美浦森功率器件被真我、绿联、睿量等多家大厂采用，具有高效率、低损耗的特性，有效降低产品散热成本
前言
长此以往，二极管都都在各类电源适配器发挥重要功效，不论是PFC电路、整流电路、降压电路等电路中都存在二极管的身影，但随着手机快充功率的不断攀升，二极管效率低，损耗高等问题逐渐暴露，因此各大厂商纷纷采用损耗更低的MOS管、碳化硅二极管等功率器件来取代传统二极管，以降低损耗与发热。为了在功率器件市场占据一席之地，美浦森潜心研发，相继推出多款碳化硅二极管以及低压MOS管，高效推动行业发展。
最近充电头网在整理近些年的拆解案例时，发现真我、绿联、睿量、鑫谷等多家手机、配件大厂均采用美浦森的功率器件，下文为您详细介绍。
美浦森碳化硅二极管
美浦森MSD04065G1
美浦森MSD04065G1是一款碳化硅二极管，耐压650V，开关频率高，耐高温，拥有更短的恢复时间，损耗低，效率高，可以有效降低散热成本，采用TO252封装，主要用于PFC升压整流。
美浦森MSM06065G1
美浦森MSM06065G1是一颗650V耐压，150℃连续正向电流6A的碳化硅二极管，耐高温，开关频率高，拥有更短的恢复时间，损耗低，效率高，采用DFN5*6封装，超薄封装节省体积，适用于高功率密度的大功率氮化镓快充应用。
美浦森低压MOS管
美浦森SLD80N30T
美浦森SLD80N30T，是一颗耐压30V的低压NMOS，导阻4.8mΩ，采用D-PAK封装，开关性能卓越，适合应用于降压电路。
美浦森SLN30N03T
美浦森SLN30N03T是一颗耐压30V的低压NMOS，导阻为6mΩ，采用DFN3*3封装，100%通过雪崩测试，采用美浦森先进TRENCH技术制造，可最大限度地减少导阻，开关性能卓越，适合应用于降压电路。
充电头网总结
充电头网了解到，美浦森半导体是一家专业的功率半导体元器件设计及销售公司，国家级高新企业。公司产品包括中大功率场效应管(低压到高压全系列产品，Trench/MOS/SGT/MOS/Super Junction MOS/Planar MOS)，SiC 二极管、SiC MOSFET等系列产品。其技术和科研人员在产品研发和生产制程方面具有丰富的行业经验，负责公司主要的前沿技术研发，并配有专业AE/FAE团队，提供产品验证和客户支持。目前，美浦森MOSFET和碳化硅系列其系列产品在PD电源、工业电源、服务器和PC电源、充电桩、光伏逆变、汽车电子、BMS、电机/电动工具、 UPS等领域得到广泛应用。
美浦森推出的功率器件凭借高效率、低损耗的特性，有效降低产品散热成本，提升整机功率必读。现今已获国内多家手机、配件品牌以及工厂品牌认可，产品年出货量十分可观，产品质量有目共睹。
美浦森推出的功率器件凭借高效率、低损耗的特性，有效降低产品散热成本，提升整机功率密度。现今已获国内多家手机、配件品牌以及工厂品牌认可，产品年出货量十分可观，产品质量有目共睹。并持续推出新一代碳化硅二极管及碳化硅MOS管，相信未来将会在更多应用中见到美浦森系列产品。
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【选型】美浦森（Maplesemi）高压MOSFET/超结MOSFET/碳化硅二极管/碳化硅MOSFET选型指南
目录- 高压MOSFET(VDMOS) 超结MOSFET(SJMOS) 碳化硅二极管(SiC DIODE)
型号- SLF8N60C,MSP08065V1,SLF11N50S,SLF740UZ,SIF8N60S,MSD02120G1,SLF32N20C,SLF10N70C,S4.F5NCOC,MSH080120M1,MSH180120M1,MSH16120G1,SLF8N60S,SLD80R1K3SJ,SIF12N70C,MS2H32120GI,MSNP06065G1,SIF11N50S,SLF12N70C,SIF8N60C,SLF80R380SJ,SLD5N50S2,SLF10N65C,SLF80R240SJ,SIF13N50C,SLF18N50S,SLF12N65S,SLD2N65UZ,SLF60R100S2,SLF10N65S,SIF13N50U,SLF60RW0S2,SLF730C,SLF60R380S2,SLH60R080SS,MSP10O65O1,SLF18N50C,SLF12N65C,SLD65R700S2,MSP10065V1,SLW24N50C,MSNP08065G1,SLW9N90C,SLH60R042SS,SLF16N50S,SLD2N65U2,MS2H20120G1,MSD05120G1,MSF10065G1,SIF16N50S,SLF5N60S,SLF70R900S2,SIF18N50S,SLF60R160S2,SLF70R420S2,SLF16N50C,SL080R600SJ,MSP08065G1,SL060R1K3SJ,MSH20120G1,SLF5N60C,SIF18N50C,SLF50R240SJ,MSP06065V1,SLFS0R140SJ,SLF60R190S2,SLF740C,MS2H32120G1,SLD80R500SJ,SLF