1200V/20A SiC Power Schottky Rectifier S4D20120A/H/G with 175℃ TJ Operation and Ultra-low Switching Loss
This 1200V/20A diode is high voltage Schottky rectifier that has very low total conduction losses and very stable switching characteristics over temperature extremes. The S4D20120A/S4D20120H/S4D20120G SiC Power Schottky Rectifier are ideal for energy sensitive, high frequency applications in challenging environments.
Features
175℃ TJ operation
Ultra-low switching loss
Switching speeds independent of operating temperature
Low total conduction losses
High forward surge current capability
High package isolation voltage
Terminals finish: 100% Pure Tin
"-A" is an AEC-Q101 qualified device
Pb−Free Device
All SMC parts are traceable to the wafer lot
Additional electrical and life testing can be performed upon request
Applications
Alternative energy inverters
Power Factor Correction (PFC)
Free-Wheeling diodes
Switching supply output rectification
Reverse polarity protection
Maximum Ratings
Electrical Characteristics
* Pulse width<300µs, duty cycle<2%
Thermal-Mechanical Specifications
Ordering Information
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本文由Vicky转载自SMC News，原文标题为:S4D20120A S4D20120H S4D20120G 1200V SIC POWER SCHOTTKY RECTIFIERS Data Sheet，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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桑德斯（SMC)提供如下碳化硅肖特基二极管的技术选型，VRWM（V）范围：+650~+1700；IO (A)范围：+2~+50；IFSM(A)范围：+19~+400；IR@VWM (μA)范围：+20~+500；VF (V)范围：+1.55~+1.8....桑德斯的碳化硅肖特基二极管有DPAK、ITO-220AC、DFN8X8、PDFNWB5×6-8L、TO-220AC等多种封装形式可广泛应用于电动车辆；电动机驱动；车载充电器；蓄电池充电器；无线充电器等领域。
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产品型号
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品类
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Package
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VRWM（V）
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IO (A)
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IFSM Max.(A)
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IR Max.@VWM (μA)
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VF Max. (V)
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CT Max. (pF)
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Part Status
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S3D03065A
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碳化硅肖特基二极管
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TO-220AC
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650
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3
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27
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5(0.001typical)
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1.7(1.5typical)
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-
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Active
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选型表 - SMC 立即选型
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型号- S6D02065A,S6D02065E
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型号- S3D03065T
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型号- S4D60120D
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型号- S4D15120GTR,S4D15120G
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型号- S3D60065A
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