长晶科技省重点研发项目“低功耗高可靠超结MOS器件关键技术研发”顺利通过验收
近期，由长晶科技承担的江苏省重点研发计划项目“低功耗高可靠超结MOS器件关键技术研发”顺利通过江苏省科技厅验收。
项目验收委员会围绕项目研究内容、指标完成情况、关键技术、创新之处、项目成效和经费使用情况等方面进行了全面核查，并审阅相关资料，经现场质询、讨论后一致认为，该项目已完成规定指标，经费使用合理，同意通过验收。
“低功耗高可靠超结MOS器件关键技术研发”项目由长晶科技牵头，联合电子科技大学共同承担完成。该项目旨在突破超结器件的现有物理极限，并在此基础上开展新结构器件设计与制备技术、超结器件可靠性问题的研究，对于从根本上提升我国的超结MOS技术水平、通过自主创新实现进口替代具有重要意义。
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产品型号
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品类
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Status
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PD(mW/W)
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IF(mA)
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VR(V)
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VF(V)
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IR(uA)
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Package
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2CZ4007_SOD-123
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普通整流二极管
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Active
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350mW
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1000
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1000
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1.1
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5
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SOD-123
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选型表 - 长晶科技 立即选型
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产品型号
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品类
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Status
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VDRM(V)
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VRRM(V)
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IT(RMS)(A)
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IGT Min(uA)
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IGT Max(uA)
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IGT@VAK(V)
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VGT(V)
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Package
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MCR100-8_SOT-89-3L
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可控硅
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Active
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600
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600
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0.8
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5
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200
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7
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0.8
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SOT-89-3L
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选型表 - 长晶科技 立即选型
长晶科技Trench MOS选型表
长晶科技提供以下技术参数选型表，VDS：-100V~100V，VGS：±8V~±20V等
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产品型号
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品类
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Type
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Process
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ESD（Yes/No）
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VDS（V）
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ID（A）
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RDS(mΩ)@VGS10V Max
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RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Single-N
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Trench
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No
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60V
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0.2A
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5000mΩ
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6000mΩ
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选型表 - 长晶科技 立即选型
长晶科技整流桥选型表
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产品型号
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品类
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Status
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I(AV)(A)
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VRRM(I=IRM)(V)
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IFSM(A)
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VFM(V)
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IRM@TA=25℃(µA)
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Package
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RMSB40M_UMSB
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整流桥
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Active
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4
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1000
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100
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1.3
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5
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UMSB
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选型表 - 长晶科技 立即选型
【选型】LLC谐振电路中推荐超结MOSFET TPP60R160MFD，Trr仅112ns
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产品型号
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品类
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Status
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Type
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Process
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ESD(Yes/No)
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VDS(V)
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VGS(V)
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ID(A)
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VGS(TH)(V)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
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RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Typ）
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RDS(mΩ)@VGS（4.5V Max）
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Package
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Active
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Single-N
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Trench
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No
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60
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-
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0.2
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0.8~3
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-
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5000
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-
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6000
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TO-92
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选型表 - 长晶科技 立即选型
电子商城
现货市场
服务
提供全面表征产品器件耗电特征及功耗波形、快速瞬态效应、电源优化、表征和仿真测试服务，使用直流电源分析仪测量精度达50µV，8nA，波形发生器带宽100kHz，输出功率300W，示波器200kHz，512 kpts
实验室地址： 深圳/苏州 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
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