【元件】 瞻芯电子推出第二代650V车规级SiC MOSFET，TO263-7封装助力高效高密应用
近日，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证，该产品采用TO263-7贴片封装，具有体积较小，安装简便，损耗更低的特点。此外，瞻芯电子同步推出了650V 60mΩ规格的车规级263-7封装产品IV2Q06060D7Z。
产品特性
瞻芯电子的第二代SiC MOSFET产品是依托瞻芯电子自建的SiC晶圆厂来研发和生产的，其首款产品于2023年9月份发布量产，该系列产品的驱动电压（Vgs）为15-18V，应用的兼容性更好。更为关键的是，第二代SiC MOSFET通过优化栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，能显著降低开关损耗，提升系统效率。
关于TO263-7塑封贴片封装，对比传统的TO247封装，体积更小，贴片焊接更简便。在应用中，TO263-7封装的源极（S）为5根引脚并联，阻抗更低，导通损耗也更低。同时TO263-7封装具有开尔文源极引脚（Kelvin Source），将栅极引脚电感最小化，并用背面的散热板当作漏极（D），总体封装电感更低，从而抑制了开关时的驱动回路振荡，降低门极噪声，更利于发挥碳化硅（SiC）MOSFET高速开关应用，从而提升系统效率。
为满足多种场景应用需求，瞻芯电子开发了多种规格的TO263-7封装SiC MOSFET产品，电压平台包括650V、1200V、1700V，导通电阻覆盖25mΩ~1Ω，如下表：
产品特点
低阻抗封装
低导通电阻，低损耗
可高速开关，且寄生电容小
高工作结温，可达175℃
具有开尔文源极驱动（Kelvin-Source）
应用场景
综上分析，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET很适合系统尺寸紧凑，又需要实现高功率、高效率的功率变换的场景应用，具体如下：
车载充电器
光伏逆变器
高压DC/DC变换器
车载空压机驱动
UPS电源
开关电源
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Vicky转载自瞻芯电子公众号，原文标题为:瞻芯电子推出第二代650V车规级SiC MOSFET，TO263-7封装助力高效高密应用，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【元件】瞻芯电子推出2000V SiC MOSFET和SBD，助力高压光伏逆变器系统
为满足光伏、储能和电网等领域对更高耐压等级功率器件需要，瞻芯电子开发2000V碳化硅（SiC）MOSFET和SBD工艺平台。首批2款产品通过严格可靠性认证，并正式推向市场。目前已有客户导入新产品测试，进入整机验证阶段。
【产品】瞻芯电子车规级1200V大电流SiC MOSFET，支持双面水冷封装 | 视频
在2021年3年26日功率器件专场|世强硬创新产品研讨会，瞻芯电子推出1200V SiC MOSFET，导通电阻低至50毫欧，采用开尔文连接驱动，带快速恢复体二极管，工作结温最高达175℃，典型结到外壳的热阻0.436℃/W，低寄生电容。
【产品】国产车规级车规级SiC MOSFET IV1Q12160D7Z，寄生电容小，适用于光伏逆变器
瞻芯电子推出的车规级SiC MOSFET IV1Q12160D7Z，它具有源极驱动管脚的低阻抗封装，同时具有低导通电阻、寄生电容小等特点，可广泛应用于光伏逆变器、车载充电器等等。
IV1Q12080T4–1200V 80mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12080T4型号的1200V 80mΩ SiC MOSFET。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、耐高温特性以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12080T4
IV2Q12017BD – 1200V 17mΩ SiC MOSFET 芯片
描述- 该资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV2Q12017BD型号的1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
型号- IV2Q12017BD
IV1Q12050T4–1200V 50mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050T4型号1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12050T4
IV1Q12750O3–1200V 750mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司的SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）产品IV1Q12750O3。该产品具有高阻断电压、高速切换、低电容和高结温操作能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12750O3
IV2Q12017BA – 1200V 17mΩ SiC MOSFET 芯片
描述- 该资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片的技术规格和应用信息。芯片具备高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
型号- IV2Q12017BA
IV2Q12017T4–1200V 17mΩSiC MOSFET
描述- 本文档介绍了InventChip公司生产的1200V 17mΩ SiC MOSFET的特点、技术规格和应用领域。该器件具备高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
型号- IV2Q12017T4
【产品】 1200V/80mΩ的SiC MOSFET IV1Q12080T4，TO247-4封装
瞻芯电子的SiC MOSFET IV1Q12080T4，漏源电压1200V，采用TO247-4封装，该产品存储温度范围为-55℃~175℃，工作结温范围为-55℃~175℃，适用于光伏逆变器、UPS 电源 、电机驱动、高压 DC/DC变换器 、开关电源等。
IV1Q12080T4Z – 1200V 80mΩ 车规级 SiC MOSFET
描述- 该资料介绍了IV1Q12080T4Z型号的1200V 80mΩ车规级SiC MOSFET的特性、应用领域和电学参数。产品具备高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于车载充电器、车载压缩机逆变器、车载DC/DC变换器、光伏逆变器和开关电源等领域。
型号- IV1Q12080T4Z
IV1Q12017BAG– 1200V 17mΩ SiC MOSFET 芯片
描述- 本文档介绍了InventChip公司生产的IV1Q12017BAG型号的1200V 17mΩ SiC MOSFET芯片。该芯片具有高压、低导通电阻和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
型号- IV1Q12017BAG
IV1Q12050T3–1200V 50mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司的IV1Q12050T3型号1200V 50mΩ SiC MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速开关特性、耐高温能力以及快速且坚固的本征体二极管等特点。适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12050T3
IV1Q12750T3–1200V 750mΩSiC MOSFET
描述- 本资料介绍了InventChip公司生产的IV1Q12750T3型号的1200V 750mΩ碳化硅（SiC）MOSFET。该器件具有高阻断电压、高速切换能力、低电容和高结温操作能力等特点，适用于太阳能逆变器、不间断电源（UPS）、高压直流/直流转换器和开关模式电源等领域。
型号- IV1Q12750T3
IV1Q12017T4G-1200V 17mΩSiC MOSFET
描述- 该资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV1Q12017T4G型号的1200V 17mΩ SiC MOSFET的特性、应用领域和电学参数。产品具备高压、低导通电阻、高速和高工作结温等特点，适用于光伏逆变器、电机驱动、高压DC/DC变换器和开关电源等领域。
型号- IV1Q12017T4G
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论