采用PDFN3333封装的P沟道MOS管HKTQ30P03，广泛用于充电器、适配器等
PMOS作为一种应用广泛的MOS管产品，它是指n型衬底、p沟道，靠空穴的流动运送电流的MOS管。PMOS有其独特的特性，导通的PMOS的工作区域分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。在DCDC转换器、负载开关和驱动电路等应用上，PMOS有其独特优势。本期，合科泰给大家介绍一款采用PDFN3333封装的P沟道MOS管HKTQ30P03，这款产品广泛应用于电源、转换器、LED和电动工具等产品上。
HKTQ30P03特性
合科泰生产的HKTQ30P03具有很好的电学特性，它的漏源电压为-30V，栅源电压-20V，连续漏极电流-60V，漏源导通电阻0.0074Ω，最小栅极阀值电压-1V，最大栅极阀值电压-2V，耗散功率32mW，重量约0.012克。这款产品具有非常低的导通电阻，适用于低功耗DC到DC转换器的应用，在负载开关应用上，它也可以发挥重要作用。
在封装上，HKTQ30P03采用PDFN3333封装，表面贴装形式非常适用于体积小的电子设计方案，满足客户对小型化、功能系统化、模块化封装等设计要求。
合科泰这款产品采用的双面散热技术，散热性能优异，在整体性能上非常出色。这个PDFN3333封装的产品具有非常出色的热传导性能、电气性能和机械强度等。同时，它具有体积小、重量轻、非常薄等特点，非常适合于小型化的PCB设计产品。
HKTQ30P03应用
HKTQ30P03可应用于充电器、适配器、DCDC转换器、便捷式设备负载开关、电池开关和LED驱动等。
在反向保护电路中，使用合科泰生产的HKTQ30P03压降更小，耗散功率抵，低功耗省电，效率高。HKTQ30P03的开关速度极快，在作为电源开关和负载开关时，它的工作效率高，开关速度非常快。
在PMOS管驱动电路中，HKTQ30P03管具有很低的导通电阻，消耗能量低，在DCDC转换器电路中，作为功率开关，非常适合。
总之，合科泰生产的HKTQ30P03是一款稳定、性能可靠、低功耗的MOS管产品，特别适用于低功耗等场景。同时，HKTQ30P03的封装小巧、稳定，也给工程师设计电路留下很多余量，是客户采购分立器件的不错选择。
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产品型号
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品类
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封装形式
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沟道类型
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漏源电压 VDS(V)
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栅源电压 VGS±(V)
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连续漏极电流 ID(A)
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漏源导通电阻 RDS(ON)(Ω)
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栅极阈值电压(最小) VGS(th)(V)
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棚极阈值电压(最大) VGS(th)(V)
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耗散功率 PD(mW)
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9435
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P沟道MOSFET
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S0P-8
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p
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-30
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-20
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-5
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0.053
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-1
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-3
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2500
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