长晶科技省重点研发项目“低功耗高可靠超结MOS器件关键技术研发”顺利通过验收

时间： 2024-01-24 来源：长晶科技官网

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近期，由长晶科技承担的江苏省重点研发计划项目“低功耗高可靠超结MOS器件关键技术研发”顺利通过江苏省科技厅验收。

项目验收委员会围绕项目研究内容、指标完成情况、关键技术、创新之处、项目成效和经费使用情况等方面进行了全面核查，并审阅相关资料，经现场质询、讨论后一致认为，该项目已完成规定指标，经费使用合理，同意通过验收。

“低功耗高可靠超结MOS器件关键技术研发”项目由长晶科技牵头，联合电子科技大学共同承担完成。该项目旨在突破超结器件的现有物理极限，并在此基础上开展新结构器件设计与制备技术、超结器件可靠性问题的研究，对于从根本上提升我国的超结MOS技术水平、通过自主创新实现进口替代具有重要意义。

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型号- CJ75XXS,CESDLC3V0J4,CJ78XX,CJB120SN08,ESDBKV3V3D3,ESDI4V8FD1,CJ5123J5E,SMF170A,CJ431,CJ5123J5H,CJ5123J5I,SBDF30100TCTB,CJ432,CJU110SN04,CESD12VD5,CJ6320,CESD12VD3,CJA6376,DTESD5V0LED02,ESD3V3Y1,CESD12VD7,CJ6205,CJ6206,ESDBU18VA1,LM317,CJK02 SERIES,CJ78MXX,CJP10N65,CJZ255PL,SBD4060TCTB,CJAC70SN15,CJ9221T5,ESDBW5V0A1,S2MF,HC-49S,CJ6330,CJ6331,ESDBU2V5AE1,CJ6211,CJU75SN10L,CJ8345NM,CESD24VD5,1117,CESD24VD3,CJ808CXXM,SCJT1117B-XX,ESDBW5V0D3,ESDBL36VD3,RJBF310,CJ6107系列,SBD20H200CTB,MURW2060CTB,CJ6221,CJ6101,CJ88XX,CJ11 SERIES,CJ6107,CJ6109,CJ78LXX,ESDBKV5V0D3,CJ08 SERIES,CJB120SN10,CJ6300系列,CJ5123SG3J,CJ15 SERIES,SK310BF,CJU02N65,S1ML,CJMP3009G,CJPF12N65,ESDD7V0D3,SBD20150TCTB,CJS2019,CJ6330B33M,ESDM15VD3,CJ8810,ESDH10VP1,LMV321,ESDVD5V0H4,CJU40SN06,ESDL24VAE1,CJ5123H5G,SBD4045TCTB,ESDTU5V0A1,CJS2013,CJS2016,SS14,LM358,CJ12209SP,ESDU5V0N2,CJO03 SERIES,CJ5123J8A,ESDU5V0N4,CJ09,CESD5V0D3,CJ08,CESD5V0D1,LMV324,CJ03,ESDBL12VAE1,CESD5V0D5,CJ02,CJAC35N03,CJ6605SP,CJU04N65,CESDLC3V0L4,CJU1117B-XX,LM321,SBD40120TCTB,LM324,CJ79XX,CJAC70N03,CJBE5005,CJU80SN10,CJP140N04,CJQ12SN06,CJ17,CESD3V3AP,CJ16,CJ15,CJ40562,ESDE24VP1,CJAC40SN03,CJ13,CJ11,CJ10,CJS8810,DSS34,DSS36,CJP08N65,ESDTU5V0AG4B,CJ6300,CJS8804,SS36,SS34,CJP200N04,CJPF02N65,SBD30100TCTB,CJO06 SERIES,CJP180SN10,CESD5V0AP,ESDBL24VA1,ESDQ12VFA1,ESDHB5V0AE1,SBDF30100SCTB,CJFB30H20,ESDU5V0K4,CJU100N03S,SBD40150TCTB,CJT1117B-XX,CESDLC5V0K5,CJK09 SERIES,CJ6211 SERIES,CJ78M12,LMV358,2N7002K,ESDBM3V3A1,SMAJ18CA,CJQ18SN06,RC4558,CJ9313,CJ9311,CJ78M05,BAT54S,ESDBL3V3Y1,ESDU3V3AG4,ESDBW712C2,ESDBM24VD3,CESDLC5V0J4,CJPF08N65,CJD04N65,CJ86LXX,CJBD3020,CJP110SN10,ESDBL8V0Y1,CJ03 SERIES,ESD15VAE1,CJ9321,ESDBVD5V0F2,CJP07N65,ESDBM24VC2,CJD80SN10S,ESDBS3V3AE1,SBD30100SCTB,ESDBL5V0Y1,CJAB35N03S,CJ6206 SERIES,CJL8820,ESDBM12VD3,B1040A1,MURW3060CTB,CJ6617SP,CJM05 SERIES,ESDM5V0Y1,CJPF08N80,CJAC13THQ06,RS3MBF,CJ6206系列,ESDM6V3A1,ESDU5V0L2,CJK05 SERIES,CJAC80SN10,CJ40562A420ES,CJAC110SN10A,CJAC110SN10H,SCJA1117B-XX-A,CJAC110SN10L,CJ63,US1M,CJ9340,ESDU5V0G3,6101系列,CESD7V0D7,ESDSU5V0AE1,CJAC65SN10L,SMAJ5.0CA,CESD7V0D5,CJ5123L5F,CJB85SN08C,CJ75,SBD40100TCTB,ESD5V0AE1,CJ4616SP,ESDBL7V0Y1,CJS9004A,CJO07 SERIES,CJZ253PL,CJAC80SN10H,ESDM24VCP,CJL8810,CJ88,CJ86,CJPF10N65,CJAA3134K,CJ6376,CJ6377,SBDF4060TCTB,RMSB30MA,CJ40541A420M,CJU60SN08,CJAC75SN10L,CESDLC5V0M5,CJP160N04,CJ6205 SERIES,ESDBT4V5D3,CJM06 SERIES,CJ6109系列,CJ78XX/CJ78LXX,CJ6386,CESD12VAP,ESDU5V0H3,CJ86XX,CJ6388,OP07C,CJL2019,ESDU5V0H4,CJL2016,ESDD5V0D3,CJ9460T6,CJBA3134K,CESDLC5V0L4,CJL2013,CJ13 SERIES,CJAC50N06,SBD20H150CTB,CJ02 SERIES,CJAC18SN03,CJK08 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选型指南 - 长晶科技 - 2021/12/27 PDF 中文下载

