CX75GD015E:诚芯微65W合封氮化镓快充参考设计

2024-03-20 诚芯微官网
集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关,开关电源次级侧同步整流控制电路,内置高压NMOSFET同步整流开关,高频高性能准谐振式交直流转换功率开关 集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关,开关电源次级侧同步整流控制电路,内置高压NMOSFET同步整流开关,高频高性能准谐振式交直流转换功率开关 集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关,开关电源次级侧同步整流控制电路,内置高压NMOSFET同步整流开关,高频高性能准谐振式交直流转换功率开关 集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关,开关电源次级侧同步整流控制电路,内置高压NMOSFET同步整流开关,高频高性能准谐振式交直流转换功率开关

这是一款65W氮化镓(1A1C) PD快充电源方案,该方案采用CX75GD015E+CX7539F ,通过方案的设计和 PCB板布线实现了更好的电源性能。该款65W集成GaN PD快充方案具有小体积低温升、高效率、支持多协议快充等优势,适用于充电器、电源适配器、笔记本电脑、扩展坞等数码产品中。


65W合封氮化镓快充方案特性:

1、输入电压范围90VAC~264VAC

2、输入待机功耗低于75mW @230VAC

3、输出C口(5VDC/3A、9VDC/3A、12VDC/3A、15VDC/3A、20VDC/3.25A)

4、输出总功率为65W

5、输出C口纹波134mV

6、具有输出过流保护、短路保护、过温保护等功能

7、符合“DOE&COC”6级能效标准

8、通过EN55022 ClassB的EMI测试标准

9、通过EFT、Surge 4KV测试标准        

图 1

整个电源方案是由CX75GD015E和同步整流器CX7539F构成,高功率密度设计、高集成、环路稳定性更佳、且能够大大降低整体成本。该款快充方案支持90~264V宽输入电压,输出支持5V/3A,9V/3A,12V/3A,15V/3A,20V/3.25A。该款65W合封氮化镓快充参考设计采用两块小板,输出小板上焊接了协议芯片,简化电路设计并提高空间利用率。


CX75GD015E是一款集成高压GaNFET功率器件高频高性能准谐振式交直流转换功率开关,应用于65W内高性能、低待机功率、低成本、高效率的隔离型反激式开关电源。


CX75GD015E集成了完备的保护功能,包括:Vcc欠压保护(UVLO),Vcc过压保护(Vcc_OVP),输入欠压保护(Brown in),输入过压保护(Brown out),输出过压保护(VO_OVP),FB开短路保护以及副边SR短路保护,CS开短路保护等。该方案采用了“多协议”设计,可兼容多个 PD协议,并支持5V、9V、12V、15V、20V电压档位输出,可满足多种3C数码产品的充电需求。


CX7539F是一颗高性能的开关电源次级侧同步整流控制电路。在低压大电流开关电源应用中,轻松满足6级能效,是理想的超低导通压降整流器件的解决方案。芯片可支持高达150kHz的开关频率应用,并且支持CCM/QR/DCM等开关电源工作模式应用,其极低导通压降产生的损耗远小于肖特基二极管的导通损耗,极大提高了系统的转换效率,大幅降低了整流器件的温度。


CX7539F是一款内置高压 NMOSFET同步整流开关,且具有极低的内阻,可提供系统高达5A以内的应用输出;IC通过检测集成MOSFET的源漏电压来决定其开关状态,能够兼容连续模式、非连续和准谐振工作模式的反激转换器。 


CX75GD015E合封芯片能够显著降低器件数量,简化充电器的设计。器件数量的减少可以降低充电器的量产成本并加快生产速度,从而加速抢占市场。得益于高集成合封氮化镓的应用,这款65W快充设计电路非常精简,不仅具有精简的电路,效率提升,还具有非常高的功率密度。诚芯微目前已推出多款完整的氮化镓快充解决方案,涵盖25W、35W、45W、65W等多功率段。一颗合封氮化镓芯片可轻松取代初级侧两到三颗芯片的功能,通过高集成度的合封芯片,设计出精简高效的氮化镓充电器,能够有效地简化充电器设计和生产流程,从而助力行业客户快速抢占市场。


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可定制电感可承受4.5KV高压,可适配于30MHz高频应用;支持平共模电感、谐振电感、PFC电感、大电流直流电感等产品电压/频率等参数性能定制;通过AECQ-200认证。

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