森国科碳化硅二极管用于DCDC系统中,具有低导通损耗和高开关速度等特性

2024-01-18 森国科
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随着碳化硅半导体技术的不断发展,其在DCDC(直流-直流)转换器中的应用越来越广泛。


森国科碳化硅二极管1200V(KS40120-C2)、650V(KS20065-AKS15065-A)的具有低导通损耗和高开关速度,使得DCDC转换器的效率得到显著提高。与传统的硅基二极管相比,碳化硅二极管的导通损耗降低了约80%,开关损耗降低了约90%。热导率方面,碳化硅产品可使DCDC转换器可以在更高的温度下工作,如电动汽车、太阳能发电系统等。此外,由于碳化硅半导体材料的高饱和电子漂移速率,碳化硅MOSFET(森国科KM040120-R)具有较低的导通电阻和较高的开关速度。这使得碳化硅MOSFET可以实现更高的功率密度,从而减小DCDC转换器的体积和重量。碳化硅半导体材料具有较高的击穿场强、高饱和电子漂移速率和低导通损耗,使得碳化硅MOSFET可以在更高压、高频的环境中工作。如电动汽车电池管理系统、工业电源、无线通信基站、雷达系统等等。碳化硅半导体器件可以实现高度集成,使得碳化硅DCDC转换器可以实现更紧凑的设计。此外,碳化硅半导体器件的驱动电路和控制电路也可以实现高度集成,从而降低整个系统的复杂性和成本。

 


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派恩杰(PN Junction)碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管    碳化硅MOSFET   

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

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HI-SEMICON(深鸿盛)碳化硅肖特基二极管选型表

目录- 碳化硅肖特基二极管   

型号- SC3D10065E,SC3D04065E,SC3D12065A,SC3D10065A,SC3D04065I,SC3D02065A,SC3D06065E,SC3D30065H,SC3D08065A,SC3D06065A,SC3D10065I,SC3D04065A,SC3D08065E,SC3D16065A,SC3D06065I,SC3D16065H,C3D02065I,SC3D20065D,SC3D50065H,SC3D20120D

选型指南  -  HI-SEMICON  - 2022/9/28 PDF 中文 下载

基本半导体2023年碳化硅产品不断创新,车规级碳化硅芯片和功率模块产能稳步提升

2023年,基本半导体迎来了众多高能时刻,产品创新应接不暇,产能建设继续加码,量产交付稳健增长,收获了众多合作伙伴的认可与支持。

厂牌及品类    发布时间 : 2024-02-02

【产品】国产低反向漏电流的碳化硅肖特基二极管DD06500010J,适用于工业电源、数据中心

顶诺微推出的碳化硅肖特基二极管DD06500010J,重复反向峰值电压和冲击反向峰值电压均为650V,有低正向偏压(VF)、 正温度系数、 零正/反向恢复电流等特性,可应用于工业电源和开关电源等领域。

产品    发布时间 : 2022-05-18

时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管全应用解析:光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩

碳化硅肖特基二极管(SiC Schottky Diode)在现代电子设备中扮演着重要角色,尤其在高功率、高频和高温应用中表现尤为突出。本文中小编将带你探讨时科Q-SSC20120-T碳化硅肖特基二极管在实际中的典型应用,包括光伏逆变器、开关电源和新能源汽车充电桩。

应用方案    发布时间 : 2024-07-23

森国科第五代TMPS碳化硅二极管KS06065D应用于讯天宏100W 3C1A氮化镓充电器设计

充电头网的拆解报告显示:东莞市讯天宏智能科技推出的一款氮化镓充电器的PFC升压整流管采用了森国科第五代TMPS碳化硅二极管:型号为KS06065D,耐压650V,正向电流6A,最高工作温度175℃,采用PDFN5*6封装。

应用方案    发布时间 : 2024-01-05

森国科碳化硅二极管,高效率且降低运营成本,为充电桩运营商提供更具竞争力的充电服务

随着电动汽车市场的蓬勃发展,对于快速、高效的充电设备需求日益增长。在这一背景下,SiC模块因其卓越的性能,正逐渐成为超级充电桩的核心器件,有望取代传统的硅基器件。这一变革预计将推动充电技术的重大进步,为电动车的普及和能源结构的优化提供强有力的支撑。

应用方案    发布时间 : 2024-04-18

SEMI-e第六届深圳国际半导体展盛大落幕,森国科斩获年度最具影响力奖项荣誉!

6月28日,SEMI-e第六届深圳国际半导体展在深圳国际会展中心4/6/8号馆圆满落幕。在本次盛会中,森国科携其领先的碳化硅功率器件和高端功率IC等系列产品及解决方案,在4号展馆璀璨亮相。展馆内,参观者络绎不绝,森国科的专业团队与众多来访的工程师进行了深入的技术交流和经验分享。

厂牌及品类    发布时间 : 2024-06-30

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