森国科SiC功率器件KS20120-C/C2凭借低开关损耗、快速开关速度为充电桩模块提供解决方案

2024-01-18 森国科
SiC二极管,SiC MOS,碳化硅二极管,MOS管 SiC二极管,SiC MOS,碳化硅二极管,MOS管 SiC二极管,SiC MOS,碳化硅二极管,MOS管 SiC二极管,SiC MOS,碳化硅二极管,MOS管

新能源汽车市场的兴起为充电桩产业带来了巨大的机遇,也为新能源汽车的普及和可持续发展提供了坚实的基础。而充电桩市场对于效率、功耗、低碳也提出了新的要求,因而对功率器件的要求也越来越严苛。相对于传统硅器件来说,碳化硅产品体积更小、重量更轻,这使得它们在充电桩模块中更容易集成、布置和安装。有利于实现充电桩的小型化和轻量化设计,大大提升用户操作的便捷性。

 

森国科碳化硅二极管KS20120-CKS40120-C2具有较高的工作温度能力和较低的开关损耗,可以用于实现高频率的开关充电电流,提高充电效率和功率密度。在充电桩模块上,碳化硅二极管常用于直流充电桩的充电模块中,用于整流和保护电路。由于其快速开关特性和较小的开关损耗,它可以提供更高的效率和更可靠的性能。碳化硅二极管和MOS管还可以用于实现过电流保护、过温保护等保护功能。在充电桩模块中,这些器件可以用于监测和保护充电模块的电流和温度,确保充电过程的安全性和稳定性。

 

SiC MOSFET是一种高性能功率开关器件,在高温和高频应用中表现出色。在充电桩模块中,MOS管常用于交流充电桩的充电模块中,用于控制充电电流。由于其高开关速度和低导通电阻,MOS管可以提供更高的开关频率和更高的功率密度,使充电过程更高效和可靠。


碳化硅二极管和碳化硅场效应管在充电桩模块上的应用主要体现在其高温工作能力、低开关损耗、快速开关速度、高电压能力、小型化和轻量化等方面。这些特性有助于提升充电桩模块的效率、可靠性和性能。同时,随着碳化硅技术的不断发展和成熟,它们在充电桩模块中的应用前景也将更加广阔。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由上山打老虎转载自森国科,原文标题为:应用| 森国科SiC二极管、SiC MOS 在充电桩模块的应用,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

40kW充电模块选用森国科KS02120-I碳化硅二极管,有效提升充电速度

KS02120-I碳化硅二极管能够提供高效、高耐压、高频率和高可靠性的解决方案。这款二极管具有1200V的高耐压和20A的电流容量,十分适用于高功率充电模块的需求。KS02120-I碳化硅二极管在40kW充电模块中的应用,可以显著提高充电速度,减少能量损耗,提升系统可靠性,并有助于缩小充电设备的体积。

应用方案    发布时间 : 2024-09-27

森国科KS10065-A碳化硅二极管助力1500W充电器实现更高的效率和更小的温升

SiC二极管KS10065-A超低的正向导通电压(VF值),这有助于降低正向导通损耗,提高整体效率。同时,由于其零反向恢复特性,它在反向恢复过程中极大地减少了反向恢复损耗,并减少了EMI干扰,这使得1500W充电器能够实现更高的效率和更小的温升。

应用方案    发布时间 : 2024-09-27

【应用】采用开环LLC+电流源PFC方案实现全碳化硅高功率密度充电桩模块设计

国产碳化硅领先品牌瞻芯电子采用SiC MOSFET、SiC SBD和SiC MOSFET驱动芯片开发了全碳化硅的充电桩模块包括PFC和DCDC的原型设计。该参考设计的功率密度比业界主流的充电桩模块提升50%,揭示了碳化硅功率器件在高功率密度、高性能充电桩模块领域的巨大优势和潜力。

应用方案    发布时间 : 2020-12-29

HI-SEMICON(深鸿盛)MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南

目录- 公司简介    MOSFET Product Introduction    VDMOS    超结MOSFET    中低压MOSFET    碳化硅肖特基二极管    碳化硅MOS    MOSFET/SiC肖特基二极管封装   

