采用沟槽MOS结构，使存在权衡关系的VF和IR相比以往产品得到显著改善
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向车载设备、工业设备、消费电子设备等的电源电路和保护电路，推出trr*1超快的100V耐压肖特基势垒二极管（以下简称“SBD”）“YQ系列”。
二极管的种类有很多，其中高效率SBD被广泛用于各种应用。尤其是沟槽MOS结构的SBD，其VF低于平面结构的SBD，因此可以在整流等应用中提高效率。而普通沟槽MOS结构的产品，其trr比平面结构的要差，因此在用于开关应用时存在功率损耗增加的课题。针对这种课题，ROHM推出采用自有的沟槽MOS结构、同时改善了存在权衡关系的VF和IR、并实现了业界超快trr的YQ系列产品。
“YQ系列”是继以往支持各种电路应用的4个SBD系列之后推出的新系列产品，也是ROHM首款采用沟槽MOS结构的二极管。该系列利用ROHM自有的结构设计，实现了业界超快的trr（15ns），与同样采用沟槽MOS结构的普通产品相比，trr单项的损耗降低约37%，总开关损耗降低约26%，因此，有助于降低应用产品的功耗。另外，通过采用沟槽MOS结构，与以往采用平面结构的SBD相比，正向施加时的损耗VF*2和反向施加时的损耗IR*3均得到改善。这不仅可以降低在整流应用等正向使用时的功率损耗，还可以降低对于SBD而言最令人担心的热失控风险*4。这些优势使得该系列产品非常适用于容易发热的车载LED前照灯的驱动电路、xEV用的DC-DC转换器等需要进行高速开关的应用。
新产品从2023年12月起全部投入量产（样品价格：300日元～/个，不含税），样品可通过Sekorm等网售平台购买。今后，ROHM将持续努力提高从低耐压到高耐压半导体元器件的品质，并继续加强别具特色的产品阵容，为应用产品进一步实现小型化和更低功耗贡献力量。
＜关于SBD的沟槽MOS结构＞
沟槽MOS结构是在外延层中形成沟槽（沟槽MOS）并用多晶硅填充的结构，这种结构可以缓和电场集中，从而可以降低外延层的电阻率，在正向施加时VF更低。另外，当反向施加时，可以缓和电场集中现象，从而实现更低的IR。前述的“YQ系列”通过采用这种沟槽MOS结构，与以往产品相比，VF改善了约7%，IR改善了约82%。另一方面，在普通沟槽MOS结构中，寄生电容（元器件中的电阻分量）较大，因此trr要比平面结构的差。“YQ系列”不仅改善了VF和IR，而且还利用ROHM自有的结构设计，实现了约15ns的业界超快trr。由于可将开关时的损耗降低约26%，因此非常有助于降低应用产品的功耗。
＜应用示例＞
・汽车LED前照灯 ・xEV用DC-DC转换器 ・工业设备电源 ・照明
＜产品阵容表＞
・封装的（ ）内表示ROHM封装。
☆ : 开发中
* 此次推出的产品和网售的TO-277GE封装产品是适用于车载信息娱乐系统和车身等级的产品。
目前正在针对每款产品准备支持动力总成等应用等级的同一型号产品，预计于2024年9月开始量产。
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