150V/100A N-Channel Super Trench Power MOSFET NCEP15T10V, Providing An Extremely Low Combination of RDS(ON) and Qg

2024-01-20 NCE
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The NCEP15T10V N-Channel Super Trench Power MOSFET uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectification.



General Features 

VDS=150V, ID=100A, RDS(ON)=5.7mΩ (typical) @VGS=10V 

Excellent gate charge x RDS(on) product(FOM)

Very low on-resistance RDS(on) 

150°C operating temperature 

Pb-free lead plating

100% UIS TESTED

100% ΔVds TESTED


Application 

DC/DC Converter 

Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification


Absolute Maximum Ratings (TC=25℃unless otherwise noted)


Thermal Characteristic


Electrical Characteristics (TC=25℃ unless otherwise noted)


Notes: 

1. Repetitive Rating: Pulse width limited by maximum junction temperature. 

2. Surface Mounted on FR4 Board, t≤10 sec. 

3. Pulse Test: Pulse Width≤300μs, Duty Cycle≤2%. 

4. Guaranteed by design, not subject to production 

5. EAS condition : Tj=25℃,VDD=50V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω


Package Marking and Ordering Information


授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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