压的二极管选型注意事项以及型号推荐

电动工具应用电路主要由电机驱动,控制保护电路组成,其中电机驱动部分所用的二极管要求非常苛刻,该二极管的作用主要用来续流和吸收反向峰压的作用。针对该类电动工具的客户,德欧泰克开发出大电流,低正向导通电压,耐抗击浪涌的高效快恢复二极管。主要型号有:FX20K120、FX20K150、F12K120、F1200D、KT20A150、FT2000AD 。

2020-02-26 -  器件选型 代理服务 技术支持 采购服务

合科泰贴片MINI桥产品MB10F采用MBF封装,可应用于电源、电机驱动和适配器等

桥堆在电路整流方面具有非常重要的应用,MB10F作为一款超薄型贴片整流桥堆,具有尺寸小巧,超薄体型,非常适合对整流桥尺寸要求较高的产品。本期合科泰电子给大家介绍一款贴片MINI桥产品MB10F,它采用MBF封装,可应用于电源、电机驱动和适配器等应用。

2024-07-23 -  产品 代理服务 技术支持 采购服务

CN1R7N06H 60V/140A N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (CN1R7N06H 60V/140A N-Channel Enhancement Mode MOSFET)

该资料介绍了ChipNobo Co., Ltd生产的60V/140A N沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品具有低导通电阻、快速开关特性,适用于负载开关、快速充电器和工业电源等领域。

无边界  -  金属氧化物半导体场效应晶体管,N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,N 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管,N通道增强模式MOSFET,CN1R7N06H,工业电源,QUICK CHARGER,LOAD SWITCH,INDUSTRIAL POWER SUPPLIES,LED 背光,LED BACK LIGHTING,负载开关,LED背光照明,快速充电器

数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

开关电源现在最高的开关频率做到多少KHZ?

开关电源的开关频率,根据市场,IGBT多为20KHz左右,MOSFET可以做到几百KHz,GaN技术可达M级的开关频率。世强代理RENESAS的IGBT,新电元和Wolfspeed的MOSFET,EPC的GaN。

2017-12-27 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

用在LLC逆变上的1200V,40A IGBT功率模块V23990-P729-F48-PM,其IGBT是否可以采用单电源供电?

理想情况下V23990-P729-F48-PM上的IGBT是可以单电源供电,但是也不排除在系统电源设计不好有干扰的情况下,IGBT在关断情况下会出现误导通的情况,如果想单电源供电,需要把保护电路做好,比如预留米勒钳位电路。

2017-07-30 -  技术问答 代理服务 技术支持 采购服务

C3409-Q -30V/-2.8A P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (C3409-Q -30V/-2.8A P-Channel Enhancement Mode MOSFET)

该资料介绍了ChipNobo Co., Ltd生产的C3409-Q型号的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品具有低导通电阻、-5V逻辑电平控制等特点,适用于负载开关、开关电路、高速线路驱动器和电源管理等应用。

无边界  -  金属氧化物半导体场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管,P通道增强模式MOSFET,C3409-Q,SWITCHING CIRCUITS,HIGH SPEED LINE DRIVER,开关电路,POWER MANAGEMENT,高速线路驱动器,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关

数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

肖特基二极管在适配器应用的作用有哪些?

肖特基二极管在适配器应用中电特性使肖特基二极管成为电源管理和电子设备适配器设计中的理想选择。肖特基二极管在适配器中优势和应用方面有哪些重要性?本文为你介绍。

2024-01-12 -  技术探讨 代理服务 技术支持 采购服务

【产品】电源转换新选择,可承受高电压大电流的IGBT模块

MG12600WB-BR2MM是Littelfuse公司推出的一款绝缘栅双极型晶体管(IGBT),该晶体管具备承受高电压大电流的能力,具有快速、软反向恢复功能,广泛应用于伺服驱动器、太阳能逆变器、高功率转换器、UPS 、焊接等领域。

2016-11-22 -  新产品 代理服务 技术支持 采购服务

C2309 -60V/-2A P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管 (C2309 -60V/-2A P-Channel Enhancement Mode MOSFET)

该资料介绍了ChipNobo Co., Ltd生产的C2309型号的P沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该器件具有低导通电阻、-5V逻辑电平控制等特点,适用于负载开关、开关电路、高速线路驱动器和电源管理等应用。

无边界  -  金属氧化物半导体场效应晶体管,P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET,P 沟道增强型金属氧化物半导体场效应晶体管,P通道增强模式MOSFET,C2309,SWITCHING CIRCUITS,HIGH SPEED LINE DRIVER,开关电路,POWER MANAGEMENT,高速线路驱动器,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关

数据手册 代理服务 技术支持 采购服务
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:无边界

品类:Super Junction MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:无边界

品类:Super Junction MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:无边界

品类:单齐纳二极管

价格:

现货: 0

品牌:无边界

品类:单齐纳二极管

价格:

现货: 0

品牌:无边界

品类:单齐纳二极管

价格:

现货: 0

品牌:无边界

品类:单齐纳二极管

价格:

现货: 0

品牌:无边界

品类:单齐纳二极管

价格:

现货: 0

品牌:无边界

品类:单齐纳二极管

价格:

现货: 0

品牌:无边界

品类:单齐纳二极管

价格:

现货: 0

品牌:无边界

品类:单齐纳二极管

价格:

现货: 0

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:海芯微

品类:发光二极管

价格:¥0.0600

现货:700,796

品牌:HBRIGHT

品类:稳压二极管

价格:¥0.0530

现货:450,000

品牌:LITTELFUSE

品类:TVS Diodes

价格:¥0.3807

现货:360,000

品牌:FAGOR

品类:二极管

价格:¥0.3200

现货:348,151

品牌:AOS

品类:二极管

价格:¥0.2597

现货:348,041

品牌:Nexperia

品类:贴片三极管

价格:¥0.0825

现货:300,000

品牌:RENESAS

品类:Diodes

价格:¥0.0120

现货:292,500

品牌:Nexperia

品类:二极管

价格:¥0.4391

现货:252,329

品牌:HBRIGHT

品类:稳压二极管

价格:¥0.0450

现货:240,000

品牌:HBRIGHT

品类:稳压二极管

价格:¥0.0590

现货:228,000

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

高热流密度液冷板定制

定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。

最小起订量: 1片 提交需求>

晶体匹配测试

提供CE测试服务,通过晶体回路匹配分析,给出测试报告。支持EPSON所有MHz无源晶体、32.768KHz晶体。支持到场/视频直播测试,资深专家全程指导。

实验室地址: 深圳/上海 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

平台客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面