型号- SCF60R190C,SFD3006T,SFD6003T,SGP104R5T,SFS0406T4,SFM6005DT,SFD7N70,SFW90N25,SFQ0320T4,SFD18N20,SFM4009T,SFE6001T2,SFM6004T5,SFK2N50,SFF60N06,SFN4006T5,SFM0420T4,SFP10003PT,SFF18N20,SCF65R190TF,SFD2N50,SFM4004PT,SFS6003PT,SFP33N10,SFS4010T,SGS6001T4,SGP6008T,SFS3401,SFQ0318T4,SC3D40120D,SFS3400,SFK1N65,SCD65R960C,SFS4010T2,SFF5N80,SFS0407T4,SFS3407,SFD6005T,SFD10003PT,SFD7N50,SFM6005ST,SFF18N50,SFP40P10,SGS15HR430T,SFA10015T,SFP50N06,SCF65R640C,SFD3003T,SFQ0322T4,SFF12N65,SFD6006T,SGD105R5T,SFP11P20,SFD6N70,SFS6007T,SGM10HR14T,SCF65R380C6,SFS3400.A,SFS3001T2,SCD70R600C,SFQ0420T4,SCF60R580C,SGXXXXXPT,SGM062R3T,SFS4525T,SFD3004T5,SFS3401A,SGM066R5T,SFN3009T,SGM031R7T,SFB11N90,SCD70R900C,SFU3006T,SFP9N20,SFA110P06,SFR0305T2,SFF50N06,SFD6007T,SCD80R500S,SC3D08065G,SCF65R380C,SFD4006T,SC3D08065I,SFN0315T4,SFN3003PT,SFA6005T,SFS4008T2,SFS2300,SGP157R5T,SFS2301,SFM10015T,SFH8402DW,SC3D04065E,SCU70R900C,SCF60R280C,SFS2304,SFS2303,SFF13N50,SFS2305,SC3D04065I,SFF7N50,SCF65R540T,SFD50N06,SFP20007,SFU18N20,SGP104R0T,SCD65R1K2C,SFN0330T2,SFD6008T,SGM107R7T,SC3D04065A,SFM4010T,SFF20N50,SC3D20065D,SFP40N20,SFS0307T4,SFD3012T,SFF7N65,SCD60R580C,SFU5N20,SC3D10065A,SGM105R0T,SCF65R310C,SCF60R360C6,SFS0405T4,SC3D10065G,SC3D10065I,SFP6P10,SFM4005DT,SC3K080120,SCK65R1K15C,SFW50N25,SFU4N65,SFN0413T4,SFD5N65,SFP30P10,SFM10003PT,SC3D08065A,SFP18P10,SFD4N90,SFF7N70,SCF60R125C,SFXXXXXPTX,SFD4006PT,SFD4003T,SCF70R600C,SFF6005T,SFS0306T4,SCF80R950C,SGA104R0T,SFD3010T,SFE3007T,SFD5N50,SFP3006T,SFP3018T,SFP18N20,SGP103R0T,SCW65R075CF,SCF65R170C,SFS6012T2,SGD6008T,SGM041R8T,SFD4001PT4,SFD4001PT5,SFF8N65,SFN3006PT,SC3K040120,SGM6008T,SFD4N70,SCW60R030CF,SFB50N25,SCW65R041CF,SFP6005T,SFS2013PT,SCF70R420C,SCW65R090C,SGM031R1T,SCD70R420C,SC3K075120,SFD33N10,SCW65R099TF,SFP5P03,SCF60R160C,SFR0206T2,SFD4N65,SC3D15120H,SFS2N7002,SFF33N10,SCF70R360C6,SFD2008T,SFN3003T,SFS2302B,SGM109R5T,SFM6008T,SFD3006PT,SFD6003PT,SGA104R5T,SFF20N65,SFK4N65,SFB90N25,SFD5N20,SFR0205PT2,SGM030R7T,SFF8N80,SC3D30065D,SFN3002T,SFU9N20,SFD7N65E,SFD9N65,SFD4004PT,SFF20N70,SGM042R4T,SFP6007T,SFS3401B,SFS4435,SFU6003T,SGU6008T,SFM0430T2,SFF10N70,SCF60R360C,SFD2006T,SC3D06065E,SC3D06065G,SFP75P55,SC3D10120H,SFF3N80,SC3D06065A,SCD70R600C6,SCD65R380C,SFD14N25,SC3K015120,SFSAP4580,SFS6010T2,SCD65R540T,SGP105R5T,SFF4N65,SFF10N65,SC3D30120H,SFM0320T4,SC3D30120D,SC3D16065A,SC3D16065D,SC3D16065G,SFP27P20,SC3K050120,SFU6005T,SFW10P04,SFD3N50,SFF4N70,SFM10008T,SFF9N90,SCXXXXXXXXFX,SFD2003T,SFN0318T2,SFD3009T,SFM3011T,SFD6005PT,SC3K032120,SFP110N55,SFF16N65,SC3D12065A,SFF10N80,SFF5N50,SC3D12065G,SGD10HR20T,SC3D12065I,SC3D20120H,SFP59N10,SFN6004T5,SXXXXXXX,SFD9N20,SCF65R240C,SC3D06065I,SCD65R640C,SFS2012PT,SGA105R5T,SFN0250T2,SFM3012T,SC3D20120D,SGM041R3T