HI-SEMICON（深鸿盛）MOSFET/SiC肖特基二极管/SiC MOSFET选型指南

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高耐压超结MOS场效应管LC65R600F，漏源导通电阻520mΩ，栅源电压±30V，TO-220F封装

凌讯微电子品牌LC65R600在TO-220F封装里采用的是1颗芯片，电性参数为7A650V的一款高耐压超结MOS管（COOL MOS）。

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长晶科技（JSCJ）公司介绍2020版

型号- SBD SERIES,SMFXXCA,LMV321,CJ78XX,SMAJXXCA,1SMA47,BAS SERIES,BAV SERIES,SMBJXXA,5.0SMDJXXCA,HER SERIES,SMFXXA,CJ431,SMF47,CJ358,SMBJXXCA,CJ432,GBJ SERIES,GBP SERIES,SMAJXXA,MBR SERIES,ESD SERIES,CJ6206,1SMA59,LM317,1N SERIES,CJT1117,ABS SERIES,BAW SERIES,US SERIES,CJA1117,SBL SERIES,1SS SERIES,SS SERIES,CJDW01,SMCJXXA,CJ6330,CJ6375,CJ6211,CJ5123,CJ75XX,CJ8632,LM324,MMBD,CJ79XX,BZX584,SMCJXXCA,BZT52,CJ40561,BAT SERIS,GBU SERIES,MBS SERIES,MUR SERIES,CJ6386,CJ6101,CJ6388,CJ6300,ES SERIES,DBS SERIES,1SMB59,M1 SERIES,5.0SMDJXXA,M7 SERIES,CJ4056,DSS SERIES,CJ4054,RS SERIES

商品及供应商介绍 - 长晶科技 PDF 中文下载

瑶芯微基于G2.5平台推出超结MOSFET，相比上一代栅电荷下降20％，Coss减小了40%

瑶芯微基于G2.5平台推出两大电压等级、多个封装系列的SJ MOSFET。其中TOLL封装的多款产品已实现量产，其紧凑的体积、较低的封装电阻和寄生电感、优秀的散热性能、高电流承载能力，可提高开关速度、降低成本，并能提高系统效率和可靠性等方面，在各种消费级、工业级和车规级功率电子场景中得到广泛应用。

产品发布时间 : 2024-09-10

【经验】长晶科技CJ431可控稳压源的基本应用电路及接法详解

熟悉电路制作的人大多对CJ431并不陌生。由于CJ431的动态抗阻的特性，其经常在电路设计当中被用于替代稳压二极管。不仅如此，CJ431的开态响应速度快输出噪音低，并且价格低廉。因此受到电源工程师和初学者们大力好评。本篇文章主要为大家介绍了CJ431的基本应用电路和几种并不常见的接法，并进行了讲解。

设计经验发布时间 : 2021-08-27

江苏长晶科技产品介绍-----MOSFET

型号- MB10S,12N65,ABS210,CJU50SN10,CJAC40N03,HS-CJAC80N03,CJAB35P03,07N65,CJ431,LS-CJAB25N04,CJAC110N03,CJB130SN10,CJAC65SN15,MSB30M,CJAC90SN12,CJAC65SN10,CJB110SN10,CJAC13TH06,CJAB60N03,M4 SERIES,CJP110SN10,08N65,CJBM3020,SS8050,S2MF,CJAC110SN10,RS2MF,ABS10,CJAC150N03,CJU100N03,CJAC80N03,10N65,CJAC70N03,1N5819,CJBA3139K,HS-CJAC20N03,ESDBL5V0Y1,HS-CJAB25N04,1117,CJQ12SN06,LS-CJAC140SN04,CJU110N03,4148,CJP130SN10,CJAC140SN04,SCJ6225,CJAB20N07,CJ6300,CJAC200SN04,CJBA3134K,CJAC10TH10,CJAB55N03,M7 SERIES,SCJ6330,ESDBM12VA1,HS-CJAC140SN04,SS8550,CJ3401,CJU130SN04,CJ3400,DSR1M,CJAC75SN10,SCJ75XX,FFM107-M,1N4148

商品及供应商介绍 - 长晶科技 PDF 中文下载

HMS15N65D/Q 650V Super-Junction MOSFET

型号- HMS15N65D,HMS15N65D-TO263,HMS15N65Q-DFN5*6-HF,HMS15N65D-TO263-HF,HMS15N65,HMS15N65Q-DFN5*6,HMS15N65Q

数据手册 - 虹美功率半导体 - 2023/9/27 PDF 英文下载

长晶科技Trench MOS选型表

长晶科技提供以下技术参数选型表，VDS：-100V~100V，VGS：±8V~±20V等

产品型号	品类	Type	Process	ESD（Yes/No）	VDS（V）	ID（A）	RDS(mΩ)@VGS10V Max	RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
2N7000_TO-92	Trench MOS	Single-N	Trench	No	60V	0.2A	5000mΩ	6000mΩ