N沟道MOSFET HKTD90N03可用于电源、电机驱动和适配器等,栅源电压20V,连续漏极电流90A
低功耗MOS管具有其独特的优势,它在很多低压驱动控制电路和开关电路中应用广泛。本期,合科泰给大家介绍一款低压低功耗MOS管产品(N沟道MOSFET)HKTD90N03,它由合科泰东莞工厂生产,目前广泛应用于家电、储能、电动工具、电源等重点行业。
产品特性
合科泰生产的(N沟道MOSFET)HKTD90N03具有非常优秀的电学特性,作为一款低压MOS产品,它的漏源电压30V,栅源电压20V,连续漏极电流90A,漏源导通电阻0.0052Ω,最小栅极阈值电压1.2V,最大栅极阈值电压2.5V,耗散功率90mW。它是一款低功耗的MOS,适用于很多对功耗要求很低的电子应用场景中,如BMS、马达驱动、电源开关、开关电路、稳压电路、高频电路、不间断电源等。
这款N沟道MOSFET HKTD90N03还采用了非常先进的沟槽技术,并设计提供了优良的低栅极RDS(ON)电荷,这款产品有非常小的封装尺寸、易于安装和有更好的散热性能,体积重量小。它还拥有超低色散高密度电池设计,具有充分表征雪崩电压和电流,稳定性好,均匀性好,EAS高。HKTD90N03拥有非常快的开关时间和特性。
这款N沟道MOSFET具有优良的TO-252封装,散热良好,产品性能稳定可靠。它采用贴片设计,占用空间小,节约插件成本,提升生产效率。具有更高的可靠性 ,全铜框架结构,导电性和导热性表现优异,热阻低,铜面/焊盘更大,散热更快,产品种类多样化。
原理及应用
正是N沟道MOSFET HKTD90N03具有上述优秀的性能,产品稳定,质量可靠,所以它能被用于很多场景。具体的应用场景非常丰富,包括电源、变频器、电机驱动、电池保护、适配器、电子烟、储能装置等。
以在电源管理应用和电机驱动电路为例,N沟道MOSFET HKTD90N03在电源上用于电压的稳压和电流控制及功率开关等上,通过MOS的导通和截止状态,实现对电源电路的高效能量管理。在电机驱动电路上,在使用MOS管设计开关电源或马达驱动电路时,工程师需要考虑MOS的导通电阻和最大漏源电压以及最大连续漏极电流等参数,而HKTD90N03这个MOS管具有低功耗、快的开关速度和大电流等特性适合电机驱动这种产品设计电路。这款NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况的低端驱动,只要栅极电压达到很小的电压值即可,低压驱动性能强大。
总之,HKTD90N03这款N沟道MOSFET作为一款低压低功耗的MOS产品,它最大的优势就是低压驱动和功耗低,很适合低功耗场景的电路,这款产品目前在东莞工厂生产中,原厂生产,高端品质,现货供应有保证。
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