选型指南  -  HI-SEMICON  - 2022/11/18 PDF 中文 下载

瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/驱动与控制芯片选型指南

描述- 上海瞻芯电子科技股份有限公司(简称“瞻芯电子”)是一家聚焦于碳化硅 (SiC) 半导体领域的高科技芯片公司,2017 年成立于上海临港,致力于开发碳化硅 (SiC) 功率器件和模块、驱动和控制芯片产品,围绕 SiC 应用,为客户提供一站式芯片解决方案。

型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1

选型指南  -  瞻芯电子  - March 2024 PDF 中文 下载

【元件】瑞之辰推出首款SiC MOSFET PIM模块,可替代硅基IGBT芯片的模块,系统损耗降低三分之一

又有一家国内企业在车规级SiC技术的研发和应用方面实现了新的突破。深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块,实现了对硅基IGBT芯片的模块替代,在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时,这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式,模块体积减少约57%,而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新,模块可靠性得到大幅提升,非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。

产品    发布时间 : 2024-11-01

【方案】20kW~60kW充电桩优选器件方案

描述- 本方案针对20kW~60kW 充电桩的高性能需求,在PFC 整流电路和DC-DC 变换电路均采用了Vincotech高性能ANPFC 模块以及H 桥逆变模块,实现了管脚与风道之间的相互独立。同时,采用Laird 高性能导热材料和Standex 带散热底座的平面变压器和电感,提高充电桩功率等级的同时增强了整机的防护性和可靠性。

型号- 2SK2225-80-E,TFLEX HD300,CMS-R010-1.0,U9507C,TPCM 780,10-FZ074PA0XXSM-LXXXF08,SPFJ160,PS9402,BVE-A-R002-1.0,MLX91208,10-FZ07ANAXXSM-LE2XL08,PS9031,LSIC2SD120E30CC,SI8235BD-D-IS,SI8233BD-D-IS,10-FZ071SA050SM02-L524L18,KSU60D60N,92ML,10-FZ07ANA75SM-LE28L08,10-FZ07ANA150SM-LE20L08,0505030.MX52LEP,RC12-6-01LS,10-FY074PA100SM-L583F08,10-FZ071SA100SM02-L526L18,SMBJ18CA,ADP32F12A,PS9531L3,10-FZ071SA075SM02-L525L18,RBN75H65T1GPQ-A0,C4D30120D,KSF60F60B,SID1152K,SI8621BD-B-IS,10-FZ07ANA100SM-LE29L08,10-FZ074PA050SM-L624F08,10-FZ074PA075SM-L625F08,SGM2019

优选器件方案  -  ISABELLENHUETTE,LITTELFUSE,LAIRD,SILICON LABS,ADVANCECHIP,RENESAS,VINCOTECH,II-VI MARLOW,WOLFSPEED,LONGSUNG,KYOCERA,PI,ROGERS,MELEXIS,SGMICRO  - V1.1 PDF 中文 下载

纳芯微光储充系统解决方案

型号- NSI6602,NSI6801,NSI1311,NSI6601,NSI1312,NSI824X,NCA854X,NSI1200D25,NSR24XX,NPC040N120,NSI8308X,NSM2019,NSIP83085,NPD0X0N120,NSI68515,NSR2845,NSOP9XXX,NSI1300D25,NSOPA9XXX,NSI1300,NSD1025V,NSREF31XX,NSR2240X,NCA1042,NSR7808,NSIP89XX,NSI8221,NLE8348,NSD7312,NSOPA8XXX,NSI1200D05,NSI6622,NCA824X,NSD731X,NSIP31,NCA1042B,NSI131X,NSI68011,NSI83086,NSM201X,NSI83085,NSR10320,NPD020N120,NST235,NSIP1042,NSR31XXX,NSI1300D05,NSD1624,NPC080N120,NSA8244,NSREF30XX,NSR3X,NSA8245,NSI1200,NSI6611,NSI1042,NSI82XXC,NSI6651,NSR31XX,NSOPA90XX,NCA1051A,NCA3485,NSI6601M,NCA8T245,NSR10430,NSR28QXX,NSIP88XX,NSI82XX,NSI8241,NSI1050

