长晶科技省重点研发项目“低功耗高可靠超结MOS器件关键技术研发”顺利通过验收
近期，由长晶科技承担的江苏省重点研发计划项目“低功耗高可靠超结MOS器件关键技术研发”顺利通过江苏省科技厅验收。
项目验收委员会围绕项目研究内容、指标完成情况、关键技术、创新之处、项目成效和经费使用情况等方面进行了全面核查，并审阅相关资料，经现场质询、讨论后一致认为，该项目已完成规定指标，经费使用合理，同意通过验收。
“低功耗高可靠超结MOS器件关键技术研发”项目由长晶科技牵头，联合电子科技大学共同承担完成。该项目旨在突破超结器件的现有物理极限，并在此基础上开展新结构器件设计与制备技术、超结器件可靠性问题的研究，对于从根本上提升我国的超结MOS技术水平、通过自主创新实现进口替代具有重要意义。
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型号- CJ75XXS,CESDLC3V0J4,CJ78XX,CJB120SN08,ESDBKV3V3D3,ESDI4V8FD1,CJ5123J5E,SMF170A,CJ431,CJ5123J5H,CJ5123J5I,SBDF30100TCTB,CJ432,CJU110SN04,CESD12VD5,CJ6320,CESD12VD3,CJA6376,DTESD5V0LED02,ESD3V3Y1,CESD12VD7,CJ6205,CJ6206,ESDBU18VA1,LM317,CJK02 SERIES,CJ78MXX,CJP10N65,CJZ255PL,SBD4060TCTB,CJAC70SN15,CJ9221T5,ESDBW5V0A1,S2MF,HC-49S,CJ6330,CJ6331,ESDBU2V5AE1,CJ6211,CJU75SN10L,CJ8345NM,CESD24VD5,1117,CESD24VD3,CJ808CXXM,SCJT1117B-XX,ESDBW5V0D3,ESDBL36VD3,RJBF310,CJ6107系列,SBD20H200CTB,MURW2060CTB,CJ6221,CJ6101,CJ88XX,CJ11 SERIES,CJ6107,CJ6109,CJ78LXX,ESDBKV5V0D3,CJ08 SERIES,CJB120SN10,CJ6300系列,CJ5123SG3J,CJ15 SERIES,SK310BF,CJU02N65,S1ML,CJMP3009G,CJPF12N65,ESDD7V0D3,SBD20150TCTB,CJS2019,CJ6330B33M,ESDM15VD3,CJ8810,ESDH10VP1,LMV321,ESDVD5V0H4,CJU40SN06,ESDL24VAE1,CJ5123H5G,SBD4045TCTB,ESDTU5V0A1,CJS2013,CJS2016,SS14,LM358,CJ12209SP,ESDU5V0N2,CJO03 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SERIES,ESDM5V0Y1,CJPF08N80,CJAC13THQ06,RS3MBF,CJ6206系列,ESDM6V3A1,ESDU5V0L2,CJK05 SERIES,CJAC80SN10,CJ40562A420ES,CJAC110SN10A,CJAC110SN10H,SCJA1117B-XX-A,CJAC110SN10L,CJ63,US1M,CJ9340,ESDU5V0G3,6101系列,CESD7V0D7,ESDSU5V0AE1,CJAC65SN10L,SMAJ5.0CA,CESD7V0D5,CJ5123L5F,CJB85SN08C,CJ75,SBD40100TCTB,ESD5V0AE1,CJ4616SP,ESDBL7V0Y1,CJS9004A,CJO07 SERIES,CJZ253PL,CJAC80SN10H,ESDM24VCP,CJL8810,CJ88,CJ86,CJPF10N65,CJAA3134K,CJ6376,CJ6377,SBDF4060TCTB,RMSB30MA,CJ40541A420M,CJU60SN08,CJAC75SN10L,CESDLC5V0M5,CJP160N04,CJ6205 SERIES,ESDBT4V5D3,CJM06 SERIES,CJ6109系列,CJ78XX/CJ78LXX,CJ6386,CESD12VAP,ESDU5V0H3,CJ86XX,CJ6388,OP07C,CJL2019,ESDU5V0H4,CJL2016,ESDD5V0D3,CJ9460T6,CJBA3134K,CESDLC5V0L4,CJL2013,CJ13 SERIES,CJAC50N06,SBD20H150CTB,CJ02 SERIES,CJAC18SN03,CJK08 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长晶科技Trench MOS选型表
长晶科技提供以下技术参数选型表，VDS：-100V~100V，VGS：±8V~±20V等
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产品型号
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品类
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Type
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Process
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ESD（Yes/No）
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VDS（V）
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ID（A）
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RDS(mΩ)@VGS10V Max
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RDS(mΩ)@VGS4.5V Max
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2N7000_TO-92
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Trench MOS
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Single-N
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Trench
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No
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60V
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0.2A
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5000mΩ
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6000mΩ
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选型表 - 长晶科技 立即选型
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产品型号
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品类
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PD(mW)
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VZTyp(V)
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VZMin(V)
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VZMax(V)
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IZT(mA)
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IR(uA)
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IR@VR(V)
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Package
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AD-MMSZ5259CS
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稳压二极管
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200mW
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39V
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38.22V
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39.78V
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3.2mA
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0.1uA
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30V
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SOD-323
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选型表 - 长晶科技 立即选型
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电子商城
现货市场
服务
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