【应用】IEEE PEAC 2018国际会议：PI专家分享了Scale-iDriver在汽车极门极驱动方面的应用
日前，第二届国际电力电子技术及应用会议暨展示会(2018IEEE Inter-national Power Electronics and Application Conference and Exposition，简称：IEEEPEAC 2018)在深圳召开。会议有超过30家企业集中展示电源及相关领域新产品、新应用、新成果。PI也在现场展示了Scale-iDriver产品系列和Inno-Pro产品系列。
在大会专题讲座环节，PI大功率技术总监魏炜先生作了题为《SCALE-iDriver - Automotive Gate Driver》的演讲，介绍了Scale-iDriver在汽车极门极驱动方面的应用 。
魏炜：电动汽车市场增长势头迅猛，预计将从2017年的110万辆增至2025年的1100万辆，与汽车相关的大功率开关器件的需求量也将随之猛增。2025年之后，这一势头还将继续加速。
电动汽车(EV)生态系统由两个要素构成：电动汽车和充电站。电动汽车具有多个不同的开关级，包括电池管理系统、牵引逆变器、车载充电器、DC-DC变换器以及混合动力汽车(HEV)中的启停控制系统。在国内应用中，从230VAC（单相）电源为电动汽车充电主要通过单相3.6kW充电器或三相充电器（输出功率可达22kW）完成。对汽车电池进行快速充电（1小时以内）需要使用高压直流充电器（最高达800V），这样才能快速传递能量。
汽车功率元件需要具备优异的稳定性，大功率充电意味着动力总成的每一级都必须具有出色的效率。新的开关技术（如碳化硅）已能降低开关元件的损耗。增强型SiC、MOSFET和IGBT驱动器（如SCALE-iDriver）可提高时钟精度并提供更大的门极电流，从而提高开关效率。新出现的更稳健的通信技术则可延长系统寿命。新型驱动器新增了诸多先进的安全特性，可在过载情况下对动力总成提供保护，从而增强系统稳定性。
PI已发布两款AEC-Q100 Grade-1汽车级SCALE-iDriver IC ——SID1132KQ和SID1182KQ，汽车工程师可充分利用业界领先的性能和可靠性，为大电流隔离型IGBT、MOSFET和SiC模块提供驱动。
单通道驱动器IC采用PI创新的FluxLink磁感电气隔离通信技术，该技术可在低压原方与高压副方之间提供双向高速通信链路。FluxLink由两个间距为0.4mm的磁感耦合导体构成，并且嵌入在同质绝缘材料中，可提供超过8000V的绝缘且符合VDE0884-10标准（未来标准为VDE0884-11）。SID1132KQ和SID1182KQ采用PI公司坚固可靠的紧凑型eSOP封装，可提供CTI600级的9.5mm爬电距离和电气间隙，并且是唯一的汽车级门极驱动器IC，可轻松满足汽车级5000米高海拔加强绝缘标准。
FluxLink技术已被PI多款量产的工业及消费级AC-DC变换器IC所采用，此类产品的全球出货量已超过5亿片，在实际应用中表现出极高的可靠性（故障率<1PPM）。IC封装内集成了原方隔离带和通信链路，可增强可靠性并省去光耦器等外围隔离元件，此类元件都存在散热性能不高和长期稳定性不足的固有问题。
会议期间，PI的IGBT应用专家们和与会的IGBT工程师和教授进行了积极的互动，有力地推广了PIIGBT驱动器在电机拖动、机车牵引、轨道交通应用、风能、太阳能应用、中压变频器（两电平和多电平）、医学工程、工业过程控制技术、射频技术、感应加热和焊接技术、军事应用、电信以及学术研究等领域的应用。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 2
本文由LEA酱的一生转载自Power Integrations，原文标题为:IEEE PEAC 2018国际会议：PI专家分享了Scale-iDriver在汽车极门极驱动方面的应用，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
【应用】SiC门极驱动器IC SIC1182KQ应用于电动汽车电驱，提供1200V加强绝缘
本文描绘了电动汽车电驱三相逆变部分的核心功率器件（SIC MOS）电路框图，要实现更高的开关频率，对应的MOS管驱动芯片要求也就越高，并且过快的关断下，带来过高的Dv/dt，对驱动芯片的耐压也是一大挑战。主要介绍PI全新的可提供高效率的单通道SiC MOSFET车规级门极驱动器SIC1182KQ 在电动汽车电驱上运用的优势。
应用方案 发布时间 : 2020-02-19
【应用】汽车级门极驱动芯片，为电动汽车提供极安全和可靠的绝缘技术