应用及方案  -  纳芯微电子  - 2023年12月 PDF 中文 下载 查看更多版本

【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用

型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT

商品及供应商介绍  -  NOVUSEM PPTX 中文 下载

纳芯微电子(NOVOSENSE)栅极驱动IC产品选型指南

描述- 栅极驱动芯片(Gate Driver IC)是一种用于控制半导体功率器件(如 MOSFET、IGBT、SiC MOSFET、GaN HEMT 等)开关速度和时间的集成电路。

型号- NSI6801,NSI6602M,NSI6601,NSD1015MT-Q1,NSD1026V,NSI6602N,NSI68010,NSI68011,NSG65N15K,NSI6651-Q1,NSI6602V,NSD1015MT,NSI68515,NSD1624-Q1,NSI6770,NSD1624,NSI6801E,NSI66X2V,NSD2017,NSI6602XA-DXXX,NSD1224,NSI6601-Q1,NSI6602V-Q1,NSI6911,NSD1015T,NSI6770-Q1,NSI6611,NSI6911-Q1,NSI6801M,NSI6602VD,NSI6651,NSD1624(XX)-XX,NSI68010-Q1,NSI6601M,NSI6611-Q1,NSD2622N,NSD2012N,NSD10151-Q1,NSI6601(XX)C-DXXX,NSI6601M-Q1,NSI6622V-Q1,NSI66X2,NSD1026V-Q1,NSD2621,NSI6602U-Q1,NSD1015

选型指南  -  纳芯微电子  - 2024年6月 PDF 中文 下载

【应用】用于充电桩模块的低成本驱动方案:变压器+不带隔离的驱动芯片IXDD604

IXYS的驱动芯片IXDD604配合前级变压器做信号隔离的充电桩模块的MOS管驱动方案,可以为驱动电路的设计带来成本优势。相比带隔离的驱动芯片需要在原副边两侧都需要电源供电,用IXDD604做设计只需要一路电源供电,设计者省掉一路供电电源,所以对于设计成本有优势;其次在设计体积上,双路驱动芯片通常是宽体,而IXDD604属于8pin SOIC-8封装,设计体积上IXDD604有优势。

应用方案    发布时间 : 2020-03-29

《黑神话:悟空》刷爆全网,AI技术与SiC材料助力打造巅峰之作!

运载AI技术的PC电源需要在高温环境下维持稳定,此时,采用SiC功率器件显得尤为关键,碳化硅高效的能源转换性能有助于优化电源系统能耗比,从而显著提升整体能效和电源器件的功率密度。这一改进将不仅能够保障了游戏体验的连贯性,还可维持系统的长期稳定运行,从一定程度上实现运维的降本增效。

产品    发布时间 : 2024-08-27

展开更多

电子商城

查看更多

品牌:森国科

品类:碳化硅肖特基二极管

价格:¥17.6000

现货: 520

品牌:森国科

品类:碳化硅肖特基二极管

价格:¥33.6000

现货: 200

品牌:森国科

品类:碳化硅二极管

价格:¥7.2000

现货: 520

品牌:森国科

品类:碳化硅功率场效应晶体管

价格:¥48.0000

现货: 512

品牌:森国科

品类:碳化硅二极管

价格:¥16.0000

现货: 500

品牌:森国科

品类:碳化硅二极管

价格:¥5.6000

现货: 500

品牌:森国科

品类:碳化硅二极管

价格:¥12.8000

现货: 500

品牌:森国科

品类:碳化硅二极管

价格:¥5.6000

现货: 500

品牌:森国科

品类:碳化硅功率场效应晶体管

价格:

现货: 500

品牌:森国科

品类:碳化硅二极管

价格:¥7.6800

现货: 500

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

品牌:HAMOS

品类:SMD-NMOS管

价格:¥0.7200

现货:511,697

品牌:APEC

品类:mos管

价格:¥0.4000

现货:230,000

品牌:上海贝岭

品类:Trench MOSFET

价格:¥0.2000

现货:86,752

品牌:合科泰电子

品类:MOS管

价格:¥0.1900

现货:42,122

品牌:DIODES

品类:MOS管

价格:¥0.7000

现货:27,000

品牌:安邦

品类:MOS管

价格:¥0.3800

现货:22,070

品牌:TANi

品类:贴片MOS管

价格:¥1.6380

现货:20,000

品牌:TANi

品类:贴片MOS管

价格:¥0.7350

现货:20,000

品牌:TANi

品类:贴片MOS管

价格:¥1.9350

现货:20,000

品牌:TANi

品类:贴片MOS管

价格:¥0.4460

现货:20,000

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

服务

查看更多

功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

实验室地址: 西安 提交需求>

高热流密度液冷板定制

定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。

最小起订量: 1片 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面