60R280S2,MSP04065G1,MSP16065V1,MS2H40120G1,SLD65R420S2,MSD10120G1,MSP160Q5V1,MSF10120G1,S4.F5N60S,MSNP0606SG1,SIF8N65C,SLF20N50S,STF5N65C,MSP20065G1,SLF65R190S2D,SIF840C,SLD80R380SJ,SLF60R190S2D,SLF60R190SJ,SLF20N50C,SLD80R240SJ,SLF70R&O0S2,SLF8N65C,MSH040120M1,SI.F20N50S,SLF65R950S2,MS010120G1,SIF730C,SLF8N65S,SLF1DN60S,MS2H40065G1,SLF40N26C,MSP10120G1,MSP06065G1,SLF70R600S2,SIF8N65S,SLD840UZ,SLH50R060SJ,SLF7N70C,MSH160120M1,SLF5N65C,SLF10N60C,SLF12N60S,MS2H32065G1,SLF65R300S2,MSP10065G1,SL080R500SJ,MS2H32065O1,STD5N50S,MS0MCMJ5G1,SLH50R100SJ,SIF60R190S20,MSP16065G1,SLF10N60S,MSP04065V1,SLF12N60C,SLF840C,SLF60R650S2,MSNP10065G1,MSNP0606501,MSM20120G1,SLFS0R240SJ,SLF13N50C,SLD5N50S,SLF60R850S2,S10640UZ,SLF13N50A,MSD04065G1,SLF50R140SJ,SLD80R850SJ,SLF5N65S,SLD80R600SJ,SLF13N50U,$LDE5R420$2,SLF7N80C,SLF65R240S2
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MSM06065G1 650V碳化硅肖特基二极管
描述- 本资料介绍了MSM06065G1型650V碳化硅肖特基二极管。该器件具有高反向电压、快速恢复时间、高温稳定性等特点，适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动等领域。
型号- MSM06065G1
IV1D12020U2 – 1200V 20A 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了InventChip公司的IV1D12020U2型号碳化硅肖特基二极管。该器件具有高浪涌电流容量、零反向恢复电流和零正向恢复电压等特点，适用于太阳能升压器、EV充电桩、逆变器续流反并联二极管、维也纳三相PFC整流变换器和AC/DC变换器等领域。
型号- IV1D12020U2
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美浦森(Maplesemi)推出的碳化硅二极管MS2H20120G1，反向重复峰值电压为1200V，正向持续电流为29A（@Tc=25℃），采用TO-247-3封装，具有恢复时间短、可以进行高速开关等特点。
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型号- IV2D12030T2
IV1D12020T3 – 1200V 20A 碳化硅肖特基二极管
描述- 该资料介绍了InventChip公司的IV1D12020T3型号碳化硅肖特基二极管的产品特性、电气特性、热阻特性以及封装尺寸。该二极管适用于太阳能升压器、逆变器续流反并联二极管、维也纳三相PFC整流变换器和AC/DC变换器等领域。
型号- IV1D12020T3
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美浦森推出的MSD02120V1是一款1200V碳化硅二极管，采用TO-252（DPAK）封装，具有恢复时间短、开关速度快、工作频率高等特点，拥有更高的过电压安全裕度、比硅二极管替代品更高的效率、基本无开关损耗等优势。
MSD02120G1 1200V碳化硅二极管
描述- 本资料介绍了MSD02120G1型1200V碳化硅二极管。该器件具有高反向耐压、快速恢复时间、高温稳定性等特点，适用于开关电源、电机驱动和HID照明等领域。
型号- MSD02120G1
MS2H10120G1 1200V碳化硅二极管
描述- 本资料介绍了MS2H10120G1型1200V碳化硅二极管。该器件具有高反向耐压、快速恢复时间、高温操作能力等特点，适用于开关电源、功率因数校正、电机驱动和高亮度放电灯等领域。
型号- MS2H10120G1
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最小起订量： 3000 提交需求>
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