【元件】 瞻芯电子推出第二代650V车规级SiC MOSFET，TO263-7封装助力高效高密应用
近日，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证，该产品采用TO263-7贴片封装，具有体积较小，安装简便，损耗更低的特点。此外，瞻芯电子同步推出了650V 60mΩ规格的车规级263-7封装产品IV2Q06060D7Z。
产品特性
瞻芯电子的第二代SiC MOSFET产品是依托瞻芯电子自建的SiC晶圆厂来研发和生产的，其首款产品于2023年9月份发布量产，该系列产品的驱动电压（Vgs）为15-18V，应用的兼容性更好。更为关键的是，第二代SiC MOSFET通过优化栅氧化层工艺和沟道设计，使器件比导通电阻降低约25%，能显著降低开关损耗，提升系统效率。
关于TO263-7塑封贴片封装，对比传统的TO247封装，体积更小，贴片焊接更简便。在应用中，TO263-7封装的源极（S）为5根引脚并联，阻抗更低，导通损耗也更低。同时TO263-7封装具有开尔文源极引脚（Kelvin Source），将栅极引脚电感最小化，并用背面的散热板当作漏极（D），总体封装电感更低，从而抑制了开关时的驱动回路振荡，降低门极噪声，更利于发挥碳化硅（SiC）MOSFET高速开关应用，从而提升系统效率。
为满足多种场景应用需求，瞻芯电子开发了多种规格的TO263-7封装SiC MOSFET产品，电压平台包括650V、1200V、1700V，导通电阻覆盖25mΩ~1Ω，如下表：
产品特点
低阻抗封装
低导通电阻，低损耗
可高速开关，且寄生电容小
高工作结温，可达175℃
具有开尔文源极驱动（Kelvin-Source）
应用场景
综上分析，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET很适合系统尺寸紧凑，又需要实现高功率、高效率的功率变换的场景应用，具体如下：
车载充电器
光伏逆变器
高压DC/DC变换器
车载空压机驱动
UPS电源
开关电源
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