武汉芯源CW32L052 FLASH存储器

一、概述

CW32L052内部集成了64KB嵌入式FLASH供用户使用，可用来存储应用程序和用户数据。支持对 FLASH 存储器的读、擦除和写操作，支持擦写保护和读保护。内置 FLASH 编程所需的高压 BOOST 电路，无须额外提供编程电压。

二、FLASH存储器组织
· 总容量64KB，分页管理

· 每页 512 字节

· 共 128 页

三、FLASH存储器保护

FLASH 存储器具有擦写保护和读保护功能。

· 擦写保护

包括锁定页擦写保护和PC 地址页擦写保护，处于保护状态的页面不能被擦写，可避免 FLASH 内容被意外改写。

· 读保护

· 以整片 FLASH 为保护对象，不支持单页保护，可避免用户代码被非法读取。

四、FLASH存储器操作

FLASH 存储器操作包括：读操作、擦除、写（编程）操作。

五、页擦除

FLASH 的页擦除操作的最小单位为 1 页，即 512 字节。页擦除操作完成后，该页所有地址空间的数据内容均为 0xFF。

如果对未解锁的 FLASH 页面进行页擦除操作，或者对*正在运行的程序[^1]*进行擦除操作，会操作失败，产生错误中断标志。

CW32L052 内部 FLASH 存储器被划分为 128 页，每 8 页对应擦写锁定寄存器的1 个锁定位。擦写锁定寄存器的各位域与 FLASH 锁定页面的对应关系如下表所示：

六、写操作

基于嵌入式 FLASH 的特性，写操作只能将 FLASH 存储器中位数据由‘1’改写为‘0’，不能由‘0’改写为‘1’， 因此在写数据之前先要对对应地址所在页进行擦除操作。

基于以上陈述，总结出以下三个原则：

· 不可对数据位内容为‘0’的地址写入

· 不可对锁定区域内的地址写入

· 不可对 PC（程序指针）所在的页的地址写入

七、读操作

CW32L052 对 FLASH 的读操作支持 3 种不同位宽，可采用直接访问绝对地址方式读取，读取的数据位宽必 须和对应地址边界对齐。

八、核心代码

//单片机头文件
#include "main.h"
//硬件驱动
#include "gpio.h"
#include "delay.h"

//子程序
void LCD_Configuration(void);       //段式LCD配置函数
void LCD_Display(uint16_t dispdata);     //段式LCD显示函数
uint8_t FLASH_Erase(void);         //FLASH页擦除函数
uint8_t FLASH_Write(uint8_t *ByteData,uint16_t amount); //FLASH写操作函数

int main(void)
{
 int i;
 int temp8;
 uint8_t cnt=0;
 uint8_t WriteBuf[256];
 
    LED_Init();    //初始化程序运行情况指示灯
 LCD_Configuration();    //配置LCD液晶显示屏
 
 FLASH_Erase();          //页擦除操作
 for(i=0;i<256;i++)      //验证是否擦除成功
 {
  temp8=*((volatile uint8_t*)(512*127+i));
  if(temp8!=0xff)
  {
   while(1)
   {
    LED2_ON();       //LED2闪烁
    Delay_ms(300);
    LED2_OFF();
    Delay_ms(300);
   }
  }
 }
 
 for(i=0;i<256;i++)      //准备写入FLASH存储器的数据
 {
  WriteBuf[i]=i;
 }
 FLASH_Write(WriteBuf,256); //写操作
 for(i=0;i<255;i++)           //验证是否写入正确
 {
  temp8=*((volatile uint8_t*)(512*127+i));
  if(temp8!=i)
  {
   while(1)
   {
    LED1_ON();     //LED1、LED2同时闪烁指示写入失败
    LED2_ON();
    Delay_ms(300);
    LED1_OFF();
    LED2_OFF();
    Delay_ms(300);
   }
  }
 }
 
 LED1_ON();       //指示擦除、读、写均成功
 LED2_ON();
    while(1)
    {
  LCD_Display(*((volatile uint8_t*)(512*127+cnt)));  //LCD上依次显示写入的数据
  Delay_ms(500);
  cnt++;
    }
}

uint8_t FLASH_Erase(void)    //页擦除
{
 int flag=1;
 
 FLASH_UnlockPages(512*127,512*127);
 flag=FLASH_ErasePages(512*127,512*127);
 FLASH_LockAllPages();
 if(flag!=0)
 {
  while(1)
  {
   LED1_ON();
   Delay_ms(300);
   LED1_OFF();
   Delay_ms(300);
  }
 }
 
 return 0;
}

uint8_t FLASH_Write(uint8_t *ByteData,uint16_t amount)  //写操作
{
 int flag=1;
 
 FLASH_UnlockPages(512*127,512*127);
 flag=FLASH_WriteBytes(512*127,ByteData,amount);
 FLASH_LockAllPages();
 if(flag!=0)
 {
  while(1)
  {
   LED2_ON();
   Delay_ms(300);
   LED2_OFF();
   Delay_ms(300);
  }
 }
 
 return 0;
}

void LCD_Configuration(void)      //段式LCD配置
{
    __RCC_LCD_CLK_ENABLE();
 RCC_LSI_Enable();
 
    LCD_InitTypeDef LCD_InitStruct = {0};

    LCD_InitStruct.LCD_Bias = LCD_Bias_1_3;
    LCD_InitStruct.LCD_ClockSource = LCD_CLOCK_SOURCE_LSI;
    LCD_InitStruct.LCD_Duty = LCD_Duty_1_4;
    LCD_InitStruct.LCD_ScanFreq = LCD_SCAN_FREQ_256HZ;
    LCD_InitStruct.LCD_VoltageSource = LCD_VoltageSource_Internal;

    LCD_Init(&LCD_InitStruct); 
 LCD_COMConfig(LCD_COM0 | LCD_COM1 | LCD_COM2 | LCD_COM3, ENABLE);
    LCD_SEG0to23Config(LCD_SEG0|LCD_SEG1|LCD_SEG2|LCD_SEG3|LCD_SEG4|LCD_SEG5|LCD_SEG6|LCD_SEG7, ENABLE);
   
 LCD_Cmd(ENABLE);
}

void LCD_Display(uint16_t dispdata)   //LCD显示
{
 uint16_t DisBuf[10]={NUM0,NUM1,NUM2,NUM3,NUM4,NUM5,NUM6,NUM7,NUM8,NUM9};
 
 LCD_Write(LCD_RAMRegister_0,0x00000000);
 LCD_Write(LCD_RAMRegister_1,0x00000000);
 
 if(dispdata<10)
  LCD_Write(LCD_RAMRegister_0,DisBuf[dispdata]);
 else if(dispdata<100)
  LCD_Write(LCD_RAMRegister_0,DisBuf[dispdata/10]|DisBuf[dispdata%10]<<16);
 else if(dispdata<1000)
 {
  LCD_Write(LCD_RAMRegister_0,DisBuf[dispdata/100]|DisBuf[dispdata/10%10]<<16);
  LCD_Write(LCD_RAMRegister_1,DisBuf[dispdata%10]);
 }
 else
 {
  LCD_Write(LCD_RAMRegister_0,0xffffffff);
  LCD_Write(LCD_RAMRegister_1,0xffffffff);
 }
 
}



视频演示

九、补充

FLASH存储器和EEPROM存储器对比

一般性的总结：

使用场景侧重：

· EEPROM：频繁的擦写操作，如存储计数器、传感器数据等

· FLASH：大容量、高速读写，如存储程序代码和固件等