电动汽车对使用的驱动元器件安全性、速度和驱动能力要求较高， 而门极驱动器芯片的性能好坏会直接影响着电动车辆的整体性能。 PI最新推出的SCALE-iDriver汽车级门极驱动器系列芯片采用了行业领先的FluxLink™ Technology（磁感双向通信技术），从而增强了原边和副边之间的电气隔离，并自带高级软关断(ASSD)的短路关断保护、短路保护功能，率先为汽车行业提供极安全和可靠的绝缘技术。
应用方案 发布时间 : 2018-06-30
【应用】适合纯电动汽车(BEV)和混合动力汽车(HEV)电源开关应用的隔离式驱动器
Power Integrations已发布两款AEC-Q 100Grade-1汽车级SCALE-iDriver IC —— SID1132KQ和SID1182KQ，汽车工程师可充分利用业界领先的性能和可靠性，为大电流隔离型IGBT、MOSFET和SiC模块提供驱动。
应用方案 发布时间 : 2018-11-20
【方案】100KW电动汽车电机驱动优选元器件方案
描述- 本方案采用Vincotech的E3系列IGBT模块、Power Integrations的隔离驱动、Melexis的电流传感器和Littelfuse的SIC MOSFET等器件组成的电机驱动电路，同时配备蓄电池备用辅助电源，实现大功率电机驱动安全高效、节能环保的目的。
型号- SMCJ24CA,LSIC1MO170E1000,L50QS200.V,A0-VS122PA600M7-L759F70,R7F701271EAFP#YK1,TFLEX HD300,EKXJ451ELL470ML25S,TPCM780,SGM2036-3.3YN5G/TR,SID1182KQ,SI8621BD-B-ISR,MLX91208LDC-CAL-000-SP
求一款英飞凌FF600R12ME4的驱动芯片，汽车级应用的？
在驱动器方面，推荐PI品牌的SID1182KQ，可以参考文章：【经验】教你验证SID1182K隔离驱动芯片能否驱动600A/1200V IGBT模块。在IGBT方面，推荐Vincotech E3模块A0-VS122PA600M7-L759F70，规格为1200V/600A，可Pin To Pin兼容FF600R12ME4半桥 IGBT功率模块，同时相比FF600R12ME4可降低5~10%设计成本。
技术问答 发布时间 : 2019-01-16
【选型】Power Integrations（PI）SCALE IGBT/MOSFET栅极驱动器选型指南
描述- Power Integrations是中高功率栅极驱动器的技术和市场领导者。 采用高度集成的技术，该公司的栅极驱动器比其他常用解决方案使用的元件数量减少85％。
型号- SID1102K,2SP0430T2A,2SP0115T2AX-XX,2SP0430T2B,1SC0450E2B0-45,2SC0435T2H0C-17,1SP0635,MBC61-XXX-0,2SP0115T2B0C-XXXX,SID1182KQ-TL,2412Z,SID1151K-TL,MBC41-XXX-0,2SC0635T,2SD300C17A2C,1SC0450,SID1181K,1SC0450E2B0C-XX,1SP0335S2M1-XX,2SC0435T2G1-17,2SC0535T2XX-33,2SD300C17A3C,2SC0108T2F1C-17,2SC0108T2D0-XX,SIT12XXI,1SP0335X2MX,1SC0450E2B0-65,SID1112K,RDHP-1702,2SC0106T2A1C-12,2SP0320T2,SID1112K-TL,2SP0320T2D0-17,SIT1253I,2SP0320T2D0-12,1SP0335D2S1C-XXXX,2SP0115T2C0-XX,SID1183K-TL,2SC0535T2A1-33,1SP0635D2S1-XX,2SC0535T2G0-33,2SC0650P2A0-17,2SP0115T2BX-XX,2SP0320V2,1SP0635S2M1C-XXXX,5SNA1200E330100,2SC0650P2C0-17,SID1181KQ,SIC1182K-TL,2SC0108T2F1-17,2SC0435T2F1-17,SID1132KQ,2522ETZ,HFBR1412Z,ISO5125I,2SP0320V2XX,SID11X2K,1SP0335,SIC1181KQ-TL,1SP0635X2MX,1SP0340V2M0-XX,HFBR-2412Z,SID11X1K,SID1182KQ,SID1183K,2SC0108T2H0C-17,2SC0435T2F1C-17,SID1152K-TL,2SP0320