森国科推出KS系列碳化硅二极管，零反向恢复的特性大幅降低损耗，有效应用于3KW通信电源

时间： 2024-01-18 来源：森国科

技术问答

5G时代来临，通信电源市场迎来了飞跃式的增长，传统的器件的使用已经不能满足对能效提升的需求。第三代宽禁带半导体的出现对设计师们提供了新的思路，碳化硅二极管自身具备的高功率密度与高效率、优良的热稳定性和化学稳定性、低导通损耗和开关损耗在通信电源中的应用主要是将交流电转换为直流电，减少开关过程损耗，为5G基站等提供稳定、安全的电源。此外，由于碳化硅二极管的高效率和耐高温特性，也使得其在服务器、基站等通讯设备的能源库中发挥了关键作用。

在3KW高效通信电源无桥交错PFC电路中，可以采用2颗森国科半导体650V的碳化硅肖特基二极管 KS20065-R2、KS30065-R2等，也可以选用森国科1200V碳化硅二极管KS20120-E、KS20120-R2。这些二极管具有零反向恢复的特性，可以大幅降低反向恢复带来的损耗，从而提升整体效率。

同时，随着业界对电源功率密度的追求以及氮化镓功率器件的普及，主动式PFC需要提高工作频率来减小磁芯体积。在这样的背景下，碳化硅二极管的性能优势更加明显，它能够适应高频下的整流需求，显著提升电源整体效率。因此，碳化硅二极管在PFC电路中的应用前景十分广阔。

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派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

选型指南 - 派恩杰 PDF 中文下载

HI-SEMICON（深鸿盛）碳化硅肖特基二极管选型表

目录- 碳化硅肖特基二极管

型号- SC3D10065E,SC3D04065E,SC3D12065A,SC3D10065A,SC3D04065I,SC3D02065A,SC3D06065E,SC3D30065H,SC3D08065A,SC3D06065A,SC3D10065I,SC3D04065A,SC3D08065E,SC3D16065A,SC3D06065I,SC3D16065H,C3D02065I,SC3D20065D,SC3D50065H,SC3D20120D

选型指南 - HI-SEMICON - 2022/9/28 PDF 中文下载

KS06065-F Silicon Carbide Schottky Diode

型号- KS06065-F

数据手册 - 森国科 - Rev. 1.0 - 2022/9/14 PDF 英文下载

合科泰电子二极管SD103AWS，可用于通信电源、智能插座照明等领域

肖特基二极管往往是利用金属-半导体(M-S)接触特性制成，有点接触型和面结合型两种管芯结构。通常，这种二极管具有开关频率高、正向压降低、反向恢复时间短、耐受浪涌电流能力强、抗高温特性等优点，可用于射频信号整流及低压基准电路中。本期，合科泰电子给大家推荐一款肖特基二极管SD103AWS，它可用于通信电源、智能插座和照明等领域。

产品发布时间 : 2024-07-24

引领全球功率电子创新，SMC致力于提供精准高效的半导体解决方案，满足通讯设备、工业应用、光伏等领域需求

SMC桑德斯微电子，引领全球功率电子创新。SMC始终致力于根据客户的需求设计和生产半导体产品，产品线包含碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET、肖特基二极管、超快恢复二极管、TVS阵列、功率模块等等，产品应用于通讯设备、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等尖端领域。

厂牌及品类发布时间 : 2023-12-14

【元件】SMC碳化硅肖特基二极管，低损耗、耐高温，一个更理想的开关选择

SMC始终致力于根据客户需求设计和生产半导体产品。我们打造的碳化硅肖特基二极管功率器件，包括S6D10065A、S4D40120F、S4D80120S2等型号，为通讯设备、工业应用、光伏、风能、汽车、家电、医疗等多个尖端领域提供源源不断的创新动力。

产品发布时间 : 2024-04-10

森国科碳化硅二极管用于轨道交通电源，具有高达97%以上的良率

近期，深圳市森国科科技股份有限公司的1200V 30A碳化硅二极管在轨道交通上得到了验证，碳化硅二极管在高压、大功率的工作场景中，各项数据表现亮眼，未来有助于加快提升国内轨道交通系统的技术水平。

产品发布时间 : 2024-06-12

【元件】1200V/10A的国产碳化硅肖特基二极管KS10120-B，采用TO-252-2L封装

森国科推出的碳化硅肖特基二极管KS10120-B，VRRM为1200V，IF为10A，QC为71nC，具有高效率、零开关损耗、易于并联使用，可减小散热器，具有零反向恢复电流和零正向恢复电压、高工作频率等特点，采用TO-252-2L封装，适用于开关电源、功率因数校正等应用。

新产品发布时间 : 2022-12-27

KS06065 Silicon Carbide Schottky Diode

型号- KS06065

数据手册 - 森国科 PDF 英文下载查看更多版本

桑德斯（SMC)碳化硅肖特基二极管-裸芯片选型表

桑德斯（SMC)提供如下碳化硅肖特基二极管的技术选型，1200V-VRWM，Rds(ON) (mΩ)范围：+25~+80；ID(A)范围：+41~+63；VGS(th) (V)范围：+2.1~+2.8....桑德斯的碳化硅肖特基二极管可广泛应用于DC/DC转换,电信,服务器PSU,太阳能逆变器,储能等领域。

产品型号	品类	VRWM（V）	IF（A)	VF Max. @IF (V)	IR Max. @VRWM (μA)	CT Max. (pF)	IFSM Max.@10ms (A)	VF Max. @IF 175°C(V)	Qc Max. (nC)	Part Status
SD3-0650-S003AB	碳化硅肖特基二极管-裸芯片	650	3	1.7	2	230	46	2	14.35	Active