MOS管体二极管能过多大的电流？
体二极管是MOS管中的一个重要组成部分，它是衬底B与漏极D之间的PN结。由于把B极和S极短路了，因此出现了SD之间的体二极管。今天我们简单来讲下关于体二极管在MOS管中的作用，以及它能承受多大电流。
MOS管体二极管是什么？
MOS管有源极-衬底、漏极-衬底间俩PN结，由于源极S和衬底B短接，剩下漏极-源极间一个PN结，这个就是体二极管，又称寄生二极管。体二极管的导通电流取决于MOS管的工艺和结构。
（体二极管图片）
MOS管体二极管的作用？
MOS管体二极管的一个重要作用是防止VDD（电源电压）过压。当电源电压超过MOS管的额定电压时，二极管首先会反向击穿，将大电流直接导向地，从而避免MOS管因过压而损坏。这种保护作用对于MOS管而言至关重要，因为它能有效地提高MOS管的使用寿命和可靠性。体二极管在MOS管中能承受多大的电流呢？
这主要取决于MOS管的规格和设计。一般来说，MOS管的体二极管最大电流不会超过其漏极-源极的最大电流。增强型nMOS管和增强型pMOS管的体二极管可以承受较大的电流，一般到几毫安到几安培之间。需要注意的是，虽然体二极管可以承受一定范围内的电流，但在实际应用中，为了保证MOS管的稳定性和可靠性，一般不建议将其工作在接近反向击穿电流的极限值。此外，在设计电路时，应充分考虑MOS管体二极管的电流承受能力，避免因电流过大而导致MOS管损坏。
MOS管体二极管可能存在的问题：
1.影响电路性能：由于寄生二极管的存在，可能会在MOS管开关过程中产生额外的电流，从而影响电路的性能和稳定性。
2.造成误操作：在电路设计过程中，若没有充分考虑到MOS管体二极管的影响，可能会导致电路误操作，如误判MOS管的导通和截止状态。
3.降低可靠性：当MOS管体二极管承受过大的电流时，可能会导致其损坏，进而影响整个电路的可靠性。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由星晴123转载自芯长征科技公众号，原文标题为:MOS管体二极管能过多大的电流？，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
相关推荐
数字电路之MOS设计
本文基本详细地介绍了CMOS的原理，传输管TG的原理、动态电路的结构、组合逻辑延时的分析，简略地介绍了锁存器、触发器及时序电路的分析，联系到了模块层次的数字电路设计，粗浅地介绍了数字电路设计的各个层次，为以后提高数字电路设计能力打下了一定的基础。
技术探讨 发布时间 : 2023-12-21
详解IGBT工作原理，看这一篇就够了！
IGBT是变频器的核心部件，自然要分外关注。你可以把IGBT看作BJT和MOS管的融合体，IGBT具有BJT的输入特性和MOS管的输出特性。与BJT或MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管IGBT优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，以及更高工作电压和更低MOS管输入损耗。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-27
MOS管的寄生电感和寄生电容
寄生电容和寄生电感是指在电路中存在的非意图的电容和电感元件。它们通常是由于电路布局、线路长度、器件之间的物理距离等因素引起的。寄生电感和寄生电容对MOS管的影响是需要考虑和处理的重要因素，合理的设计和优化可以减少其负面影响，提高MOS管的性能。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-23
功率半导体中IGBT芯片的应用范围
IGBT的应用领域非常广泛，不仅限于以上列举的几个领域，随着技术的不断进步和创新，IGBT在更多领域可能有新的应用。
原厂动态 发布时间 : 2024-02-15
MOS管双电源自动切换电路设计，能0压降实现？
实现双电源自动切换电路，其中利用了三个MOS管进行的电路设计。然而，最近看到了另外两种主副电源自动切换的电路设计，觉得很有实用价值，分享给大家。一、我们主要围绕下面这个电路图展开：VUSB：为外部USB供电VBAT：为锂电池供电Q1：PMOSD1：二极管电路工作设计：1、外部电源供电时，锂电池的供电关断。