X2,2SP0320V2A0-XX,2SP0320T2A0,SIT1217I,2SP0320T2C0-17,SID1182K,2SC0535T,ISO5125I-XX,SIC1182KQ,DIC20,1522ETZ,2SP0320T2C0-12,1SP0340D2S0-XX,2SP0320,RDHP-1521,1SP0351V2B,1SP0351V2A,2SP0115T2A0C-XXXX,RDHP-1526,1SP0351V2D,2SC0435T2XX-17,1SP0351V2C,1SC0450V2B0C-XX,2SP0115T2C0C-XXXX,1SP0635V2M1C-XXXX,2SP0320V2D0-17,2SC0106T,2SP0115T2CX-XX,SID1181KQ-TL,2SP0320V2D0-12,2SP0320T2A0-XX,SIC1182K,RDHP-1531,1SC0450V,RDHP-1532,2SP0320T2C0,RDHP-1415,SID1102K-TL,2SC0535T2G0C-33,1SP0335V2M1C-XXXX,1SC0450E,2SC0650P2X0-17,1SP0351V,SID1152K,1SP0340V2M0,1SP0340,SIC1181KQ,2SC0650P,2SC0115T2A0-12,MBCON-6-1-0,2SC0108T2G0C-17,RDHP-1423,1SP0635V2MX,RDHP-1424,2SP0115T2C0,1SP0635S2M1-XX,2SP0320T2D0,1SP0335V2M1-XX,2SD300C17,2SP0430T2A0C-XX,MBC31-100-0,1SP0635V2,1SP0351V2,SID1181K-TL,2SP0115T2B0,HFBR 2522ETZ,2SC0535T2A1C-33,2SC0108T,SID1151K,2SC0435T,2SC0108T2D0-12,2SC0108T2H0-17,2SC0106T2A1-12,2SP0430T2XX,2SC0435T2H0-17,SIC1182KQ-TL,2SP0115T2D0,ISO5125I-XX XX,2SP0115T2A0-XX,2SC0435T2G1C-17,1SP0351V2A0C-XX,1SP0635D2SX,2SP0430T,2SC0108T2D0C-12,1SP0335S2M1C-XXXX,1SP0351V2D0C-XX,1412Z,2SP0320S2XX,SIC118XKQ,SID11XXKQ,2SP0320T2A0C-XXXX,2SP0320V2AX-XXXX,RDHP-1608,2SD300C17A3,2SD300C17A2,1SP0340V2,1SP0335D2S1-XX,2SP0115T2A0,2MBI900VXA-120E-50,SID1132K-TL,1SC0450V2B0-65,1SP0635SMX,2SP0115T,SID1132K,HFBR-2522ETZ,1SC0450V2,1SP0335D2SX,1SP0635V2M1-XX,1SP0351V2B0C-XX,SID1132KQ-TL,2SC0108T2G0-17,1SC0450E2,1SP0351V2C0C-XX,2SC0115T2A0C-12,FZ1200R45HL3,1SC2060P,1SC2060P2A0-17,SID1182K-TL,HFBR-1522ETZ,2SP0115T2B0-XX,2SC0635T2A1-45,2SP0430T2B0C-XX,RDHP-1517,2SP0115T2DX-XX,RDHP-1516,1SP0335V2MX,1SC0450V2B0-45,2SC0115T,2SP0320T2XX
SCALE-iDriver™(Automotive) Gate Driver SID11xxKQ
型号- SID1132KQ,SID1182KQ,SID1181KQ,SIC1182KQ,SIC1181KQ
现在市场驱动隔离IC有光隔、容隔、磁隔等，Power Integrations的SID1182KQ这个驱动IC是属于什么隔离驱动IC，能介绍下他的内部特点么？
Power Integrations的SID1182KQ隔离驱动IC属于磁隔离，运用了FluxLink技术，字面解释为磁力线连接，此技术提供了非光耦技术的加强绝缘性能，靠的是无核变压器，以磁感耦合方式双向传递信号，变压器原副边 物理距离0.46mm,同时变压器之间填充高绝缘能力物质，避免局部放电现象，符合VDE\UL\CSA认证标准。
技术问答 发布时间 : 2018-10-29
电容式隔离和磁隔离的优势分别是什么，两者的失效模式有何不同？
