凌讯微电子MOS系列击穿电压覆盖20V至900V,配合先进封装技术,提供2A至200A的电流选择范围
![MOS,8N50,LC65R040,LT15N10](https://www.sekorm.com/front/website/images/sekormContent.jpg)
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凌讯微电子中的MOS系列、击穿电压覆盖20V至900V,配合先进的封装技术,为您提供2A至200A的电流选择范围,持续改进MOSFET在电能转换过程中的系统效率和功率密度以及在苛刻环境下开关过程中的抗冲击雪崩耐量,实现快速、平稳的电源管理及电能转换。
凌讯微电子中MOS系列,
30-100V典型代表有:LT60N03/80N03/100N03/15N03/LT60N04/70N04/LT30N06/50N06/100N06/LT15N10/80N10/LX3205,
500V-900V典型代表有:4N65/5N50/7N65/8N50/10N65/12N65/13N50/16N65/18N50/20N50/20N65,
650V典型代表有::LC65R040/65R190/65R280/65R380/65R600/65R900。
凌讯微电子是一家专注功率半导体器件研发、封装测试、销售于一体的国家高新技术企业,致力于成为卓越的功率半导体器件制造商,助力功率半导体核心器件国产化,能够为客户提供高质量,高可靠性的功率器件产品及全方位的技术支持,现有肖特基、LowVF肖特基、快恢复、高压MOS、中低压MOS、超结MOS、IGBT单管及SiC(碳化硅)二极管等主力产品线,产品广泛应用于各类电源适匹器、LED照明、无刷马达,锂电管理,逆变等领域。
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