设计经验 发布时间 : 2024-03-19
一文秒懂IGBT的工作原理及测试
完成功率半导体器件的完整参数测试，包括IV，CV和Qg，支持在高低温条件下进行参数测试；测试全自动化，B1506A将所有的接线切换通过开关矩阵实现，实现了测量的自动化，既能保证测试精度和重复性，同时极大的提升了测量速度；可以建立Datasheet Characterization测试模板，测试结果可以输出测试数据、Datasheet报告和数据汇总等。
设计经验 发布时间 : 2024-03-01
氮化镓（GaN）功率器件结构与制造工艺
氮化镓功率器件与硅基功率器件的特性不同本质是外延结构的不同，本文通过深入对比氮化镓HEMT与硅基MOS管的外延结构，再对增强型和耗尽型的氮化镓HEMT结构进行对比，总结结构不同决定的部分特性。此外，对氮化镓功率器件的外延工艺以及功率器件的工艺进行描述，加深对氮化镓功率器件的工艺技术理解。在理解氮化镓功率器件结构和工艺的基础上，对不同半导体材料的特性、不同衬底材料的氮化镓HEMT进行对比说明。
技术探讨 发布时间 : 2024-01-31
功率半导体研究框架总论
功率半导体是必选消费品，人需要吃“柴米油盐”，机器同样也需要消耗功率器件，任何和电能转换有关的都需要功率半导体 。从行业增长来看，需求来自于各行各业，单机半导体（硅）含量的提升是核心规律。从行业发展来看，所有技术进步都指向更高的功率 、更小的体积、更低的损耗、更好的性价比。方正证券预计，未来3-4年，IDM模式的企业比fabless在成本端上更有优势。
设计经验 发布时间 : 2024-02-12
一文解析MOSFET的结构、原理及测试
MOSFET由MOS(Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体)+FET(Field Effect Transistor场效应晶体管)这个两个缩写组成。即通过给金属层(M-金属铝)的栅极和隔着氧化层(O-绝缘层SiO2)的源极施加电压，产生电场的效应来控制半导体(S)导电沟道开关的场效应晶体管。
技术探讨 发布时间 : 2024-03-01
MOS管中的密勒效应
Cgs跨接在输入端与地之间，对于输入端来说与基极电阻构成了低通滤波器，会使MOS管的高频性能下降。Cds跨接在输出端与地之间，对于输出端来说与基极电阻构成了低通滤波器，会使MOS管的高频性能下降。本文介绍MOS管中的密勒效应。
技术探讨 发布时间 : 2023-12-28
MOS管工作原理图文+案例，通俗易懂！
文章主要是讲一下关于mos管的基础知识，例如：mos管工作原理、mos管封装等知识。
技术探讨 发布时间 : 2024-01-23
MOSFET管选型步骤
在一些电路的设计中，不光是开关电源电路中，经常会使用MOS管，正确选择MOS管是硬件工程师经常遇到的问题，更是很重要的一个环节，MOS管选择不好有可能影响到整个电路的效率和成本，了解不同的MOS管部件的细微差别及不同开关电路中的应用，会避免很多问题，本文介绍几点仅供参考。
技术探讨 发布时间 : 2023-12-02
【技术】一文解析MOS管的驱动
在进行驱动电路设计之前，必须先清楚MOS管的模型、MOS管的开关过程、MOS管的栅极电荷以及MOS管的输入输出电容、跨接电容、等效电容等参数对驱动的影响。本文中时科将为大家解析MOS管的驱动。
技术探讨 发布时间 : 2022-08-30
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可烧录IC封装SOP/MSOP/SSOP/TSOP/TSSOP/PLCC/QFP/QFN/MLP/MLF/BGA/CSP/SOT/DFN；IC包装Tray/Tube/Tape；IC厂商不限，交期1-3天。支持IC测试（FT/SLT），管装、托盘装、卷带装包装转换，IC打印标记加工。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论