以Silicon Labs的容耦隔离技术和PI的磁耦隔离技术分别说明各自优势。1、Silicon Labs的容耦隔离技术采用的是OOK调制技术，具有相应快速、低延时、高共模抑制比、低动态功率变化等优势，尤其用于通信隔离时优势明显。2、PI的磁耦隔离技术，代表产品为Scale i-driver SID11x2k，采用FluxLink™技术，满足加强绝缘，芯片内原副方电路之间填充固体绝缘材料，以SID1182kQ（Q代表通过汽车级AEC-Q100认证）具体优势如下：最高等级的安全绝缘耐压能力：I类物质封装材料 + 0.46mm绝缘穿透距离 + 9.5mm爬电距离+加强绝缘设计业界最高的8A最大驱动峰值输出电流，可直接驱动IGBT电流达600A，可达到的驱动率为110KW，节省推挽电路，简化电路设计。最低的芯片发热，内置推动级采用双N沟道Mosfet，开通电阻仅0.76Ω，业界最低，高开关频率下带来芯片发热最低的器件优势。采用SID1182KQ可节省综合eBOM成本1美金以上，当然附加的价值还有简化电路设计的复杂度，可以大大缩短开发时间，可节省人力工时成本等。下面，再说下失效模式：1、Silicon Labs的容耦隔离失效后，金线断开，电容处于开路模式，安全性高。2、PI的磁耦隔离失效后，原副方处于开路模式，安全性高。
技术问答 发布时间 : 2018-08-16
SID11x2KQ SCALE-iDriver产品系列 最大8 A的汽车级单通道IGBT/MOSFET门极驱动器，可提供耐压1200 V的加强绝缘 数据手册
型号- 74LVC1G17-Q100,PMEG4010CEJ,STTH212U,SID1132KQ,PMEG4010,SID1182KQ,SID11X2KQ,BAS416,SID11X2KQ-TL
90KVA(60KW)电机驱动控制器项目，选择一款至少5A高电流输出的汽车级隔离驱动芯片，可节省外部推挽电路，请问是否有合适的型号推荐？
推荐Power Integrations的隔离驱动芯片SID1182KQ，峰值输出电流可达8A，无需接外置推挽，最大可驱动600A功率模块，通过汽车级AEC-Q100认证，可满足设计需求。
技术问答 发布时间 : 2018-11-14
车规级SID1182KQ替换ACPL-33JT IGBT驱动器，帮助降低设计成本、最大8A驱动电流
在IGBT的门极电压钳位上，ACPL-33JT采用±20V的稳压管做门极钳位，PI的SID1182KQ驱动芯片采用快恢复二极管来做门极的钳位保护，设计成本上PI的更便宜。SID1182KQ省推挽、采用电阻的方式来Desat检测，设计成本更低、设计更简单。
设计经验 发布时间 : 2019-01-25
现货市场
品牌：PI
品类：Energy Efficient, High-Power Off-Line Switcher with Accurate Primary-Side Regulation (PSR)
价格：￥4.7664
现货：3,840
品牌：PI
品类：Energy Efficient, High-Power Off-Line Switcher with Accurate Primary-Side Regulation (PSR)
价格：￥5.1009
现货：3,840
品牌：PI
品类：Energy Efficient, High-Power Off-Line Switcher with Accurate Primary-Side Regulation (PSR)
价格：￥3.0940
现货：3,840
品牌：PI
品类：Energy Efficient, High-Power Off-Line Switcher with Accurate Primary-Side Regulation (PSR)
价格：￥3.0940
现货：3,840
品牌：PI
品类：Energy Efficient, High-Power Off-Line Switcher with Accurate Primary-Side Regulation (PSR)
价格：￥3.7629
现货：3,840
服务
可定制变压器电压最高4.5KV，高频30MHz；支持平面变压器、平板变压器、OBC变压器、DCDC变压器、PLC信号变压器、3D电源、电流变压器、反激变压器、直流直流变压器、车载充电器变压器、门极驱动变压器等产品定制。
最小起订量： 100000 提交需求>
可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。
最小起订量： 1支 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论