方舟微DMZ1521E在PI电源方案中的应用及DMZ8530E在TI电源方案中的应用

2024-01-26 方舟微
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一、 DMZ1521E在PI电源方案中的应用

应用电路如下:



在Type-C/PD充电器电路中,DMZ1521E和电阻R构成恒流源,给InnoSwitch稳定供电,并具有良好的瞬态响应特性。

 

二、 850V耗尽型MOSFET在TI电源方案中的应用

应用电路如下:




在Type-C/PD充电器电路中,在启动阶段,通过DMZ8530E给电源IC供电,启动完成后,电源IC由附加绕组通过DMZ1015E供电,此时,DMZ8530E用于高压开关节点的无损ZVS检测。“方舟微”研发的DMZ8530E是目前国内已知的唯一一款可以用于ZVS检测的MOSFET。

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产品型号
品类
ID (A)
RDSON(Ω) Typ.
Package
VGS (V)
BVDSS (V)
DMZ1511NE
耗尽型MOSFET
0.1
10~25
SOT-23
-3.3~-1.5
150

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型号- AKP10M60R,DMD4523E,FTP0P1N15G,DMD12C60EA,AKZ35V15R,DMZ32C15EA,DMD02R50A,DMD8515E,DMZ11C60EA,DMX1072,DMZ61C60EA,AKM120N040T4A,DMX4022E,DMZ25R13EA,DMZ12C15A,DJDO1R120A,DMX25R10EA,DMS04R60A,DMZ25R10EA,DMX11C60EA,FTS10N15G,DMZ1511E,DMS6014E,DMS8550E,DMX5530E,FTZ30P35G,DMX42C10A,AKZ25V15R,DMB16C20A,FTS01N15G,FTF15C35G,AKZ16V15R,DMZ85200E,DMS42C10A,DMX22C40A,FTZ15N35G,DMS22C40A,FTE02P15G,DMZ1520E

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产品型号
品类
阈值电压(V)
击穿电压(V)
导通电阻(Ohm)最大值
额定电流(A)
导通电阻(Ohm)典型值
备注
封装形式
FTX30P35G
增强型MOSFET
-1~-3
-350
30
-0.2
18
P Channel MOS
SOT-89

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